本发明专利技术涉及Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法，涉及半导体显示技术领域。在本申请的Micro LED芯片的间距调节方法中，将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板之后，利用调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，并在所述第一转移基板上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块，上述调距方法可以使得第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的间距变大，进而在后续Micro LED芯片列转移至所述第一转移基板的过程中，由于各金属凸块的存在，可以确保预先转移的相邻Micro LED芯片列之间的间距固定不变。LED芯片列之间的间距固定不变。LED芯片列之间的间距固定不变。
【技术实现步骤摘要】
Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法
[0001]本专利技术涉及半导体显示
，具体涉及一种Micro LED芯片的间距调节方法及一种Micro LED芯片的转移方法。
技术介绍
[0002]显示面板通常包括有机显示面板和无机显示面板，有机显示面板主要是通过电场驱动，有机半导体材料和发光材料通过载流子注入和复合后实现发光。有机显示面板存在大尺寸化困难、寿命短、制程复杂等缺陷。无机显示面板则主要是微型发光单元显示面板，其显示原理是将无机发光二极管结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，然后将微型发光单元批量式转移至驱动电路基板上，然后再利用物理气相沉积和/或化学气相沉积工艺完成保护层与上电极的制备，最后进行上基板的封装，以得到微型发光单元显示面板。
[0003]在微型发光芯片制作完成后，需要通过巨量转移技术将微型发光芯片转移到驱动电路背板上。目前微型发光芯片的巨量转移技术主要有拾取释放法、激光转移技术、流体自组装技术和滚轮转印技术。巨量转移技术面临的共性问题就是精度，如何精确控制待转移微型发光单元的间距，进而可以确保在转移的过程中，微型发光单元与驱动基板的像素电极精确对位，进而保证微型发光二极管显示面板的出光均匀、无色差，这是业界广泛关注的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种Micro LED芯片的间距调节方法及一种Micro LED芯片的转移方法。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提出的一种Micro LED芯片的间距调节方法，包括：1）提供一发光晶圆，对所述发光晶圆进行切割处理，以形成N列Micro LED芯片，其中N≥10，且每一列Micro LED芯片包括多个分离设置的Micro LED芯片。
[0006]2）提供第一转移基板，所述第一转移基板在加热状态下能够塑性形变，将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距为D1。
[0007]3）提供一调距模块，所述调距模块包括一列调距凸块，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块。
[0008]4）将第三列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第二列Micro LED芯片和第三列Micro LED芯片之间的净距为D1，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第二列Micro LED芯片和第三列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第二凹槽，并在所述第二凹槽中形成第二金属凸块。
[0009]5）多次重复步骤4）的转移方式，直至将第N列Micro LED芯片转移至所述第一转移
基板，第N
‑
1列Micro LED芯片和第N列Micro LED芯片之间的净距为D1，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第N
‑
1列Micro LED芯片和第N列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第N
‑
1凹槽，并在所述第N
‑
1凹槽中形成第N
‑
1金属凸块。
[0010]作为优选的技术方案，所述Micro LED芯片包括衬底以及位于所述衬底上的第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极，第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接。
[0011]作为优选的技术方案，在所述步骤2）中，所述将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板之后，在所述第一转移基板上沉积保护材料以形成保护层，所述保护层覆盖所述Micro LED芯片。
[0012]作为优选的技术方案，所述调距凸块包括圆柱型基部以及位于所述圆柱型基部上的圆锥型端部。
[0013]作为优选的技术方案，利用掩膜在所述第一凹槽中形成第一金属凸块。
[0014]本专利技术还提出一种Micro LED芯片的转移方法，包括：提供利用上述Micro LED芯片的间距调节方法形成的具有N列Micro LED芯片的第一转移基板；提供一目标基板，将所述第一转移基板上的N列Micro LED芯片转移至所述目标基板，使得所述Micro LED芯片与所述目标基板电连接；去除所述第一转移基板，在所述目标基板上形成一封装层，所述封装层包裹所述Micro LED芯片。
[0015]本专利技术的有益效果在于：在现有的Micro LED芯片的转移过程中，通过是将切割完成的Micro LED芯片直接转移到柔性胶膜上，然后拉伸柔性胶膜，上述工序容易造成各芯片之间的间距不均一，进而在后续的转移工序中，容易造成Micro LED芯片与目标基板的电连接失效。而在本申请的Micro LED芯片的间距调节方法中，将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板之后，利用调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，并在所述第一转移基板上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块，上述调距方法可以使得第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的间距变大，进而在后续Micro LED芯片列转移至所述第一转移基板的过程中，由于各金属凸块的存在，可以确保预先转移的相邻Micro LED芯片列之间的间距固定不变。
[0016]进一步的，通过一列一列的转移Micro LED芯片，在确保Micro LED芯片列之间具有合适间距的同时，还可以提高转移效率。在后续将其转移至目标基板的过程中，可以提高Micro LED芯片与目标基板的像素电极精确对位，进而可以提高转移良率。
附图说明
[0017]图1显示为本专利技术实施例中的对所述发光晶圆进行切割处理的结构示意图。
[0018]图2显示为本专利技术实施例中将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板的结构示意图。
[0019]图3显示为本专利技术实施例中利用调距模块调节第一列Micro LED芯片和第二列
Micro LED芯片之间的净距的结构示意图。
[0020]图4显示为本专利技术实施例中转移第三列Micro LED芯片并调节其与第二列Micro LED芯片之间的净距的结构示意图。
[0021]图5显示为本专利技术实施例中转移第N列Micro LED芯片并调节其与第N
‑
1列Micro LED芯片之间的净距的结构示意图。
[0022]图6显示为本专利技术实施例中将N列Micro LED芯片转移至目标基板的结构示意图。
实施方本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Micro LED芯片的间距调节方法，其特征在于：包括：1）提供一发光晶圆，对所述发光晶圆进行切割处理，以形成N列Micro LED芯片，其中N≥10，且每一列Micro LED芯片包括多个分离设置的Micro LED芯片；2）提供第一转移基板，所述第一转移基板在加热状态下能够塑性形变，将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距为D1；3）提供一调距模块，所述调距模块包括一列调距凸块，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块；4）将第三列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第二列Micro LED芯片和第三列Micro LED芯片之间的净距为D1，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第二列Micro LED芯片和第三列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第二凹槽，并在所述第二凹槽中形成第二金属凸块；5）多次重复步骤4）的转移方式，直至将第N列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第N
‑
1列Micro LED芯片和第N列Micro LED芯片之间的净距为D1，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第N
‑
1列Micro LED芯片和第N列Micro LED芯片之间的净距调节为D...
【专利技术属性】
技术研发人员：李雍，瞿澄，刘斌，陈文娟，
申请(专利权)人：罗化芯显示科技开发江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。