本发明提供一种扇出型圆片级封装的制作方法，包括：提供尺寸较小的圆形承载片，在承载片上贴覆粘结胶；芯片正贴到粘结胶上；涂覆价格便宜的第二类感光树脂将芯片覆盖；在第二类感光树脂上露出芯片的有效图形区域；涂覆高解析度的第一类感光树脂将芯片暴露...

本发明提供一种扇出型方片级封装的制作方法，包括：提供尺寸较大的矩形承载片，在承载片上贴覆粘结胶；芯片正贴到粘结胶上；涂覆第二类感光树脂；在第二类感光树脂上露出芯片的有效图形区域；涂覆第一类感光树脂将芯片暴露出的有效图形区域覆盖；在第一类...

本发明提供一种扇出型圆片级封装的制作工艺，包括步骤：提供一适用于晶圆厂设备的圆形承载片，在承载片上贴覆粘结胶；芯片正贴到粘结胶上；涂覆第二类绝缘树脂，第二类绝缘树脂填充芯片之间的沟槽；涂覆第一类感光树脂并将芯片正面覆盖住；在第一类感光树...

本发明针对具有规则阵列结构的光阻墙结构提出一种模块化成型方法，将光阻墙结构版图分割为若干个相同的单元结构，首先制作单元结构，每个单元结构上都具有光阻墙的凸台和凹槽，多个单元结构拼接在一起可以获得整体的光阻墙结构图形。最后将拼接整体进行裁...

本发明提供一种基于刚柔结合印刷电路板三维封装结构的互连结构，包括一柔性印刷电路板，所述柔性印刷电路板弯折成U型结构，在U型结构的上下两个相对的平整部上各压合有至少一块刚性印刷电路板，多个元器件分别安装在上方和下方相对的刚性印刷电路板的内...

本发明提供了一种基于柔性基板的三维多芯片存储系统封装结构，有效保证高速信号线的信号完整性，同时大大降低了晶片材料和封装的成本，从而提高了市场竞争能力，其包括柔性基板，所述柔性基板上设置有第一芯片、第二芯片、电容或者电阻，所述第一芯片和所...

本发明涉及一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法，其包括衬底；所述衬底具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面；所述衬底掺杂区域内设有电容槽，电容槽穿过所述掺杂区域，且电容槽的槽口从第一主面指向第二主面的方向延伸，所述掺杂区...

本发明提供了一种光阻墙成型方法，其使用注塑技术成型一块平板，平板的正面具有相同高度的第一凸台和第二凸台，在第一凸台和第二凸台之间由凹槽分隔；将所述平板正面滚胶并与第一基板压合，再对平板背面进行碾磨减薄，直至第一凸台和第二凸台底部分离；并...

本发明公开了一种高密度和深宽比垂直玻璃通孔的刻蚀方法，以及包含上述刻蚀方法在内的一种刻蚀石英玻璃的系统。通过在玻璃晶圆工件沉积一层适当厚度的掩膜，然后进行反应离子刻蚀在整个工件区域的掩膜上开出一组通孔，随后沉积一层钝化层，因为玻璃的刻蚀...

本发明提供了一种光阻墙成型方法，其使用注塑技术成型一块平板，平板的正面具有第一凸台和第二凸台，在第一凸台和第二凸台之间由凹槽分隔；将所述平板正面滚胶并与第一基板压合，使得所述第一凸台粘贴在所述第一基板上；对平板背面进行碾磨减薄，直至第一...

本发明涉及一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法，属于半导体封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述基于TSV工艺的转接板深槽电容，包括衬底；所述衬底具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面；所述衬底的掺杂区域内设有电...

本发明提供一种扇出型圆片级三维半导体芯片的封装方法，主要包括：承载片正面贴热剥离薄膜及倒装第一层芯片；第一层芯片塑封；在承载片正面涂覆第一绝缘树脂及通过激光钻孔制作导通孔；制作种子层，在种子层上面涂覆光刻胶，使光刻胶上显露出用于制作电镀...

本实用新型公开了一种封装结构，包括，有机基板，在所述有机基板的第一主面上形成有金属槽；芯片，其设置于所述金属槽内；芯片载板，所述芯片载板设置于所述芯片的端面以及所述第一主面上；形成于所述有机基板的第二主面一侧的外部管脚；与所述芯片的对应...

本发明公开了一种基于板级功能基板的封装工艺及封装结构，所述封装工艺其包括，形成次级封装组件；自所述次级封装组件的第一主面和第二主面对应所述凸点进行盲孔开窗口并钻盲孔至所述凸点处；在所述次级封装组件上开设通孔，所述通孔贯穿所述次级封装组件...

本发明公开了一种在低粗糙度基板上化学镀铜的方法，该方法包括：在低粗糙度基板上涂覆一层有机薄膜，晾干后再采用传统化学镀铜工艺方法沉积铜层。其中有机薄膜制备方法包括以下步骤：（1）将有机薄膜材料以0.1%-20%体积百分比溶解于易挥发有机溶...

本发明提供一种半导体封装电磁屏蔽结构，包括一有机基板，所述有机基板具有两个相对的导体面，两个导体面之间的有机基板内设有至少一层金属屏蔽层；芯片贴装在有机基板的一个导体面上，芯片的连接凸点与该导体面连接；电磁屏蔽罩固定在贴装有芯片的导体面...

本发明公开了一种在玻璃基板上化学镀铜的方法，该方法包括：在玻璃基板上涂覆一层有机薄膜，晾干后再采用传统化学镀铜工艺方法沉积铜层。其中有机薄膜制备方法包括以下步骤：（1）将有机薄膜材料以0.1%-20%体积百分比溶解于易挥发有机溶剂中；（...

本发明提供了一种穿透硅通孔金属互连结构，在保证器件的可靠性的同时，大大降低了制造成本，其包括TSV孔，所述TSV孔设置在硅基底上，所述TSV孔底、上下端以及内侧均有绝缘层，TSV孔下端为Al焊盘（Alpad），成型下端封闭的TSV孔，其...