GaN基激光器及其制作方法技术

一种GaN基激光器(1)及其制作方法，GaN基激光器(1)包括：外延基底单元(20)；以及位于外延基底单元(20)上的发光单元(23)，发光单元(23)至少包括有源层单元(232)，有源层单元(232)平行于外延基底单元(20)设置；发光单元(23)至少包括一对相对的第一侧壁(23a)与第二侧壁(23b)，第一侧壁(23a)上具有第一反射镜(24)，第二侧壁(23b)上具有第二反射镜(25)，第一反射镜(24)或第二反射镜(25)对应于出光面。第一反射镜(24)与第二反射镜(25)设置在有源层单元(232)的侧表面，换言之，激光器(1)从有源层单元(232)的侧表面出光，相对于从有源层单元(232)的上下表面出光，可减小出光面积，增大光功率密度。大光功率密度。大光功率密度。大光功率密度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：