发光单元转移方法及筛网技术

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光单元转移方法及筛网，能够解决现有技术存在的发光效率受影响的技术问题。该发光单元转移方法包括：制备三种晶圆，三种晶圆上分别形成有三种颜色的发光单元，发光单元表面形成有凸起结构，不同颜色的发光单元上的凸起结构各不相同；利用激光剥离工艺，将发光单元从晶圆上剥离；将发光单元置于转移流体中；通过转移流体，将发光单元转移至筛网上，筛网上形成有三种网洞，分别与三种凸起结构相匹配，发光单元上的凸起结构嵌入相匹配的网洞中；将筛网上的发光单元与驱动芯片进行键合，并将凸起结构与发光单元脱离。发光单元脱离。发光单元脱离。

【技术实现步骤摘要】
发光单元转移方法及筛网


[0001]本公开涉及显示
，特别涉及一种发光单元转移方法及筛网。

技术介绍

[0002]高分辨率的全彩化微发光二极管（Micro
‑
light emitting diodes，Micro
‑
LED）显示芯片是AR/VR设备的核心部件之一，一个高分辨率的全彩发光芯片由数百万个独立的红绿蓝（RGB）发光单元组成。目前，以巨量转移技术为代表的全彩化方法得到了广泛应用，巨量转移技术包含两个关键性步骤，一是将RGB三色Micro
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LED从生长基板上剥离，二是将剥离出来的RGB子像素拾取，并对准排列制备出全彩Micro
‑
LED。
[0003]现有技术中主要有三种转移技术：
①
接触式转移技术，利用物理粘附力（范德华力、静电力等）吸附RGB发光单元并转移到接收基板上，其转移准确率高，但是其转移速率较低，难以同时满足成百万个发光单元的转移需求；
②
非接触式激光转移技术，利用激光剥离RGB发光单元，使其掉落到接收基板上，该方法转移速率高，但是其准确率较低，需要对大量坏点进行修复，工作量巨大。
[0004]③
流体自组装技术，利用流体作为传输介质，再利用磁力进行对准定位，兼具高速率和高准确率的优点，但是该方法需要在RGB发光单元上引入磁性材料，磁性材料会影响LED载流传输以及发光效率。
[0005]因此，现有的流体自组装转移技术具备高速率和高准确率的优点，但存在发光效率受影响的技术问题。

技术实现思路

[0006]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种发光单元转移方法及筛网，能够解决现有技术存在的发光效率受影响的技术问题。
[0007]第一方面，本公开实施例提供一种发光单元转移方法，包括：制备三种晶圆，三种晶圆上分别形成有三种颜色的发光单元，发光单元表面形成有凸起结构，不同颜色的发光单元上的凸起结构各不相同；利用激光剥离工艺，将发光单元从晶圆上剥离；将发光单元置于转移流体中；通过转移流体，将发光单元转移至筛网上，筛网上形成有三种网洞，分别与三种凸起结构相匹配，发光单元上的凸起结构嵌入相匹配的网洞中；将筛网上的发光单元与驱动芯片进行键合，并将凸起结构与发光单元脱离。
[0008]在一些实施例中，通过转移流体，将发光单元转移至筛网上的步骤，包括：将携带有发光单元的转移流体流经筛网表面，将发光单元转移至筛网；通过光学检测或流量检测，检测筛网是否填满发光单元。
[0009]在一些实施例中，还包括：
形成发光单元的阴极以及保护层。
[0010]在一些实施例中，不同颜色的发光单元上的凸起结构形状相同、且尺寸不同，或者，不同颜色的发光单元上的凸起结构形状不同。
[0011]在一些实施例中，网洞内壁形成有倒刺结构。
[0012]在一些实施例中，还包括制作筛网：形成金属网板上表面的上树脂层和上保护层，以及金属网板下表面的下树脂层和下保护层；对所述上树脂层、所述上保护层、所述金属网板、所述下树脂层和所述下保护层进行刻蚀，形成网洞；对所述上树脂层、所述上保护层、所述下树脂层和所述下保护层进行刻蚀，在所述网洞内壁形成凸台；对所述凸台进行金属切削或选择性刻蚀，形成倒刺结构。
[0013]第二方面，本公开实施例还提供一种应用于上述发光单元转移方法的筛网，包括金属网板，所述金属网板上形成有三种网洞，分别与三种凸起结构相匹配。
[0014]在一些实施例中，还包括形成于所述金属网板上表面的上树脂层和上保护层，以及形成于所述金属网板下表面的下树脂层和下保护层。
[0015]在一些实施例中，所述网洞内壁形成有倒刺结构。
[0016]在一些实施例中，所述筛网的厚度为1.5
‑
3μm。
[0017]本公开实施例提供的发光单元转移方法，包括制备三种晶圆，三种晶圆上分别形成有三种颜色的发光单元，发光单元表面形成有凸起结构，不同颜色的发光单元上的凸起结构各不相同；利用激光剥离工艺，将发光单元从晶圆上剥离；将发光单元置于转移流体中；通过转移流体，将发光单元转移至筛网上，筛网上形成有三种网洞，分别与三种凸起结构相匹配，发光单元上的凸起结构嵌入相匹配的网洞中；将筛网上的发光单元与驱动芯片进行键合，并将凸起结构与发光单元脱离。本公开实施例在不同颜色的发光单元表面形成不同的凸起结构，并在筛网上形成相应的三种网洞，使转移流体中发光单元上的凸起结构嵌入相匹配的网洞中，实现了每种颜色的发光单元转移至正确的位置，而且不需要在发光单元中引入磁性材料，避免了发光单元的发光效率受到影响，从而解决了现有技术存在的发光效率受影响的技术问题。
附图说明
[0018]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
[0019]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1a至图1e为本公开实施例提供的发光单元转移方法的工艺流程图；图2为本公开实施例提供中筛网的平面示意图；图3为本公开实施例提供中筛网的另一平面示意图；图4为本公开实施例提供中筛网的又一平面示意图；
图5a至图5d为本公开实施例提供的筛网的制作工艺流程图。
具体实施方式
[0021]为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0022]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0023]本公开实施例提供的发光单元转移方法，包括：制备三种晶圆，三种晶圆上分别形成有三种颜色的发光单元，发光单元表面形成有凸起结构，不同颜色的发光单元上的凸起结构各不相同；利用激光剥离工艺，将发光单元从晶圆上剥离；将发光单元置于转移流体中；通过转移流体，将发光单元转移至筛网上，筛网上形成有三种网洞，分别与三种凸起结构相匹配，发光单元上的凸起结构嵌入相匹配的网洞中；将筛网上的发光单元与驱动芯片进行键合，并将凸起结构与发光单元脱离。
[0024]本公开实施例在不同颜色的发光单元表面形成不同的凸起结构，并在筛网上形成相应的三种网洞，使转移流体中发光单元上的凸起结构嵌入相匹配的网洞中，实现了每种颜色的发光单元转移至正确的位置，而且不需要在发光单元中引入磁性材料，避免了发光单元的发光效率受到影响，从而解决了现有技术存在的发光效率受影响的技术问题。
[0025]在一些实施例中，发光单元转移方法具体包括以下步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光单元转移方法，其特征在于，包括：制备三种晶圆，三种晶圆上分别形成有三种颜色的发光单元，发光单元表面形成有凸起结构，不同颜色的发光单元上的凸起结构各不相同；利用激光剥离工艺，将发光单元从晶圆上剥离；将发光单元置于转移流体中；通过转移流体，将发光单元转移至筛网上，筛网上形成有三种网洞，分别与三种凸起结构相匹配，发光单元上的凸起结构嵌入相匹配的网洞中；将筛网上的发光单元与驱动芯片进行键合，并将凸起结构与发光单元脱离。2.根据权利要求1所述的发光单元转移方法，其特征在于，通过转移流体，将发光单元转移至筛网上的步骤，包括：将携带有发光单元的转移流体流经筛网表面，将发光单元转移至筛网；通过光学检测或流量检测，检测筛网是否填满发光单元。3.根据权利要求1所述的发光单元转移方法，其特征在于，还包括：形成发光单元的阴极以及保护层。4.根据权利要求1所述的发光单元转移方法，其特征在于，不同颜色的发光单元上的凸起结构形状相同、且尺寸不同，或者，不同颜色的发光单元上的凸起结构形状不同。5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈良键，崔泽林，岳大川，蔡世星，林立，李小磊，伍德民，
申请(专利权)人：深圳市奥视微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：