温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种新型半导体结构的制备方法，包括：形成第一半导体材料层；采用浸润气体对所述第一半导体材料层的表面进行浸润处理；在浸润处理后的表面形成第二半导体材料层；其中，所述第二半导体材料层中的第一元素含量大于所述第一半导体材料层中的第一元素...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。