显示面板及其制作方法技术

技术编号:38761952 阅读:11 留言:0更新日期:2023-09-10 10:34
本发明专利技术涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及其制作方法,能够解决现有技术存在的键合强度和键合良率较低的技术问题。该显示面板的制作方法包括:在衬底上形成LED发光单元,所述LED发光单元包括驱动电极;在所述LED发光单元上形成重布线层;在所述重布线层上形成驱动芯片晶圆,所述驱动芯片晶圆包括焊盘;其中,所述重布线层包括走线,所述驱动电极通过所述走线与所述焊盘电连接。走线与所述焊盘电连接。走线与所述焊盘电连接。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
,特别涉及一种显示面板及其制作方法。

技术介绍

[0002]高分辨率的全彩化微发光二极管(Micro

light emitting diodes,Micro LED)显示芯片是AR/VR设备的核心部件之一,一个高分辨率的全彩发光芯片由数百万个独立的红绿蓝(RGB)发光单元组成。
[0003]目前,现有工艺是在LED晶圆上制作LED发光单元,在CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)晶圆上制作驱动电路,然后将LED晶圆和CMOS晶圆键合(Bonding)来制备Micro LED显示芯片。对于像素尺寸越来越小的Micro LED显示芯片,键合对准的难度也越来越大,且键合界面容易产生气泡,导致键合强度和键合良率较低的技术问题。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题,本专利技术提供了一种显示面板及其制作方法,能够解决现有技术存在的键合强度和键合良率较低的技术问题。
[0005]第一方面,本专利技术实施例提供一种显示面板的制作方法,包括:在衬底上形成LED发光单元,所述LED发光单元包括驱动电极;在所述LED发光单元上形成重布线层;在所述重布线层上形成驱动芯片晶圆,所述驱动芯片晶圆包括焊盘;其中,所述重布线层包括走线,所述驱动电极通过所述走线与所述焊盘电连接。
[0006]在一些实施例中,在所述LED发光单元上形成重布线层的步骤包括:通过光刻工艺,在驱动电极上形成焊料凸点;沉积走线金属材料,通过光刻工艺对所述走线金属材料进行刻蚀,形成走线;沉积绝缘层,通过光刻工艺对所述绝缘层进行刻蚀,形成绝缘层的图形。
[0007]在一些实施例中,所述走线金属材料为铜或铝。
[0008]在一些实施例中,所述绝缘层为氧化硅或氮化硅。
[0009]在一些实施例中,所述焊料凸点为锡银球。
[0010]在一些实施例中,所述驱动芯片晶圆为CMOS晶圆。
[0011]在一些实施例中,在衬底上形成LED发光单元的步骤,包括:通过光刻工艺,在衬底上依次形成LED发光单元的GaN外延层和发光外延层;沉积钝化层,通过光刻工艺对所述钝化层进行刻蚀,形成钝化层的图形;沉积金属材料,通过光刻工艺对所述金属材料进行刻蚀,形成LED发光单元的阳极和阴极。
[0012]在一些实施例中,所述LED发光单元包括红色LED发光单元、绿色LED发光单元和蓝色LED发光单元。
[0013]第二方面,本专利技术实施例还提供一种显示面板,所述显示面板通过上述的显示面板的制作方法制成。
[0014]在一些实施例中,所述显示面板为Micro LED显示面板。
[0015]本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法,首先在衬底上形成LED发光单元,形成LED晶圆,然后在LED发光单元上形成重布线层(ReDistribution Layer,RDL),最后在重布线层上形成驱动芯片晶圆,通过重布线层中的走线,使LED发光单元的电极与驱动芯片晶圆的焊盘电连接。通过将LED晶圆当做衬底,利用重布线层技术反向制作驱动芯片晶圆,无需使用键合工艺,且可以省去键合前的化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺,全制程都是芯片制备工艺,可以很好地控制良率,并且避免了键合工艺的不稳定对准风险,可以实现更好的互联,解决了现有技术存在的键合强度和键合良率较低的技术问题。
附图说明
[0016]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本专利技术的实施例,并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1a至图1d为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法的工艺流程图;图2为本专利技术实施例提供中重布线层的局部放大 截面示意图;图3为本专利技术实施例提供中重布线层的平面示意图;图4为本专利技术实施例提供中重布线层的局部放大 平面示意图。
具体实施方式
[0019]为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点,下面将对本专利技术的方案进行进一步描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本专利技术的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0020]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术,但本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施;显然,说明书中的实施例只是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。
[0021]本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法,包括以下步骤:步骤a,如图1a所示,在衬底10上形成LED发光单元20。
[0022]在一些实施例中,衬底10为蓝宝石衬底,LED发光单元20包括红色LED发光单元、绿色LED发光单元和蓝色LED发光单元。首先通过光刻工艺,在衬底上依次形成LED发光单元的GaN外延层和发光外延层;然后沉积钝化层,通过光刻工艺对钝化层进行刻蚀,形成钝化层的图形;再沉积金属材料,通过光刻工艺对金属材料进行刻蚀,形成LED发光单元的驱动电极,驱动电极包括阳极和阴极。形成阳极和阴极后,通常还可以在LED发光单元上覆盖一层平坦层。
[0023]如图2所示,图2仅示出了发光外延层21、阳极22和平坦层23,平坦层23上开设有阳
极通孔,阳极22位于阳极通孔中。
[0024]在其他实施例中,红色LED发光单元、绿色LED发光单元和蓝色LED发光单元也可以分别形成于三个晶圆上,然后通过LED转移技术转移至同一个蓝宝石衬底上。
[0025]步骤b,如图1b所示,在LED发光单元20上形成重布线层30。具体包括以下步骤:如图2至图4所示,首先通过光刻工艺,在阳极21(驱动电极)上形成焊料凸点31;然后通过电化学沉积(Electrochemical Detection,ECD)技术,沉积走线金属材料,通过光刻工艺对走线金属材料进行刻蚀,形成走线32;再通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术沉积绝缘层,通过光刻工艺对绝缘层进行刻蚀,形成绝缘层33的图形。
[0026]步骤c,如图1c所示,在重布线层30上形成驱动芯片晶圆40。
[0027]如图3所示,驱动芯片晶圆40包括焊盘41,阳极22通过走线32与焊盘41电连接。
[0028]在一些实施例中,还包括:步骤d,如图1d所示,去除衬底并翻转。
[0029]将蓝宝石衬底去除并翻转后,仅保留LED发光单元20和驱动芯片晶圆40。
[0030]本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法,首先在衬底上形成LED发光单元,形成LED晶圆,然后在LED发光单元上形成重布线层,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底上形成LED发光单元,所述LED发光单元包括驱动电极;在所述LED发光单元上形成重布线层;在所述重布线层上形成驱动芯片晶圆,所述驱动芯片晶圆包括焊盘;其中,所述重布线层包括走线,所述驱动电极通过所述走线与所述焊盘电连接。2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在所述LED发光单元上形成重布线层的步骤包括:通过光刻工艺,在驱动电极上形成焊料凸点;沉积走线金属材料,通过光刻工艺对所述走线金属材料进行刻蚀,形成走线;沉积绝缘层,通过光刻工艺对所述绝缘层进行刻蚀,形成绝缘层的图形。3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述走线金属材料为铜或铝。4.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述绝缘层为氧化硅或氮化硅。5.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔泽林温海键岳大川蔡世星李小磊伍德民
申请(专利权)人:深圳市奥视微科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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