肖特基二极管及其制造方法技术

一种肖特基二极管及其制造方法。肖特基二极管包括衬底(100)、第一半导体层(200)、异质结构层(300)以及钝化层(400)，钝化层(400)包括第一凹槽(10)和第二凹槽(20)，第一凹槽(10)和第二凹槽(20)贯穿钝化层(400)并暴露异质结构层(300)；第二半导体层(500)，第二半导体层(500)位于第一凹槽(10)内，第二半导体层(500)在水平方向上未将第一凹槽(10)填满；第一电极(600)，第一电极(600)至少位于对应第一凹槽(10)的异质结构层(300)和第二半导体层(500)上；位于第二凹槽(20)内的第二电极(700)。第一电极(600)的一部分与第二半导体层(500)之间形成肖特基接触，第二半导体层(500)的存在，减少了第一电极(600)与异质结构层(300)直接接触的面积，能够平衡正向开启电压与反向漏电特性方面的矛盾，并且抑制异质结构层在高温环境下的漏电特性。下的漏电特性。下的漏电特性。下的漏电特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：