多量子阱结构、发光二极管和发光组件制造技术

一种多量子阱结构(10)、发光二极管和发光组件，该多量子阱结构(10)包括由第一膜层(111)、插入层(112)和第二膜层(113)构成的至少一个叠层，该至少一个叠层为多个且彼此叠置。插入层(112)位于第一膜层(111)和第二膜层(113)之间。插入层(112)包括单体结构和/或超晶格结构。第一膜层包括In、Ga和N，插入层包括Al、Ga和N，第二膜层包括Ga和N。该多量子阱结构可以激发出更长波长的光，且防止因低温外延生长第一膜层出现的缺陷等不良。长第一膜层出现的缺陷等不良。长第一膜层出现的缺陷等不良。长第一膜层出现的缺陷等不良。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘慰华，程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：