一种多量子阱层及其制备方法、外延片及LED芯片技术

本发明专利技术公开了一种多量子阱层及其制备方法、外延片及LED芯片，该方法包括：提供一外延结构，外延结构包括应力释放层；在应力释放层之上制作多量子阱层，多量子阱层为InGaN量子阱层与GaN量子垒层交替生长的周期性结构；其中，制作InGaN量子阱层时，第一个周期中InGaN量子阱层的生长温度为一初始温度，多量子阱层的若干周期中，后一周期中InGaN量子阱层的生长温度均较前一周期中InGaN量子阱层高x℃，0.1≤x≤0.6。解决了InGaN阱层与GaN磊层之间存在势垒差异，使能带弯曲导致多量子阱层中产生极化现象，且周期越往后极化现象越严重、波长越长，导致波长不集中，限制了LED芯片的发光亮度的问题。亮度的问题。亮度的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种多量子阱层及其制备方法、外延片及LED芯片


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种多量子阱层及其制备方法、外延片及LED芯片。

技术介绍

[0002]LED芯片是一种能发光的半导体电子元件，具有体积小、亮度高、能耗小等特点，被广泛应用于照明等领域。LED芯片由LED外延片裂片得到，LED外延片包括衬底及在衬底上生长的外延层。
[0003]当前阶段，常使用蓝宝石、硅或碳化硅等材料作为衬底。随着不同应用领域的扩展，LED芯片的波长集中度以及亮度是一直追求提升的课题。
[0004]其中，外延片的多量子阱层，通常包括InGaN阱层与GaN垒层，然而，多量子阱层的生长过程中，由于InGaN阱层的势垒较低，而GaN磊层的势垒较高，这将使得能带弯曲导致多量子阱层中产生极化现象，且周期越往后极化现象越严重、波长越长，导致波长不集中，限制了LED芯片的发光亮度。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种多量子阱层及其制备方法、外延片及LED芯片，旨在解决现有技术中InGaN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多量子阱层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一外延结构，所述外延结构包括应力释放层；在所述应力释放层之上制作多量子阱层，所述多量子阱层为InGaN量子阱层与GaN量子垒层交替生长的周期性结构；其中，制作所述InGaN量子阱层时，第一个周期中InGaN量子阱层的生长温度为一初始温度，所述多量子阱层的若干周期中，后一周期中InGaN量子阱层的生长温度均较前一周期中InGaN量子阱层高x℃，0.1≤x≤0.6。2.根据权利要求1所述的多量子阱层的制备方法，其特征在于，所述多量子阱层为6
‑
14周期的InGaN量子阱层与GaN量子垒层交替生长的周期性结构，所述InGaN量子阱层的数量为m个，所述GaN量子垒层的数量为m+1个。3.根据权利要求2所述的多量子阱层的制备方法，其特征在于，后一周期中InGaN量子阱层的生长温度均较前一周期中InGaN量子阱层高x℃，0.2≤x≤0.4。4.根据权利要求3所述的多量子阱层的制备方法，其特征在于，每一周期中，所述InGaN量子阱层的厚度为2
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4nm，所述GaN量子垒层的厚度为8
‑
12nm。5.根据权利要求1所述的多量子阱层的制备方法，其特征在于，所述应力释放层为InGaN层与GaN层交替生长的周期性结构。6.根据权利要求1所述的多量子阱层的制备方法，其特征在于，在一应力释放层之上制作多量子阱层的步骤，具体包括：a）控制反应室温度保持850
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1150℃，气压保持为100
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300torr；b）分别通入氮气、氨...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春杨，吕蒙普，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：