【技术实现步骤摘要】
发光器件制作方法及发光器件
[0001]本专利技术涉及半导体
,具体涉及一种发光器件制作方法及发光器件。
技术介绍
[0002]通过量子点(quantum dot,简称QD)进行色转换是目前实现高品质全彩化的主要方法。现阶段,一般是先制作出包含有量子点的色转换结构,再采用第一粘接胶将色转换结构与发光芯片的出光面固定,来获得包含有量子点的发光器件,而发光芯片为通过第二粘接胶粘接在第一基板上,在将色转换结构与发光芯片的出光面固定时,第一粘接胶容易与第二粘接胶粘接在一起,导致后续工序中难以将第一基板及第一粘接胶去除,从而导致发光器件制作效率低下。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种可以提高发光器件制作效率的发光器件制作方法及采用该制作方法制作的发光器件。
[0004]为实现上述目的,本专利技术提供了一种发光器件制作方法,包括步骤:
[0005](1)提供第一基板,在所述第一基板的第一面分布所述粘接蜡层;
[0006](2)提供晶片,所述晶片包括第二基板和设于所述第二 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光器件制作方法,其特征在于,包括步骤:(1)提供第一基板,在所述第一基板的第一面分布粘接蜡层;(2)提供晶片,所述晶片包括第二基板和设于所述第二基板的第一面的至少一发光芯片,所述发光芯片的出光面面向所述第二基板,利用所述粘接蜡层将所述第一基板的第一面与所述晶片的所述发光芯片粘接在一起;(3)去除所述第二基板,暴露出所述发光芯片的出光面;(4)提供色转换结构,将所述色转换结构与所述发光芯片的出光面固定在一起,所述色转换结构将所述发光芯片发出的第一光线转换为第二光线发出;(5)去除所述第一基板和所述粘接蜡层。2.如权利要求1所述的发光器件制作方法,其特征在于,所述第一基板的第一面分布的所述粘接蜡层厚度为3um
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5um。3.如权利要求1所述的发光器件制作方法,其特征在于,所述利用所述粘接蜡层将所述第一基板的第一面与所述晶片的所述发光芯片粘接在一起,包括:将所述晶片的发光芯片与所述第一基板的第一面相贴;使所述晶片与所述第一基板所处环境为第一压强;给所述晶片和/或所述第一基板施加第一压力,并在第一温度下保压第一时长,使所述晶片上的所述发光芯片与所述第一基板的第一面粘接在一起。4.如权利要求3所述的发光器件制作方法,其特征在于,所述第一压强为0
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50torr,所述第一压力为50kgf
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100kgf,所述第一时长为20min
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30min,所述第一温度为70℃
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80℃。5.如权利要求1所述的发光器件制作方法,其特征在于,所述晶片还包括布拉格反射镜,所述布拉格反...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛水源,李路成,李振明,陈培华,
申请(专利权)人:东莞市中麒光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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