一种微发光二极管显示基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种微发光二极管显示基板及其制造方法，涉及微发光二极管显示制造领域。通过在转移基板中形成深度逐渐增大的第一、第二、第三凹槽，进而在将厚度不同的第一、第二、第三基色微发光二极管阵列设置在第一、第二、第三凹槽的过程中，使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列三者的上表面处于同一水平面，进而在后续的转移工序中，通过一次转移工序即可将厚度不同的三基色微发光二极管单元转移至同一驱动基板上，有效简化了转移工序，降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种微发光二极管显示基板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及微发光二极管显示制造领域，具体涉及一种微发光二极管显示基板及其制造方法。

技术介绍

[0002]在现有的微发光二极管显示基板的制造过程中，在红、绿、蓝三基色微发光二极管芯片的转移过程中，由于红、绿、蓝三基色微发光二极管芯片的厚度不同，需要进行三次转移工序才可以完成红、绿、蓝三种微发光二极管芯片的转移工作，且在转移过程中，需要先转移厚度最小的微发光二极管芯片，最后转移厚度最大的微发光二极管芯片，导致转移工序的工艺繁琐、灵活性低，且增加了微发光二极管显示基板的制造成本。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种微发光二极管显示基板及其制造方法。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的一种微发光二极管显示基板的制造方法，包括：提供一转移基板，所述转移基板在加热加压条件下可以软化流动，在所述转移基板上形成多个第一凹槽，并在相邻两个所述第一凹槽之间均形成一个第二凹槽和一个第三凹槽，所述第一、第二、第三凹槽三者的深度逐渐增大。
[0005]提供多个第一基色微发光二极管阵列、多个第二基色微发光二极管阵列以及多个第三基色微发光二极管阵列，所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列均包括生长衬底以及位于所述生长衬底上的多个第一、第二、第三基色微发光二极管单元，所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列三者的厚度逐渐增大。
[0006]在所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列的所述生长衬底的底面分别形成第一、第二、第三沟槽。
[0007]接着将每个所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列分别设置到相应的一个所述第一、第二、第三凹槽中，对所述转移基板进行加热加压处理，使得所述转移基板软化流动进而包裹各基色微发光二极管阵列的生长衬底的侧面且填充相应的所述第一、第二、第三沟槽，接着固化所述转移基板，使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列三者的上表面处于同一水平面。
[0008]提供一驱动基板，在所述驱动基板上设置有电极垫阵列。
[0009]接着将所述转移基板上的多个所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列转移至所述驱动基板，使得每个所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元与相应的一个所述电极垫电连接。
[0010]接着形成一封装层，所述封装层包裹每个所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元。
[0011]接着去除所述转移基板和所述生长衬底，以暴露每个所述第一、第二、第三基色微
发光二极管单元的上表面，接着在所述驱动基板上形成公共电极层，以形成微发光二极管显示基板。
[0012]作为优选的技术方案，所述转移基板的材质为热塑性树脂材料，通过激光烧蚀、研磨或机械切割的方式形成所述第一、第二、第三凹槽。
[0013]作为优选的技术方案，所述第一基色微发光二极管阵列中的多个第一基色微发光二极管单元呈M*N的矩阵排布，其中，M为大于1且小于11的整数，N为大于9且小于101的整数，所述第二、第三基色微发光二极管阵列与所述第一基色微发光二极管阵列具有相同的矩阵排布。
[0014]作为优选的技术方案，所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列是分别通过对第一、第二、第三基色微发光二极管晶圆进行划片切割而成，所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列的生长衬底的厚度相同。
[0015]作为优选的技术方案，对所述转移基板进行加热加压处理之前，在所述转移基板上设置一辅助基板，所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列的上表面均抵接所述辅助基板，然后在所述加热加压处理的过程中和所述固化所述转移基板的过程中，确保所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列三者的上表面处于同一水平面。
[0016]作为优选的技术方案，所述辅助基板包括基板本体，并在所述基板本体上设置柔性缓冲层。
[0017]作为优选的技术方案，所述公共电极层包括第一公共电极层、第二公共电极层和第三公共电极层，所述第一公共电极层电连接所述第一基色微发光二极管单元，所述第二公共电极层电连接所述第二基色微发光二极管单元，所述第三公共电极层电连接所述第三基色微发光二极管单元。
[0018]本专利技术还提出一种微发光二极管显示基板，其采用上述制造方法形成的。
[0019]本专利技术的有益效果在于：在本专利技术的微发光二极管显示基板的制造方法中，通过在转移基板中形成深度逐渐增大的第一、第二、第三凹槽，进而在将厚度不同的第一、第二、第三基色微发光二极管阵列设置在第一、第二、第三凹槽的过程中，使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列三者的上表面处于同一水平面，进而在后续的转移工序中，通过一次转移工序即可将厚度不同的三基色微发光二极管单元转移至同一驱动基板上，有效简化了转移工序，降低了生产成本。
[0020]且通过在每个凹槽中设置具有多个微发光二极管单元的微发光二极管阵列，且在每个微发光二极管阵列的生长衬底的底面分别形成一沟槽，且所述转移基板在加热加压处理下可以软化流动，进而有效包裹每个微发光二极管阵列且填充相应的沟槽，有效提高了待转移微发光二极管阵列的结构稳定性。且通过设置辅助基板可以进一步提高转移精度。
附图说明
[0021]图1显示为本专利技术实施例中的转移基板的结构示意图。
[0022]图2显示为本专利技术实施例中的各基色微发光二极管阵列的结构示意图。
[0023]图3显示为本专利技术实施例中将各基色微发光二极管阵列分别设置到相应的凹槽中的结构示意图。
[0024]图4显示为本专利技术实施例中将转移基板上的各基色微发光二极管阵列转移至驱动基板的结构示意图。
[0025]图5显示为本专利技术实施例中在驱动基板上形成公共电极层的结构示意图。
具体实施方式
[0026]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0027]如图1～图5所示，本实施例提供一种微发光二极管显示基板的制造方法，包括：如图1所示，首先提供一转移基板100，所述转移基板100在加热加压条件下可以软化流动，在所述转移基板100上形成多个第一凹槽101，并在相邻两个所述第一凹槽101之间均形成一个第二凹槽102和一个第三凹槽103，所述第一、第二、第三凹槽101
‑
103三者的深度逐渐增大，即所述第一凹槽101的深度小于所述第二凹槽102的深度，所述第二凹槽102的深度小于所述第三凹槽103的深度。
[0028]在具体的实施例中，所述转移基板100的材质为热塑性树脂材料，通过激光烧蚀、研磨或机械切割的方式形成所述第一、第二、第三凹槽101
‑
103。
[0029]在更具体的实施例中，加热的温度可以为相应热塑性树脂材料的玻璃化转变温度或者是稍大于其玻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示基板的制造方法，其特征在于：包括：提供一转移基板，所述转移基板在加热加压条件下可以软化流动，在所述转移基板上形成多个第一凹槽，并在相邻两个所述第一凹槽之间均形成一个第二凹槽和一个第三凹槽，所述第一、第二、第三凹槽三者的深度逐渐增大；提供多个第一基色微发光二极管阵列、多个第二基色微发光二极管阵列以及多个第三基色微发光二极管阵列，所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列均包括生长衬底以及位于所述生长衬底上的多个第一、第二、第三基色微发光二极管单元，所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列三者的厚度逐渐增大；在所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列的所述生长衬底的底面分别形成第一、第二、第三沟槽；接着将每个所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列分别设置到相应的一个所述第一、第二、第三凹槽中，对所述转移基板进行加热加压处理，使得所述转移基板软化流动进而包裹各基色微发光二极管阵列的生长衬底的侧面且填充相应的所述第一、第二、第三沟槽，接着固化所述转移基板，使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列三者的上表面处于同一水平面；提供一驱动基板，在所述驱动基板上设置有电极垫阵列；接着将所述转移基板上的多个所述第一、第二、第三基色微发光二极管阵列转移至所述驱动基板，使得每个所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元与相应的一个所述电极垫电连接；接着形成一封装层，所述封装层包裹每个所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元；接着去除所述转移基板和所述生长衬底，以暴露每个所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元的上表面，接着在所述驱动基板上形成公共电极层，以形成微发光二极管显示基板。2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示基板的制造方法，其特征在于：所述转移基板的材质为热塑性树脂...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雍，瞿澄，陈文娟，
申请(专利权)人：罗化芯显示科技开发江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：