【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着科学技术的发展，半导体结构引起了人们越来越多的关注。
2、肖特基二极管是一种重要的半导体结构，其具有可靠性好、电路设计容易等优点，广泛应用于电力电子、微波射频等领域。肖特基二极管的一个重要技术指标是二极管反向击穿电压，二极管反向击穿电压限制了器件的性能及可靠性。在制作垂直型肖特基二极管时，很多因素会影响反向击穿电压，如在运用刻蚀工艺时会损坏界面导致界面杂质的引入。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种半导体结构及其制备方法，能够避免界面杂质的引入。
2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：
3、第一半导体层，所述第一半导体层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面形成多个第一凸起；
4、第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第一半导体层上，所述第二半导体层背向所述第一半导体层的表面形成多个第二凸起，所述第二凸起与所述第一凸起对应，相邻的两个所述第二凸起之间形成有第二凹槽；所述第二半导体层与所述第一半导体层的导电类型相同，所述第二半导体层的掺杂浓度小于所述第一半导体层的掺杂浓度；
5、第三半导体层，所述第三半导体层形成在所述第二半导体层上，所述第三半导体层与所述第一半导体层的导电类型相反。
6、进一步地，所述第一半导体层与所述第二半导体层之间设有缓冲层。
7、进一步地，所述第三半导体层背向所述第二半导体层的
8、进一步地，所述第三半导体层背向所述第二半导体层的表面为平面，填平所述第二凹槽。
9、进一步地，还包括第四半导体结构，所述第三半导体层为网状，网眼处对应所述第二凸起，所述第四半导体结构形成在所述第二凸起上，所述第四半导体结构与所述第一半导体层的导电类型相同，与所述第三半导体层导电类型相反。
10、进一步地，所述第一凸起的水平投影为圆形，生长所述第二半导体层之后，所述第二凸起的水平投影为六边形。
11、进一步地，所述第三半导体层背向所述第二半导体层的表面保形地形成多个第三凸起，所述第三凸起与所述第二凸起对应；所述第一凸起、所述第二凸起以及所述第三凸起呈条形。
12、进一步地，还包括：
13、源极、栅极以及漏极，所述源极设于所述第四半导体结构上，所述栅极设于所述第三半导体层的顶面，所述漏极设于所述第一半导体层的所述第二表面。
14、进一步地，还包括：
15、第一电极，设于所述第二凸起的顶面；
16、第二电极，设于所述第一半导体层的第二表面。
17、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的制备方法，包括：
18、提供第一半导体层，所述第一半导体层包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面形成多个第一凸起；
19、形成覆盖所述第一表面的第二半导体层，所述第二半导体层背向所述第一半导体层的表面保形地形成多个第二凸起，所述第二凸起与所述第一凸起对应，相邻的两个所述第二凸起之间形成有第二凹槽；所述第二半导体层与所述第一半导体层的导电类型相同，所述第二半导体层的掺杂浓度小于所述第一半导体层的掺杂浓度；
20、形成覆盖所述第二半导体层的第三半导体层。
21、进一步地，还包括，
22、形成覆盖所述第三半导体层的掩模层；
23、在所述掩模层上形成窗口，所述窗口暴露所述第三半导体层位于所述第二凸起的顶面的部分；
24、刻蚀所述第三半导体层位于所述第二凸起的顶面的部分，以暴露所述第二凸起的顶面。
25、进一步地，所述半导体结构的制备方法还包括：
26、在所述第二凸起的顶面形成第四半导体结构。
27、进一步地，所述第三半导体层背向所述第二半导体层的表面保形地形成多个第三凸起，所述第三凸起与所述第二凸起对应。
28、进一步地，所述第三半导体层背向所述第二半导体层的表面为平面，填平所述第二凹槽。
29、进一步地，所述第一表面形成多个第一凸起包括：
30、刻蚀所述第一表面以形成多个第一凸起；或者
31、在一图形化衬底的表面保形地生长所述第一半导体层，以在所述第一半导体层上形成多个第一凸起。
32、进一步地，所述半导体结构的制备方法还包括：
33、形成源极、栅极以及漏极，所述源极设于所述第二凸起的顶面以与所述第二半导体层接触，所述栅极设于所述第三半导体层的顶面，所述漏极设于所述第一半导体层的所述第二表面。
34、进一步地，所述半导体结构的制备方法还包括：
35、在所述第二凸起的顶面形成与所述第三半导体层接触的第一电极；
36、在所述第一半导体层的第二表面形成第二电极。
37、本公开的半导体结构及其制备方法，第二半导体层形成于第一半导体层的第一表面，由于第一表面形成有第一凸起，从而使第二半导体层背向第一半导体层的一侧形成第二凸起，相比于通过刻蚀形成第二凸起的方法，避免了第二半导体层受到的刻蚀损伤，进而避免第二半导体层和第三半导体层界面之间的损伤，避免界面杂质的引入。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体层(1)与所述第二半导体层(2)之间设有缓冲层(9)。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三半导体层(3)背向所述第二半导体层(2)的表面地形成多个与所述第二凸起(202)对应的第三凸起(302)。
4.权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三半导体层(3)背向所述第二半导体层(2)的表面为平面，填平所述第二凹槽(201)。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括第四半导体结构(8)，所述第三半导体层(3)为网状，网眼处对应所述第二凸起(202)，所述第四半导体结构(8)形成在所述第二凸起(202)上，所述第四半导体结构(8)与所述第一半导体层(1)的导电类型相同，与所述第三半导体层(3)导电类型相反。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凸起(102)的水平投影为圆形，生长所述第二半导体层(2)之后，所述第二凸起(202)的水平投影为六边形。
8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括，
12.根据权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括：
13.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第三半导体层(3)背向所述第二半导体层(2)的表面保形地形成多个第三凸起(302)，所述第三凸起(302)与所述第二凸起(202)对应。
14.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第三半导体层(3)背向所述第二半导体层(2)的表面为平面，填平所述第二凹槽(201)。
15.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一表面形成多个第一凸起(102)包括：
16.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括：
17.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体层(1)与所述第二半导体层(2)之间设有缓冲层(9)。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三半导体层(3)背向所述第二半导体层(2)的表面地形成多个与所述第二凸起(202)对应的第三凸起(302)。
4.权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三半导体层(3)背向所述第二半导体层(2)的表面为平面，填平所述第二凹槽(201)。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括第四半导体结构(8)，所述第三半导体层(3)为网状，网眼处对应所述第二凸起(202)，所述第四半导体结构(8)形成在所述第二凸起(202)上，所述第四半导体结构(8)与所述第一半导体层(1)的导电类型相同，与所述第三半导体层(3)导电类型相反。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凸起(102)的水平投影为圆形，生长所述第二半导体层(2)之后，所述第二凸起(202)的水平投影为六边形。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三半导体层(3)背向所述第二半导体层(2)的表面保形地形成多个第三凸起(302)，所述第三凸起(302)与所述第二凸起(202)对应；所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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