一种红光灯珠的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种红光灯珠的制作方法，其包括如下步骤：将所述蓝光芯片贴装在发光区上；在所述发光区中覆盖一层透明胶层，使所述透明胶层平整且包覆所述蓝光芯片；将半成品在80℃下固化，固化时间为30min；在所述发光区中覆盖一层荧光胶层，使所述荧光胶层平整且覆盖在所述透明胶层的上方；将所述荧光胶层进行离心沉淀处理，使所述荧光胶层的荧光粉在所述透明胶层的外表面形成沉降层，且所述沉降层的上方形成硅胶透明层；将经上述步骤处理后获得的产品进行烘烤，完成封装。本发明专利技术能够切实地解决现有技术对于红光灯珠亮度较低、色纯度较低的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种红光灯珠的制作方法


[0001]本专利技术属于LED
，具体涉及一种红光灯珠的制作方法。

技术介绍

[0002]现有技术的红光灯珠在制作时，一般为在支架上贴装蓝光芯片，并在蓝光芯片上点涂一层荧光胶层，荧光胶层需充满支架。其中，荧光胶由胶水与包含在胶水内的荧光粉组成，荧光粉通常为氮化物，同时胶水能够实现对蓝光芯片的封装。在使用时，蓝光芯片搭配荧光胶激发出色光。但是这种结构形式存在以下缺点：(1)、荧光粉在胶水中混合不均匀且过于分散的情况，进而容易造成激发出的色光的亮度和色纯度低的缺点，使用效果不佳；(2)、荧光粉为氮化物时，所激发出色光的饱和度较低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种红光灯珠的制作方法，能够切实地解决现有技术对于红光灯珠亮度较低、色纯度较低的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案如下：
[0005]一种红光灯珠的制作方法，其包括如下步骤：
[0006]步骤S1：提供支架和蓝光芯片，所述支架包括基板和包覆在所述基板上的绝缘体，所述绝缘体在所述基板的上方形成有围坝，所述围坝的中部为发光区；将所述蓝光芯片贴装在发光区上；
[0007]步骤S2：在所述发光区中覆盖一层透明胶层，使所述透明胶层平整且包覆所述蓝光芯片；
[0008]步骤S3：将经所述步骤S2处理后的半成品在80℃下固化，固化时间为30min；
[0009]步骤S4：在所述发光区中覆盖一层荧光胶层，使所述荧光胶层平整且覆盖在所述透明胶层的上方；
[0010]步骤S5：将所述荧光胶层进行离心沉淀处理，使所述荧光胶层的荧光粉在所述透明胶层的外表面形成沉降层，且所述沉降层的上方形成硅胶透明层；
[0011]步骤S6：将经所述步骤S5处理后获得的产品进行烘烤，完成封装。
[0012]作为本专利技术的优选方案，所述步骤S2中，所述透明胶层的折射率为1.55且透光率为99％。
[0013]作为本专利技术的优选方案，所述步骤S2中，所述透明胶层由扩散粉、第一A硅胶和第一B硅胶组成；其中，扩散粉、第一A硅胶和第一B硅胶的重量比为0.02：0.2：2。
[0014]作为本专利技术的优选方案，所述扩散粉的粒径为3μm～5μm。
[0015]作为本专利技术的优选方案，所述步骤S4中，所述荧光胶层由荧光粉、第二A硅胶和第二B硅胶组成；其中，荧光粉为氟化物且波段在630nm以上；荧光粉、第二A硅胶和第二B硅胶的重量比为1～1.7：0.2：2。
[0016]作为本专利技术的优选方案，所述步骤S2中，所述透明胶层的外表面到所述蓝光芯片
的外表面的距离为50μm。
[0017]作为本专利技术的优选方案，所述蓝光芯片搭配所述透明胶层和所述荧光胶层所激发出的色光的亮度为26LM。
[0018]作为本专利技术的优选方案，所述蓝光芯片搭配所述透明胶层和所述荧光胶层所激发出的色光的半波宽为7.1nm。
[0019]作为本专利技术的优选方案，所述蓝光芯片搭配所述透明胶层和所述荧光胶层所激发出的色光的峰值波长为630nm。
[0020]作为本专利技术的优选方案，所述步骤S1中，所述基板在所述发光区的底面形成有焊盘，所述蓝光芯片通过固晶胶贴装在所述焊盘上。
[0021]实施本专利技术提供的一种红光灯珠的制作方法，与现有技术相比，其有益效果在于：
[0022]采用本专利技术的红色灯珠的制作方法，在制作完成后，蓝光芯片能够依次经透明胶层、沉降层和硅胶透明层激发出相应的色光。首先，在所述发光区中覆盖一层透明胶层，使所述透明胶层平整且包覆所述蓝光芯片，这样的操作，由于透明胶层的折射率和透光率较高，故能够使得光路进一步发散，光效得到提高；其次，在透明胶层初步固化后，在所述发光区中覆盖一层荧光胶层，使所述荧光胶层平整且覆盖在所述透明胶层的上方，随后将所述荧光胶层进行离心沉淀处理，使所述荧光胶层的荧光粉在所述透明胶层的外表面形成沉降层，且所述沉降层的上方形成硅胶透明层，这样的操作，由于沉降层形成于透明胶层和硅胶透明层之间，在一个方面，能够使得荧光粉更加均匀且集中，故激发出的色光的亮度和色纯度得到提升，在另一个方面，能够使得荧光粉远离支架的顶部，从而使其不易与外界接触受潮，同时通过硅胶透明层的封存与保护，提高灯珠的使用寿命。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍。
[0024]图1是本专利技术实施例提供的一种红光灯珠的结构示意图；
[0025]图2是使用本专利技术实施例提供的一种红光灯珠的制作方法制作的红光灯珠的光谱图；
[0026]图3是使用现有方法制作的红光灯珠的光谱图。
[0027]图中标记：
[0028]1、支架；11、基板；12、绝缘体；2、发光区；3、蓝光芯片；4、透明胶层；5、荧光胶层；51、沉降层；52、硅胶透明层；6、焊盘。
具体实施方式
[0029]下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。
[0030]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。应当理解的是，本专利技术中采用术语“第一”、
“
第二”等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语，这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本专利技术范围的情况下，“第一”信息也可以被称为“第二”信息，类似的，“第二”信息也可以被称为“第一”信息。
[0031]如图1所示，本专利技术优选实施例提供了一种红光灯珠的制作方法，其包括如下步骤：
[0032]步骤S1：提供支架1和蓝光芯片3，所述支架1包括基板11和包覆在所述基板11上的绝缘体12，所述绝缘体12在所述基板11的上方形成有围坝，所述围坝的中部为发光区2；将所述蓝光芯片3贴装在发光区2上；
[0033]步骤S2：在所述发光区2中覆盖一层透明胶层4，使所述透明胶层4平整且包覆所述蓝光芯片3；
[0034]步骤S3：将经所述步骤S2处理后的半成品在80℃下固化，固化时间为30min；
[0035]步骤S4：在所述发光区2中覆盖一层荧光胶层5，使所述荧光胶层5平整且覆盖在所述透明胶层4的上方；
[0036]步骤S5：将所述荧光胶层5进行离心沉淀处理，使所述荧光胶层5的荧光粉在所述透明胶层4的外表面形成沉降层51，且所述沉降层51的上方形成硅胶透明层52；
[0037]步骤S6：将经所述步骤S5处理后获得的产品进行烘烤，完成封装。
[0038]由此，采用本专利技术的红色灯珠的制作方法，在制作完成后，蓝光芯片3能够依次经透明胶层4、沉降层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红光灯珠的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：提供支架和蓝光芯片，所述支架包括基板和包覆在所述基板上的绝缘体，所述绝缘体在所述基板的上方形成有围坝，所述围坝的中部为发光区；将所述蓝光芯片贴装在发光区上；步骤S2：在所述发光区中覆盖一层透明胶层，使所述透明胶层平整且包覆所述蓝光芯片；步骤S3：将经所述步骤S2处理后的半成品在80℃下固化，固化时间为30min；步骤S4：在所述发光区中覆盖一层荧光胶层，使所述荧光胶层平整且覆盖在所述透明胶层的上方；步骤S5：将所述荧光胶层进行离心沉淀处理，使所述荧光胶层的荧光粉在所述透明胶层的外表面形成沉降层，且所述沉降层的上方形成硅胶透明层；步骤S6：将经所述步骤S5处理后获得的产品进行烘烤，完成封装。2.根据权利要求1所述的红光灯珠的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述透明胶层的折射率为1.55且透光率为99％。3.根据权利要求1所述的红光灯珠的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述透明胶层由扩散粉、第一A硅胶和第一B硅胶组成；其中，扩散粉、第一A硅胶和第一B硅胶的重量比为0.02：0.2：2。4.根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：易巨荣，刘晓丽，林汝和，周建华，张振强，
申请(专利权)人：广东聚科照明股份有限公司，
类型：发明
国别省市：