一种衬底及其制作方法，衬底包括：硅衬底(10)以及保护层(11)，其中，硅衬底(10)包括中间部分(101)与边缘部分(102)，中间部分(101)的厚度大于边缘部分(102)的厚度；中间部分(101)具有待生长面(10a)，待生长面(...

一种多量子阱结构(10)、发光二极管和发光组件，该多量子阱结构(10)包括由第一膜层(111)、插入层(112)和第二膜层(113)构成的至少一个叠层，该至少一个叠层为多个且彼此叠置。插入层(112)位于第一膜层(111)和第二膜层(1...

一种半导体发光器件及半导体发光器件的制备方法。该半导体发光器件的制备方法包括：在一衬底(1)上形成掩膜层(2)，所述掩膜层(2)设有暴露所述衬底(1)的多个开口(201)；在所述开口(201)处对所述衬底(1)进行刻蚀形成第一凹槽(11...

一种基板结构及基板结构的制备方法、发光器件及发光器件的制备方法，该基板结构可以包括衬底(1)、掩模层(2)以及外延结构(3)；该掩模层(2)设于衬底(1)上，设有暴露衬底(1)的开口(201)；该外延结构(3)设于掩模层(2)的开口(2...

一种GaN基激光器(1)及其制作方法，GaN基激光器(1)包括：外延基底单元(20)；以及位于外延基底单元(20)上的发光单元(23)，发光单元(23)至少包括有源层单元(232)，有源层单元(232)平行于外延基底单元(20)设置；发...

一种半导体结构，该半导体结构包括：层叠结构(30)，所述层叠结构(30)包括一个层叠结构单元(31)，或者多个沿水平方向设置的层叠结构单元(31)；每一所述层叠结构单元(31)包括多个沿水平方向相互分离的层叠中岛(311)；依次层叠设置...

本实用新型公开了一种石墨载盘以及金属有机化合物化学气相沉淀设备，石墨载盘包括：载盘本体，所述载盘本体具有相对设置的第一表面和第二表面；至少一个晶圆槽，所述晶圆槽为从所述第一表面向所述第二表面凹陷形成的凹槽，所述晶圆槽的外边缘包括迎风区域...

本实用新型提供了一种应用于半导体晶圆的面对面退火装置，退火装置包括旋转吸片盘、退火炉体、旋转动力装置以及真空金属管道，旋转吸片盘悬空于退火炉体内，连接真空金属管道的一端，旋转动力装置包裹真空金属管道，实现旋转吸片盘的匀速旋转。本实用新型...

一种肖特基二极管。肖特基二极管包括依次层叠的衬底(100)、第一半导体层(200)、异质结构层(300)、钝化层(500)、冒层(400)。其中钝化层(500)包括第一凹槽(10)和第二凹槽(20)，第一凹槽(10)和第二凹槽(20)至...

一种半导体器件(10)及其制备方法。该半导体器件(10)的制备方法，包括：先在衬底(11)上形成第一导电层(12)，其中，第一导电层(12)包括重掺杂的III

本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的多个堆叠结构与多个隔离结构，堆叠结构间隔分布，隔离结构位于相邻堆叠结构之间，堆叠结构自下而上包括：成核层与第一外延层；以及位于多个堆叠结构上的异质结结...

本实用新型提供了一种带有坩埚套的金属蒸镀用坩埚套件，坩埚内部的坩埚套侧壁具有齿纹结构。本实用新型中，通过设计坩埚套侧壁齿纹结构，可减少坩埚套和坩埚的接触面积，从而有效减少能量损失。坩埚套侧壁结构预留的空间体积，还可以有效的减少因热胀冷缩...

一种量子阱结构(10)及其制备方法和发光二极管，该量子阱结构(10)包括至少一个量子阱(100)和至少一个第一膜层(200)。该至少一个量子阱(100)中的每个量子阱(100)包括彼此叠置的势阱层(112)和势垒层(111)，势阱层(1...

一种谐振腔发光二极管的制备方法。该谐振腔发光二极管包括依次层叠的第一反射镜(23)、第一半导体层(24)、有源层(25)、第二半导体层(27)与第二反射镜(28)，第一半导体层(24)的导电类型与第二半导体层(27)的导电类型相反；所述...

一种复合衬底(10)、光电器件及其制备方法。该复合衬底(10)包括基板(11)和位于基板(11)上的纳米金刚石结构(12)；纳米金刚石结构(12)包括多个间隔设置的纳米金刚石凸起(121)，相邻的两个纳米金刚石凸起(121)之间设有间隙...

一种垂直腔表面发射激光器的制备方法，垂直腔表面发射激光器包括依次层叠的第一反射镜(23)、第一半导体层(24)、有源层(25)、第二半导体层(27)、氧化层(224)与第二反射镜(28)，第一半导体层(24)的导电类型与第二半导体层(2...

一种肖特基二极管及其制造方法。肖特基二极管包括衬底(100)、第一半导体层(200)、异质结构层(300)以及钝化层(400)，钝化层(400)包括第一凹槽(10)和第二凹槽(20)，第一凹槽(10)和第二凹槽(20)贯穿钝化层(400...

一种垂直结构发光二极管及其制备方法，该方法包括：在衬底上形成金属原子层，其中，衬底为n型衬底(110)；在金属原子层上形成n型缓冲层(120)；在n型缓冲层上形成发光结构，发光结构自下向上包括n型半导体层、有源层以及p型半导体层(130...

一种LED结构及其GaN基衬底、GaN基衬底的制作方法，GaN基衬底包括：图形化衬底(10)，包括多个凹陷部(10a)与多个凸起部(10b)；位于凹陷部(10a)的金属Ga层(12

一种发光器件及发光器件的制备方法。该发光器件的制备方法包括：提供一外延基底(1)，所述外延基底(1)具有第一凹陷部(101)，所述第一凹陷部(101)的内表面为曲面；在所述外延基底(1)上外延生长发光结构层(2)，所述发光结构层(2)包...