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本公开涉及制造一半导体结构的方法。该方法包含：沉积一第一层，使其与一基材的一第一表面区域接触，该基材具有一第一半导体材料且该第一层具有一第二半导体材料；沉积一第二层，使其与该基材的一第二表面区域接触，该第二表面区域基本上与该第一表面区域共面...
该专利属于思敏光子控股有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过思敏光子控股有限责任公司授权不得商用。

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