发光芯片的制备方法、发光芯片以及显示面板技术

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光芯片的制备方法、发光芯片以及显示面板。其中，发光芯片的制备方法包括：提供发光芯片本体，发光芯片本体包括通过电子传输层形成一体化的多个像素单元；在相邻像素单元之间的电子传输层上形成凹坑；在凹坑内制备散热结构。本公开的技术方案，有利于提高整体发光器件散热效率的同时，可避免各像素单元之间发生光串扰的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
发光芯片的制备方法、发光芯片以及显示面板


[0001]本公开涉及显示
，特别涉及一种发光芯片的制备方法、发光芯片以及显示面板。

技术介绍

[0002]微米级发光二极管（Micro Light Emitting Diode，Micro
‑
LED）具有分辨率高、亮度高、寿命长和色域广等明显优势，在增强现实（Augmented Reality，AR）、虚拟现实（Virtual Reality，VR）和微型显示等领域中逐渐得到普及和应用。但随着对显示质量和显示尺寸的要求不断提高，Micro
‑
LED芯片的集成度需不断提高，意味着Micro
‑
LED芯片的尺寸需要不断缩小，在Micro
‑
LED芯片缩小的过程中，对Micro
‑
LED芯片的散热要求更高。
[0003]在Micro
‑
LED芯片倒装结构中，如附图1所示，发光芯片包括多个像素单元例如Micro
‑
LED芯片，将低导热率的衬底去除，对像素单元例如Micro
‑
LED芯片散热性能有一定的提高。但随着Micro
‑
LED芯片集成度的上升，芯片在工作状态下会产生更多的热量，若产生的热量不能有效地散发，会让芯片整体工作处于一个较高的温度，从而加剧芯片的老化，降低芯片的使用寿命。因此，需要在Micro
‑
LED芯片倒装结构基础上，进一步提高Micro
‑
LED芯片的散热性能。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种发光芯片的制备方法、发光芯片以及显示面板，有利于提高整体发光器件散热效率的同时，可避免各像素单元之间发生光串扰的问题。
[0005]第一方面，本公开提供了一种发光芯片的制备方法，包括：提供发光芯片本体，所述发光芯片本体包括通过电子传输层形成一体化的多个像素单元；在相邻所述像素单元之间的电子传输层上形成凹坑；在所述凹坑内制备散热结构。
[0006]在一些实施例中，在所述凹坑内制备散热结构，包括：在所述凹坑内制备金属层；在所述金属层上形成容纳腔；向所述容纳腔内填充第一散热材料。
[0007]在一些实施例中，在所述凹坑内制备金属层，包括：在所述像素单元的电子传输层上覆盖金属层；在所述金属层上覆盖光刻胶层；通过曝光显影，保留对应凹坑所在位置的光刻胶层；去除未覆盖所述光刻胶层的金属层；去除所述光刻胶层。
[0008]在一些实施例中，在所述凹坑内制备散热结构，包括：向所述凹坑内铺设生长材料；在所述生长材料上生长第二散热材料。
[0009]在一些实施例中，在所述凹坑内制备散热结构之后，所述发光芯片的制备方法还包括：在相邻所述散热结构之间制备聚光结构，所述聚光结构位于像素单元的出光侧。
[0010]第二方面，本公开还提供了一种发光芯片，包括：发光芯片本体，所述发光芯片本体包括通过电子传输层形成一体化的多个像素单元，相邻所述像素单元之间的电子传输层上设置有凹坑；散热结构，所述散热结构设置在所述凹坑内。
[0011]在一些实施例中，所述散热结构包括：金属层，所述金属层上形成有容纳腔；第一散热材料，所述第一散热材料填充在所述容纳腔中，所述第一散热材料包括石墨烯。
[0012]在一些实施例中，所述散热结构包括：生长材料和在所述生长材料上生长的第二散热材料，所述第二散热材料包括碳纳米管。
[0013]在一些实施例中，所述发光芯片还包括：聚光结构，所述聚光结构设置在相邻所述散热结构之间。
[0014]第三方面，本公开还提供了一种显示面板，包括如第二方面所述的发光芯片。
[0015]本公开实施例提供的发光芯片的制备方法包括：提供发光芯片本体，发光芯片本体包括通过电子传输层形成一体化的多个像素单元；在相邻像素单元之间的电子传输层上形成凹坑；在凹坑内制备散热结构。由此，通过在相邻像素单元之间的电子传输层上设置凹坑，在凹坑制备散热结构，有利于提高整体发光器件的散热效率，且可利用散热结构提供光隔离的作用，有利于避免各像素单元之间发生光串扰的问题。
附图说明
[0016]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
[0017]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为相关技术中提供的一种发光芯片去除衬底的示意图；图2为本公开实施例提供的一种发光芯片的制备方法的流程示意图；图3为本公开实施例提供的一种发光芯片的具体工艺制备图；图4为本公开实施例提供的一种制备散热结构的工艺制备图；图5为本公开实施例提供的一种在凹坑内制备金属层的工艺制备图；图6为本公开实施例提供的另一种制备散热结构的工艺制备图；图7为本公开实施例提供的一种发光芯片的结构示意图；
图8为本公开实施例提供的另一种发光芯片的结构示意图；图9为本公开实施例提供的又一种发光芯片的结构示意图。
具体实施方式
[0019]为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0020]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0021]随着对显示质量和显示尺寸的要求不断提高，Micro
‑
LED芯片的集成度需不断提高，意味着Micro
‑
LED芯片的尺寸需要不断缩小，在Micro
‑
LED芯片缩小的过程中，对Micro
‑
LED芯片的散热要求更高。
[0022]相关技术中，如图1所示，左边附图制备的发光芯片包括多个像素单元10例如Micro
‑
LED芯片，将低导热率的衬底11去除，对像素单元10例如Micro
‑
LED芯片散热性能有一定的提高。但随着Micro
‑
LED芯片集成度的上升，芯片在工作状态下会产生更多的热量，若产生的热量不能有效地散发，会让芯片整体工作处于一个较高的温度，从而加剧芯片的老化，降低芯片的使用寿命。因此，需要在Micro
‑
LED芯片倒装结构基础上，进一步提高Micro
‑
LED芯片的散热性能。
[0023]为了解决相关技术中存在的技术问题，本公开实施例提供了一种发光芯片的制备方法以及发光芯片。本公开实施例提供的发光芯片的制备方法以及发光芯片，通过在相邻像本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供发光芯片本体，所述发光芯片本体包括通过电子传输层形成一体化的多个像素单元；在相邻所述像素单元之间的电子传输层上形成凹坑；在所述凹坑内制备散热结构。2.根据权利要求1所述的发光芯片的制备方法，其特征在于，在所述凹坑内制备散热结构，包括：在所述凹坑内制备金属层；在所述金属层上形成容纳腔；向所述容纳腔内填充第一散热材料。3.根据权利要求2所述的发光芯片的制备方法，其特征在于，在所述凹坑内制备金属层，包括：在所述像素单元的电子传输层上覆盖金属层；在所述金属层上覆盖光刻胶层；通过曝光显影，保留对应凹坑所在位置的光刻胶层；去除未覆盖所述光刻胶层的金属层；去除所述光刻胶层。4.根据权利要求1所述的发光芯片的制备方法，其特征在于，在所述凹坑内制备散热结构，包括：向所述凹坑内铺设生长材料；在所述生长材料上生长第二散热材料。5.根据权利要求1所述的发光芯片的制备方法，其特征在于，在所述凹坑...

【专利技术属性】
技术研发人员：温海键，陈良键，岳大川，蔡世星，李小磊，伍德民，
申请(专利权)人：深圳市奥视微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：