本发明涉及一种提高QFN封装引线框架制备工艺中引线框架硬度的方法，其包括如下步骤：a、提供基板及金属连接层，金属连接层内设有隔离空隙；b、在上述基板的正面上设置支撑介质层；c、在基板的背面设置掩膜层，并得到贯通所述掩膜层的刻蚀孔；d、利...

本发明提供了一种电路板增层结构的制造方法，能够实现线宽小于50um的精细线路的制造，避免使用高成本的绝缘层材料，降低基板的工艺成本，从而降低基板成本。其包括以下步骤：（1）、内层线路制作；（2）、压合铜箔和半固化片并固化；（3）、激光钻...

本发明提供一种电容阵列，包括基体、第一电极和第二电极。所述第一电极和第二电极均呈梳状，设于所述基体的上表面；第一电极的齿部和第二电极的齿部相互交错分布，第一电极的根部和第二电极的根部相对而设于基体上表面；在第一电极和第二电极的齿部与齿部...

本发明提供了一种TSV平坦化方法，包括以下步骤：第一步，采用机械刮平的方式，处理完成TSV电镀的晶圆表面，消除表面凸出或凹坑；第二步，采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式，减薄晶圆表面金属层；第三步，化学机械抛光，去除晶圆表面剩余金属层及扩散...

本发明提供一种免金属CMP的TSV工艺方法，包括：提供晶圆作为衬底，在晶圆中形成盲孔，在晶圆上表面和盲孔的内壁上制作绝缘层；在晶圆上表面和盲孔内壁的绝缘层上制作阻挡层和种子层；在盲孔中填充第二金属材料；利用电化学抛光技术去除填充盲孔过程...

本发明提供一种免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法，包括以下主要步骤：在晶圆中形成盲孔，并在晶圆上表面和盲孔的内壁上制作绝缘层；在绝缘层上制作阻挡层和种子层；在盲孔中填充第二金属材料；利用电化学抛光技术去除填充盲孔过程中在晶圆表...

本发明提供一种真空预湿腔内晶圆把持装置，包括设于预湿腔顶部的腔盖，所述腔盖下连接有垫片，腔盖倾斜设置，相对于水平面具有一夹角；所述垫片下连接有数根吊柱；各吊柱的底部均向内弯折，共同构成承载晶圆的晶圆放置部。进一步地，所述吊柱底部向内弯折...

本发明提供一种基于TSV制程的真空预湿装置，包括一预湿腔，在预湿腔上设有腔盖，预湿腔内设有晶圆放置区；预湿腔通过气体管道连接一真空泵。在腔体侧壁上连接有一段进排气共用管道，在进排气共用管道上设有压力检测传感器；进排气共用管道分别连接进气...

本发明提供了一种混合键合实现方法，包括如下步骤：（1）在衬底表面制作金属凸块；（2）在衬底表面涂覆介质层，覆盖所述金属凸块；（3）采用机械刮平的方式，处理衬底表面，使衬底表面金属凸块和介质层表面在一个平面上；（4）使采用以上方法制作的两...

本发明公开了一种基于有机基板技术的封装工艺及封装结构，所述封装工艺其包括，提供一有机基板，所述有机基板具有第一主面和与第一主面相对的第二主面；在有机基板第一主面形成金属槽，所述金属槽的尺寸与待封装的芯片的尺寸相适应；将所述芯片安装于所述...

本发明公开了一种嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺及封装结构，所述封装工艺包括：形成次级封装组件；自所述次级封装组件的第一主面和第二主面对应所述凸点进行盲孔开窗口并钻盲孔至所述凸点处；在所述次级封装组件上开设通孔，所述通孔贯穿所述次级封装...

本发明涉及一种多圈QFN封装引线框架制备方法，属于半导体封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述多圈QFN封装引线框架制备方法，所述封装引线框架制备方法包括如下步骤：a、提供基板，并在所述基板的正面上设置形成所需的引脚图形；b、利...

本发明提供了一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法，包括以下步骤：对已经完成TSV电镀填充的衬底，采用机械刮平的方式处理衬底表面，消除表面金属层的凸出或凹坑；采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式，减薄衬底表面金属层；光刻获得第一...

本发明涉及一种TSV背部连接端的制造方法，其步骤为：将已经完成TSV结构制造的衬底的背面减薄，使得TSV背面端头突出于衬底背部表面；在衬底背面涂覆聚合物材料并固化；采用表面机械刮平的方式，将衬底背部表面的聚合物材料去除一定厚度，从背面暴...

本发明提供了一种混合键合实现方法，包括如下步骤：（1）在衬底表面沉积介质层，并进行图形化处理，获得图形化结构；（2）在衬底表面沉积粘附层和种子层，并电镀填充所述图形化结构；（3）采用机械刮平的方式，处理衬底表面，使衬底表面金属和介质层表...

一种三维封装互连结构及其制作方法，该三维封装互连结构采用以聚合物材料为核心和外围导电层形成导电柱体，对导电柱进行塑封形成垂直互连结构，该发明由于避免了TSV通孔的制作，具有制作简单、成本低廉的优点，且，由于聚合物硬度较低，对凸点起到应力...

本发明提供一种晶圆切割方法，其包括：提供晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面；通过镭射切割工艺自所述晶圆的正面向其背面进行切割，以在所述晶圆的正面形成多个切割道；在形成有切割道的晶圆的正面上贴附研磨胶膜；对贴附有研磨胶膜的晶圆进行...

本发明提供一种晶圆切割方法，其包括：提供晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面；依次通过镭射切割工艺和机械切割工艺自所述晶圆的正面向其背面进行切割，以在所述晶圆的正面侧形成多个切割道；在形成有所述切割道的晶圆的正面上贴附研磨胶膜；对...

本发明提供了一种深孔底部绝缘层的刻蚀方法，防止TSV的侧壁和拐角处的绝缘层被刻蚀，有效保护了TSV的侧壁和拐角位置的绝缘层，提高了电的可靠性，其包括以下步骤：（1）对拥有IC器件晶圆进行背面减薄；（2）在拥有IC器件晶圆的背面对应金属焊...

本发明提供一种用于临时键合的载片结构，包括一载片晶圆，在所述载片晶圆的上表面开有凹槽，在所述凹槽底部设有一衬底载片，所述衬底载片的形状和凹槽的形状相匹配，并且衬底载片的厚度小于凹槽的深度；在衬底载片上表面涂覆有一层缓冲胶，所述缓冲胶经过...