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本发明公开了一种多量子阱层及其制备方法、外延片及LED芯片，该方法包括：提供一外延结构，外延结构包括应力释放层；在应力释放层之上制作多量子阱层，多量子阱层为InGaN量子阱层与GaN量子垒层交替生长的周期性结构；其中，制作InGaN量子阱层...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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