本发明公开了一种机械式拆键合工艺及系统，该工艺包括以下步骤：S1、采用临时键合胶将器件晶圆与载片晶圆进行键合，形成临时键合体；S2、对临时键合体上的器件晶圆进行背面加工工序；S3、通过厚度测量装置测量得到临时键合胶所在的高度位置；S4、...

本发明提供了一种柔性基板封装的装置，可以适用于自动化的封装，使得封装工艺简单、强度较小，提高封装效率，大大降低封装成本，其特征在于：其包括两侧的一定形状的封装头，所述封装头通过滑动装置连接，所述两侧的封装头可以相向运动。

本发明公开了一种通过制备超细间距微凸点来实现半导体或固体器件金属互连的方法及相应器件，首先沉积碳化硅刻蚀停止层和电解质层，涂胶，干法在电解质层中刻蚀出孔，沉积金属种子层，填充金属，用CMP清除面上的金属，对电解质层进行刻蚀，形成金属露头...

本发明公开了一种制作硅通孔的方法及硅通孔互连的制作方法，首先通过热压方法将多个硅基片叠层键合在一起，在叠层硅基片一侧的表面上制作成型通孔所需的图形并加工成型通孔，之后向通孔内进行金属化填充，金属化填充完成后将多个硅基片进行拆键合处理，完...

一种TSV露头工艺，通过在对晶圆衬底的背面采用机械方式研磨减薄后，增加2次化学机械抛光工艺（CMP），第一次CMP采用无选择比的抛光液，使衬底表面的TTV控制在1μm以下，减少因TTV过大而对露头造成的均匀性差的问题。第二次CMP采用对...

一种TSV背面露头工艺，通过在研磨衬底背面时，保留TSV上方的衬底，避免该物理减薄过程对TSV露头以及衬底的损坏，同时又使得原本TTV较高的衬底表面被研磨之后具有较好的表面平整度，使得后续刻蚀过程中的一致性较高。然后通过第一次湿法刻蚀，...