一种微型发光单元的转移方法技术

技术编号:39130057 阅读:9 留言:0更新日期:2023-10-23 14:50
本发明专利技术涉及一种微型发光单元的转移方法,涉及半导体显示技术领域。在本发明专利技术的微型发光单元的转移方法中,通过拉伸所述弹性转移基板,使得相邻所述微型发光单元的间距变大,然后从所述弹性转移基板的背面压入所述间距调节板,使得所述调节凸块突出于所述弹性转移基板,停止拉伸所述弹性转移基板,使得所述弹性转移基板回弹,进而使得相邻的两个微型发光单元均抵接一个调节凸块,以使得相邻所述微型发光单元的间距变为d2,通过上述调节方法可以方便精确调整相邻微型发光单元之间的间距,进而在后续的在转移工序中,便于弹性转移基板与目标基板精确对位,提高转移效率,增加转移良率。增加转移良率。增加转移良率。

【技术实现步骤摘要】
一种微型发光单元的转移方法


[0001]本专利技术涉及半导体显示
,具体涉及一种微型发光单元的转移方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管显示面板利用微米级尺寸的无机发光单元作为发光像素,来实现主动发光矩阵式显示。在微型发光芯片制作完成后,需要通过巨量转移技术将微型发光芯片转移到驱动电路背板上。目前微型发光芯片的巨量转移技术主要有拾取释放法、激光转移技术、流体自组装技术和滚轮转印技术。巨量转移技术面临的共性问题就是精度,如何精确控制待转移微型发光单元的间距,进而可以确保在转移的过程中,微型发光单元与驱动基板的像素电极精确对位,进而保证微型发光二极管显示面板的出光均匀、无色差,这是业界广泛关注的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种微型发光单元的转移方法。
[0004]为实现上述目的,本专利技术提出的一种微型发光单元的转移方法,包括:提供一生长衬底,在所述生长衬底上生长半导体功能层,以形成发光晶圆。
[0005]提供一载体基板,将所述发光晶圆设置在所述载体基板上。
[0006]对所述发光晶圆进行切割处理,以形成多个微型发光单元。
[0007]提供一弹性转移基板,将多个所述微型发光单元转移至所述弹性转移基板,相邻所述微型发光单元的间距为d1。
[0008]提供一间距调节板,所述间距调节板包括刚性基板以及位于所述刚性基板上的多个呈矩阵排列调节凸块,所述调节凸块的横向尺寸为d2,d2大于d1。
[0009]拉伸所述弹性转移基板,使得相邻所述微型发光单元的间距变大,从所述弹性转移基板的背面压入所述间距调节板,使得所述调节凸块突出于所述弹性转移基板,停止拉伸所述弹性转移基板,使得所述弹性转移基板回弹,进而使得相邻的两个微型发光单元均抵接一个调节凸块,以使得相邻所述微型发光单元的间距变为d2。
[0010]提供一目标基板,所述目标基板上具有多个导电焊盘。
[0011]接着将所述弹性转移基板上的多个所述微型发光单元转移至所述目标基板,使得每个所述微型发光单元与相应的一个所述导电焊盘电连接。
[0012]作为优选的技术方案,在所述生长衬底上生长半导体功能层的具体步骤为:在所述生长衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源发光层、P型层以及电流扩展层,在所述电流扩展层上形成多个阵列排布的导电凸点。
[0013]作为优选的技术方案,在所述载体基板上设置可剥离粘结层,利用所述可剥离粘结层将所述发光晶圆粘结在所述载体基板上。
[0014]作为优选的技术方案,对所述发光晶圆进行机械切割处理或激光切割处理。
[0015]作为优选的技术方案,所述刚性基板和所述调节凸块一体成型,所述刚性基板和
所述调节凸块的材质是金属材料,所述调节凸块为圆柱形凸块,所述圆柱形凸块的截面直径为d2。
[0016]作为优选的技术方案,在从所述弹性转移基板的背面压入所述间距调节板的过程中,对所述弹性转移基板进行加热处理。
[0017]作为优选的技术方案,所述调节凸块突出于所述弹性转移基板的部分的高度小于所述微型发光单元的高度。
[0018]作为优选的技术方案,将所述弹性转移基板上的多个所述微型发光单元转移至所述目标基板之后,形成一封装层,所述封装层包裹多个所述微型发光单元。
[0019]作为优选的技术方案,对所述封装层和所述微型发光单元进行研磨处理,以暴露所述微型发光单元的半导体功能层。
[0020]本专利技术的有益效果在于:在本专利技术的微型发光单元的转移方法中,通过设置弹性转移基板,该弹性转移基板可以被拉伸进而可以调整相邻微型发光单元的间距,进而在间距调整步骤中,通过拉伸所述弹性转移基板,使得相邻所述微型发光单元的间距变大,此时相邻微型发光单元之间的间距稍大于d2,以方便调节凸块可以嵌入到相邻微型发光单元之间的间隙中,然后从所述弹性转移基板的背面压入所述间距调节板,使得所述调节凸块突出于所述弹性转移基板,停止拉伸所述弹性转移基板,使得所述弹性转移基板回弹,进而使得相邻的两个微型发光单元均抵接一个调节凸块,以使得相邻所述微型发光单元的间距变为d2,通过上述调节方法可以方便精确调整相邻微型发光单元之间的间距,进而在后续的在转移工序中,便于弹性转移基板与目标基板精确对位,提高转移效率,增加转移良率。
附图说明
[0021]图1显示为本专利技术实施例中的发光晶圆的结构示意图。
[0022]图2显示为本专利技术实施例中在载体基板上形成多个微型发光单元的结构示意图。
[0023]图3显示为本专利技术实施例中将多个微型发光单元转移至弹性转移基板的结构示意图。
[0024]图4显示为本专利技术实施例中的间距调节板的结构示意图。
[0025]图5显示为本专利技术实施例中利用间距调节板调节弹性转移基板上的相邻微型发光单元的间距的结构示意图。
[0026]图6显示为本专利技术实施例中将弹性转移基板上的微型发光单元转移至目标基板的结构示意图。
[0027]图7显示为本专利技术实施例中对目标基板进行封装的结构示意图。
实施方式
[0028]为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0029]如图1~图7所示,本实施例提供一种微型发光单元的转移方法,包括:
如图1所示,提供一生长衬底101,在所述生长衬底101上生长半导体功能层102,以形成发光晶圆100。
[0030]在具体的实施例中,所述生长衬底101具体可以为蓝宝石衬底或氮化镓衬底,在所述生长衬底101上生长半导体功能层的具体步骤为:在所述生长衬底101上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源发光层、P型层以及电流扩展层,在所述电流扩展层上形成多个阵列排布的导电凸点(未图示)。
[0031]在具体的实施例中,在蓝宝石生长衬底101上生长未掺杂的氮化镓作为缓冲层,然后在未掺杂的氮化镓上生长N型掺杂的氮化镓层作为电子注入层,进而在N型氮化镓层上生长氮化镓/氮化铟镓超晶格结构作为有源发光层,其中,氮化镓作为势垒层,氮化铟镓作为势阱层,接着在所述有源发光层上生长P型掺杂的氮化镓层作为空穴注入层,然后在P型掺杂的氮化镓层上生长电流扩展层106,电流扩展层的材质具体可以为氧化铟锡、复合金属层或掺铝氧化锌,然后通过物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺沉积金属材料,例如铜、铝、金、银、钯等合适的金属,以形成导电凸点。更具体的,所述发光晶圆100的发光颜色可以红色、绿色或蓝色。
[0032]如图2所示,提供一载体基板200,将所述发光晶圆100设置在所述载体基板200上。接着对所述发光晶圆100进行切割处理,以形成多个微型发光单元201。
[0033]在具体的实施例中,在所述载体基板200上设置可剥离粘结层本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光单元的转移方法,其特征在于:包括:提供一生长衬底,在所述生长衬底上生长半导体功能层,以形成发光晶圆;提供一载体基板,将所述发光晶圆设置在所述载体基板上;对所述发光晶圆进行切割处理,以形成多个微型发光单元;提供一弹性转移基板,将多个所述微型发光单元转移至所述弹性转移基板,相邻所述微型发光单元的间距为d1;提供一间距调节板,所述间距调节板包括刚性基板以及位于所述刚性基板上的多个呈矩阵排列调节凸块,所述调节凸块的横向尺寸为d2,d2大于d1;拉伸所述弹性转移基板,使得相邻所述微型发光单元的间距变大,从所述弹性转移基板的背面压入所述间距调节板,使得所述调节凸块突出于所述弹性转移基板,停止拉伸所述弹性转移基板,使得所述弹性转移基板回弹,进而使得相邻的两个微型发光单元均抵接一个调节凸块,以使得相邻所述微型发光单元的间距变为d2;提供一目标基板,所述目标基板上具有多个导电焊盘;接着将所述弹性转移基板上的多个所述微型发光单元转移至所述目标基板,使得每个所述微型发光单元与相应的一个所述导电焊盘电连接。2.根据权利要求1所述的微型发光单元的转移方法,其特征在于:在所述生长衬底上生长半导体功能层的具体步骤为:在所述生长衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源发光层、P型层以及电流扩展层,在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:李雍瞿澄刘斌陈文娟
申请(专利权)人:罗化芯显示科技开发江苏有限公司
类型:发明
国别省市:

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