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本申请提供了一种半导体结构及其衬底、半导体结构及其衬底的制作方法，衬底的制作方法中，自预制作衬底的表面在每一子单元区内开设凹槽，预制作衬底包括若干单元区，每一单元区包括至少两个子单元区；在凹槽内填入导热材料形成衬底；一个单元区中，各个子单元...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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