半导体结构及其衬底、半导体结构及其衬底的制作方法技术

本申请提供了一种半导体结构及其衬底、半导体结构及其衬底的制作方法，衬底的制作方法中，自预制作衬底的表面在每一子单元区内开设凹槽，预制作衬底包括若干单元区，每一单元区包括至少两个子单元区；在凹槽内填入导热材料形成衬底；一个单元区中，各个子单元区的导热系数不同。基台向衬底传热过程中，各个子单元区的传热效率不同，利用生长温度对多量子阱材料层的发光特性的影响，从而在衬底正面生长发光层时，实现不同子单元区的发光层的发光波长不同。上述工艺简单，且能在一个衬底上制作可用于全彩LED的半导体结构，减小了全彩LED的尺寸，降低了成本。降低了成本。降低了成本。降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：