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一种肖特基二极管及其制造方法。肖特基二极管包括衬底(100)、第一半导体层(200)、异质结构层(300)以及钝化层(400)，钝化层(400)包括第一凹槽(10)和第二凹槽(20)，第一凹槽(10)和第二凹槽(20)贯穿钝化层(400)并...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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