本发明公开了一种基于中通孔制作方法的TSV、M1、CT金属层一次成型方法，包括TSV的光刻和蚀刻，TSV光刻胶的去除和清洗；进行表面平坦化处理之后沉积接触孔CT氧化层；TSV绝缘层氧化物沉积；第一次BARC填充及刻蚀；接触孔CT光刻和蚀...

本发明公开了一种激光拆键合工艺及系统。本发明要解决的技术问题在于提供一种采用激光技术进行临时拆键合的工艺和系统。本发明的技术方案是应用激光技术对临时键合体中的边缘区域胶层进行切割。随后利用清洗装置将激光处理后的边缘区域进行清洗。通过本发...

本发明涉及一种晶圆级铜柱微凸点结构及制作方法，包括晶圆、多个导电柱体和介质层，导电柱体包括聚合物核心、电镀种子层和金属铜层，导电柱体上表面露出介质层上表面、并设置凸点，导电柱体下表面与晶圆上的焊盘连接。所述晶圆级铜柱微凸点结构的制作方法...

本发明提供了一种采用聚合物基板或覆有聚合物的其他材料基板的转接板工艺中利用CMP对基板表面进行平坦化的方法。聚合物的亚胺化程度与CMP研磨速率密切相关，为了获得较高的研磨速率，对聚合物基板或覆有聚合物的其他材料基板进行特定的固化处理。所...

本发明涉及一种基于超薄玻璃的封装结构及方法，其包括玻璃基板，在玻璃基板的第二表面的外圈设置拿持区，并对第二表面对应拿持区的内圈进行减薄，以在玻璃基板内形成环形凹式的第三表面；在玻璃基板内设置若干封装单元区域；在第三表面的封装区域上设置第...

本发明涉及一种半导体结构及方法，尤其是一种铜柱凸点结构及成型方法，属于半导体制造的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述铜柱凸点结构，包括基底及位于所述基底上的绝缘层；所述绝缘层上设有金属焊盘，所述金属焊盘的外圈设有介质层，所述介质层...

本发明提出一种采用CMP对以聚合物为介质层的大马士革工艺中铜沉积后的表面进行平坦化的方法，该方法采用三步研磨来完成铜及阻挡层去除和聚合物（如Polyimide或BCB）的表面平坦化：首先TSV铜研磨液去除表面的铜，然后用阻挡层研磨液去除...

本发明提供了一种硅通孔转接板测试方法，可以简单、方便地对硅通孔转接板进行电测试，有效地防止了测试中对硅通孔转接板产生划痕和损伤，保证了硅通孔转接板的电测试效率和测试效果，而且保证了后续芯片的封装质量，其特征在于：其包括以下步骤：（1）、...

本发明提供了一种芯片三维堆叠封装结构，实现了芯片在基板上的多层堆叠，保证了完成整个封装后结构的平衡，有效避免了封装结构的翘曲和内部芯片的碎裂，其包括PCB基板，其特征在于：所述PCB基板上设置有窗口，所述PCB基板上堆叠有多层芯片，所述...

本发明公开了一种超细间距微凸点的制备方法，属于基于传统的大马士革工艺的改进型技术。首先在晶圆上沉积一层电解质层，刻蚀出贯穿所述电解质层的孔，然后在晶圆表面和孔内沉积金属种子层，在晶圆表面和孔内填充UBM金属和低熔点金属，对晶圆表面的金属...

本发明涉及一种PoP封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型封装单元制作时，采用芯片面朝下的工艺流程，通过在载片上先制作一层金属层，然后芯片面朝下贴放于金属层的开槽内，从而增强扇出型晶圆级封装的刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料...

本发明涉及一种PoP封装结构及制造工艺，其特征是，在扇出型封装单元制作时，采用芯片正面朝上的工艺流程，通过在载片上制作金属层，然后按芯片的排列位置开槽并且按设计需要制作与其它封装单元互连的电极，从而改变扇出型晶圆级封装的内部结构，增强其...

本发明涉及一种超薄凹式玻璃基板的封装结构及方法，其按照本发明提供的技术方案，所述超薄凹式玻璃基板的封装结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板具有第一表面以及与所述第一表面对应的第三表面；在玻璃基板的第三表面上凹设有若干安装槽，在安装槽的外圈形...

本发明涉及一种扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型晶圆级封装结构制作时，采用芯片正面朝下的工艺流程，通过在载体圆片（carrierwafer）上制作金属层，然后按芯片的排列位置开通孔（或者直接将开好通孔的金属层粘在载体圆片上...

本发明涉及一种互连结构及方法，尤其是一种基于玻璃基板的互连结构及方法，属于微电子封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述基于玻璃基板的互连结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二表面；所述玻璃基板内...

本发明提供了一种倒装芯片堆叠封装结构，实现了芯片在基板上的多面堆叠，保证了完成整个封装后结构的平衡，有效避免了封装结构的翘曲和内部芯片的碎裂，其包括PCB基板，PCB基板上设置有窗口，PCB基板上封装有多层芯片，多层芯片间通过第一焊球、...

本发明涉及一种扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型晶圆级封装结构制作时，采用芯片正面朝上的工艺流程，通过在载体圆片上先制作金属层，然后按芯片的排列位置开通孔（或者直接将开好槽的金属层粘在载体圆片上）；将芯片正面朝上贴放于金属...

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，尤其是一种防止凸点侧向刻蚀的凸点结构及成型方法，属于半导体制造的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述防止凸点侧向刻蚀的凸点结构，包括基底以及位于所述基底上的绝缘层；所述绝缘层上设有金属焊盘，所述...

本发明涉及一种工艺方法，尤其是一种改善TSV金属填充均匀性的方法，属于半导体TSV工艺的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种改善TSV金属填充均匀性的方法，首先通过分步沉积，获得TSV整体的覆盖率；而后通过再分布方法，改善局部的覆盖...

本发明提供一种用于TSV背面漏孔及介质层与TSV的自对准工艺，包括下述步骤：提供已经完成TSV盲孔结构制造的衬底；对衬底进行背面减薄，并利用刻蚀工艺使得TSV背面端头突出于衬底背部表面；在衬底背面涂覆一层背面介质层，覆盖衬底背面和突出衬...