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在衬底上生长含镓半导体层，随后在器件制造期间干法蚀刻含镓半导体层。干法蚀刻后，执行表面处理以去除器件侧壁的损伤。在表面处理之后，在器件的侧壁上沉积电介质材料，以钝化器件的侧壁。这些步骤导致器件的正向电流
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该专利属于加利福尼亚大学董事会所有，仅供学习研究参考，未经过加利福尼亚大学董事会授权不得商用。

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