本发明涉及一种适用于转接板的TSV结构及其制备方法，包括衬底；特征是：在所述衬底上设有TSV深孔，在TSV深孔的侧壁及底壁上设置第一绝缘层，在第一绝缘层表面设置第二绝缘层，在第二绝缘层表面设置扩散阻挡层，在扩散阻挡层表面设置种子层，在T...

本发明提供一种用于临时键合的载片结构，包括一载片晶圆，在载片晶圆上表面开有凹槽，所述凹槽的内壁以及所述凹槽四周的载片晶圆外圈上表面经过去粘性处理；填充胶填充在所述凹槽内并被固化；器件晶圆通过临时键合胶与固化后的填充胶上表面和载片晶圆外圈...

一种TSV露头结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底内设有至少一个TSV导电柱，该TSV导电柱贯穿于衬底正面和衬底背面之间，并延伸出衬底背面上形成露头部分，所述衬底背面与TSV露头部分相连的区域设有坡形的缓冲区，该缓冲区具有连续的高度变化...

本实用新型提供了一种柔性基板多层封装装置，可以有效减小封装后柔性基板的整体体积，其技术方案是这样的：一种柔性基板多层封装装置，其包括两侧的U形封装头，所述两侧的封装头可以相向运动，其特征在于：所述U形封装头纵向交错布置，所述一侧U形封装...

本实用新型提供了一种改进的柔性基板封装装置，可以有效减小柔性基板封装后封装体的体积，其包括两侧的U形封装头，所述两侧的封装头可以相向运动，其特征在于：所述两侧的U形封装头大小不等，所述两侧的U形封装头中一端对应，所述小封装头的另一端与所...

本实用新型提供了一种柔性基板封装的装置，可以适用于自动化的封装，使得封装工艺简单、强度较小，提高封装效率，大大降低封装成本，其特征在于：其包括两侧的一定形状的封装头，所述封装头通过滑动装置连接，所述两侧的封装头可以相向运动。

本发明公开了一种带电源噪声隔离的芯片封装结构，其包括，第一封装元件，其包括具有相对的第一表面和第二表面的第一基板和安装于第一基板的第一表面上的第一半导体芯片；所述第一基板设置有第一整体隔离功能结构；所述第一整体隔离功能结构包括第一电磁带...

本发明公开了一种多层芯片堆叠结构，至少包含三层芯片，中间层芯片内包含TSV，在至少一个中间层芯片之外区域加工有穿透介质层的金属柱，直接实现非邻近层的通讯。还公开了两种多层芯片堆叠的实现方法，本发明在使用TSV的同时，在中间层芯片之外的区...

本发明提供一种包含铜柱的细间距叠层封装结构，包括下封装体和上封装体。下封装体包括下基板，第一芯片安装在下基板上表面的芯片封装区并与下基板电连接；在下基板上表面的焊接区制作有铜柱，在铜柱上植有第一焊球；第一焊球和下基板的上表面被封装材料预...

本发明提供了一种柔性基板封装结构，可以有效防止灌封材料的泄露，避免了泄露的灌封材料对基板其他区域构成污染，保证了后续的植球及测试工艺的正常进行，其包括柔性基板，所述柔性基板上中央芯片、第一芯片和第二芯片，其特征在于：所述中央芯片上对应所...

本发明提供了一种柔性基板封装结构，可以有效防止灌封材料的泄露，避免了泄露的灌封材料对基板其他区域构成污染，保证了后续的植球及测试工艺的正常进行，其包括柔性基板，所述柔性基板上设置有中央芯片、第一芯片和第二芯片，其特征在于：所述第一芯片连...

本发明提供了一种柔性基板封装结构，可以有效避免了柔性基板弯折封装结构的翘曲变形，提高了柔性基板弯折封装的可靠性，保证了后续的植球及测试工艺的正常进行，其包括柔性基板，所述柔性基板上设置有多块芯片，所述多块芯片通过所述柔性基板弯曲后呈叠加...

本发明涉及一种硅通孔内通过热氧化形成超厚绝缘层的方法，其针对的问题是在热氧化方法生成二氧化硅绝缘层的过程中，氧化层厚度超过1微米后，氧化速度降低很多，难以形成更加厚的氧化硅绝缘层。本发明通过在衬底(10)内，形成孔(101)以及环形硅区...

本发明提供了一种用于柔性基板封装的简易弯折装置，其包括底板，所述底板端部设置有可旋转的弯折杆，所述弯折杆包括旋转头和弯折头，所述弯折头为带有间隙的叉杆结构。可以简单、方便地实现柔性基板的弯曲，降低了劳动强度和生产成本，而且有效地提高了产...

本发明提供一种包含转接板的测试结构，包括转接板；测试芯片键合在转接板的正面；测试芯片与转接板之间分布有微凸点，以使得测试芯片与转接板间形成电连接；转接板中设置有填充了导电材料的硅通孔；转接板的正面和/或背面上设置有一级测试点。进一步地，...

本发明涉及一种微电子加工工艺中的TSV结构的背面露头技术，在利用背面研磨工艺处理对TSV的晶圆衬底背面减薄至距离TSV铜柱底部1-10um范围之后，利用CMP工艺处理晶圆衬底背面，直到TSV铜柱从背面露出，然后对晶圆衬底背面露出的铜柱端...

本发明涉及微电子技术领域一种制造或处理半导体或固体器件的方法，具体涉及一种微电子加工工艺中的高深宽比TSV形貌测量方法。方法的要点在于利用填充材料填充高深宽比TSV，使其在在孔内固化成型，然后从孔中取出呈凸起状结构的填充材料，并通过三维...

本发明公开了一种晶圆拆键合工艺及系统，该工艺包括以下步骤：S1、采用临时键合胶将器件晶圆与载片晶圆进行键合，形成临时键合体；S2、对临时键合体上的器件晶圆进行背面加工工序；S3、通过厚度测量装置测量得到临时键合胶所在的高度位置；S4、根...

本发明提供了一种TSV孔底部介质层刻蚀方法，对于小孔径的TSV孔，可以降低了TSV孔底部介质层刻蚀难度，避免了刻蚀过程中对TSV侧壁绝缘层材料造成损伤。其包括以下步骤：（1）对拥有IC器件晶圆进行背面减薄；（2）在拥有IC器件晶圆的背面...

本发明公开了一种堆叠封装器件，其包括：第一封装元件，其包括第一基板和安装于第一基板上的第一半导体晶片；第二封装元件，其包括第二基板和安装于第二基板上的第二半导体晶片；夹持于第一基板的下表面和第二基板的上表面之间的互连部件，其包括与第一基...