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一种半导体结构及其制作方法，提供P型半导体层(11)，P型半导体层包括GaN基材料，且上表面(11a)为Ga面；在P型半导体层上形成第一N型半导体层(12)，第一N型半导体层包括GaN基材料，且上表面(12a)为N面；湿法刻蚀去除部分区域的...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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