改善含镓发光器件性能的方法技术

在衬底上生长含镓半导体层，随后在器件制造期间干法蚀刻含镓半导体层。干法蚀刻后，执行表面处理以去除器件侧壁的损伤。在表面处理之后，在器件的侧壁上沉积电介质材料，以钝化器件的侧壁。这些步骤导致器件的正向电流

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】改善含镓发光器件性能的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求根据《美国法典》第35编第119(e)享有以下共同未决和共同转让申请的权益：
[0003]美国临时申请序列号62/927,859，由Matthew S.Wong、Jordan M.Smith和Steven P.DenBaars于2019年10月30日提交，标题为“METHOD TO IMPROVE THE PERFORMANCE OF GALLIUM
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CONTAINING LIGHT
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EMITTING DEVICES”，代理人案卷号G&C 30794.0754USP 1(UC 2020
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086
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1)；
[0004]该申请通过引用并入本文。


[0005]本专利技术总体上涉及发光二极管(LED)，更具体地说，涉及一种改善含镓LED的性能的方法。

技术介绍

[0006]近年来，具有优异分辨率和色域的显示器的发展已经获得了显著的研究关注。微型LE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：在衬底上生长一个或多个含镓半导体层；在器件制造期间干法蚀刻所述含镓半导体层；在所述干法蚀刻之后，执行一个或多个表面处理以从所述器件的侧壁去除损伤或改变表面化学性质；以及在所述表面处理之后，在所述器件的侧壁上沉积一个或多个电介质材料，以钝化器件的侧壁。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含镓半导体层包括一个或多个氮、磷或砷原子作为抗衡原子。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行和沉积步骤导致所述器件的正向电流
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电压特性的改善和泄漏电流的降低。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行和沉积步骤导致所述器件的光输出功率和效率的增强。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述器件具有大于0.04μm
‑1的侧壁周长与发光面积之比。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述器件具有小于80μm的长度的一个或多个边缘。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述表面处理包括基于热的或基于等离子体的氮化、氧化或其他表面化学改性技术。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述表面处理在25℃以上的温度处进行。9.根据权利要求7所述的方法，其中等离子体的源可以来自气体、金属有机物或其他挥发性化学物质。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述表面处理在低功率水平处进行，以避免物理沉积和对所述器件的损...

【专利技术属性】
技术研发人员：MS黄，JM史密斯，SP登巴尔斯，
申请(专利权)人：加利福尼亚大学董事会，
类型：发明
国别省市：