半导体结构及其制作方法技术

本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，制作方法中，提供第一P型半导体层，在第一P型半导体层上依次形成N型半导体层与第二P型半导体层，第一P型半导体层、N型半导体层以及第二P型半导体层都包括GaN基材料；其中，所提供的第一P型半导体层中，控制上表面为Ga面；形成N型半导体层时，控制上表面为N面；形成第二P型半导体层时，控制上表面为N面。利用湿法刻蚀的方向性，使得从第二P型半导体层的N面开始刻蚀，自动停止于第一P型半导体层的Ga面，可以避免第一P型半导体层的过刻蚀以及空穴载流子浓度下降。之后干法刻蚀第二P型半导体层，停止于N型半导体层的上表面，有利于降低N型半导体层的电连接结构的接触电阻。的电连接结构的接触电阻。的电连接结构的接触电阻。的电连接结构的接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：