制造半导体结构制造技术

本公开涉及制造一半导体结构的方法。该方法包含：沉积一第一层，使其与一基材的一第一表面区域接触，该基材具有一第一半导体材料且该第一层具有一第二半导体材料；沉积一第二层，使其与该基材的一第二表面区域接触，该第二表面区域基本上与该第一表面区域共面且在该第一表面区域之外，且该第二层具有该第一半导体材料或一第三半导体材料；沉积一第三层，使其与该第一层及该第二层接触，该第三层具有该第一半导体材料或该第三半导体材料或一第四半导体材料；移除该第三层的一部分以暴露该第一层的一部分；移除该第一层的至少一部分以在该基材、该第二层与该第三层之间产生一空腔。腔。腔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造半导体结构

技术介绍

[0001]在某些光子集成电路(PIC)中，使半导体材料的膜由介电材料(诸如空气或聚合物材料)界限存在益处。通常，此类结构通过以下步骤制造：在基材的整个表面区域之上沉积第一半导体材料层，在第一材料层的整个表面区域之上沉积第二半导体材料层，向第二材料层的一个或多个部分施加光罩材料及蚀刻该层以暴露该第一材料层的一个或多个部分。然后，施加蚀刻制程，其中使蚀刻剂材料穿过到达第一半导体材料层的暴露部分以对其进行蚀刻。此种过程是有问题的，因为它需要仔细控制将蚀刻剂材料施加到第一材料层以便提供所需尺寸的时间。此外，在一些情况下，可能无法非对称地蚀刻材料。
[0002]期望提供制造半导体结构的更可靠方法。
附图说明
[0003]图1是示出根据实施方式的制造半导体结构的方法的流程图；且
[0004]图2a至图2g是根据实施方式的在制造的各个阶段期间半导体结构的一系列剖面图。
具体实施方式
[0005]本文描述的实施方式涉及制造半导体结构的方法。具体地，但非排他地，涉及制造半导体材料的膜以供在光子集成电路(PIC)中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造一半导体结构的方法，所述方法包含：沉积一第一层，使该第一层与一基材的一第一表面区域接触，该基材具有一第一半导体材料且该第一层具有一第二半导体材料；沉积一第二层，使该第二层与该基材的一第二表面区域接触，该第二表面区域基本上与该第一表面区域共面且在该第一表面区域之外，且该第二层具有该第一半导体材料或一第三半导体材料；沉积一第三层，使所述第三层与该第一层及该第二层接触，该第三层具有该第一半导体材料或该第三半导体材料或一第四半导体材料；移除该第三层的一部分以暴露该第一层的一部分；及移除该第一层的至少一部分以在该基材、该第二层与该第三层之间产生一空腔。2.如权利要求1所述的方法，其中该第一半导体材料包含磷化铟。3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中该第二半导体材料是不包含磷化铟的一三元合金或一四元合金。4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中该第一层具有一第一厚度且该第二层具有基本上等于该第一厚度的一第二厚度。5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其包含：移除该第一层的一外部分以暴露该第二表面区域。6.如权利要求5所述的方法，其中该移除包含一蚀刻制程。7.如权利要求6所述的方法，其中该蚀刻制程为一干式蚀刻制程。8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其包含沉积该第二层以邻接该第一层的一侧表面。9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中移除该第三层的一部分包含：使用一光罩选择性地蚀刻该第三层的一部分。10.如权利要求9所述的方法，其中该选择性蚀刻包含：一干式蚀刻制程、一湿式蚀刻制程或湿式蚀刻制程与干式蚀刻制程...

【专利技术属性】
技术研发人员：玛丽亚，
申请(专利权)人：思敏光子控股有限责任公司，
类型：发明
国别省市：