本发明涉及一种三维扇出型PoP封装结构及制造工艺，采用芯片正面朝上的工艺，在载片上制作金属层，按芯片排列位置开槽并按需要制作与其它封装单元互连的电极。塑封后在芯片正面进行重布线层制作，把芯片的焊盘进行扇出，形成第一层芯片电路。重复芯片正...

本发明涉及一种三维扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，其特征是：采用芯片正面朝上的工艺，在载片上制作金属层，按芯片的排列位置开槽并按需要制作与其它封装单元互连的电极，改变扇出型晶圆级封装内部结构，增强刚性和热胀系数，改善整个晶圆的翘曲以及滑...

本发明公开了一种导电胶，采用液态无毒性的固化剂取代常用的有机酰肼、双氰胺、咪唑等传统固化剂，使得铜粉/环氧导电胶具有生产成本低，固化温度低（60℃），固化时间短（4h），体积电阻率小，高温高频稳定性好，在85℃、RH85%的环境下经过1...

本发明涉及一种如何减少硅通孔周围区域应力的方法。硅通孔在制备过程中会经历刻蚀、侧壁绝缘、种子层沉积、通孔填充等工艺步骤，产生工艺残余应力，此外，由于铜与周围材料的热膨胀系数差别大，这些都会导致硅通孔的周围区域内出现一定的应力集中现象，这...

本发明涉及一种工艺方法，尤其是一种硅通孔侧壁的平坦化方法，属于硅通孔加工的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种硅通孔侧壁的平坦化方法，所述侧壁平坦化方法包括如下步骤：a.提供基板，并对所述基板进行刻蚀，以在所述基板内得到深孔；b.对...

本发明公开了一种集成电路封装领域的密闭性温度控制装置，以解决在密闭性区域内采用沸点很低的流体散热时如何有效控制流体的压力、温度、流速，防止气泡的发生，以提高散热的效率的问题。该密闭性温度控制装置包括侧壁，上端盖和下端盖以及一组O型圈形成...

本发明涉及一种改进的硅通孔结构制备方法，其包括如下步骤：a、提供基板，在基板内刻蚀形成所需的深孔；b、在所述深孔内进行氧等离子体环境下的氧等离子氧化或氧等离子体阳极氧化，以在深孔的内壁上形成氧化层，所述氧等离子体氧化过程中基板温度为20...

本发明公开了一种应用于高速宽带光互连的硅通孔器件的制造方法及硅基光互连器件，本发明采用的是先刻蚀出宽环以填充绝缘材料，然后刻蚀被绝缘环包围的硅形成TSV深孔，最后在TSV深孔内填充金属和正面光子器件的电极形成互连。且宽环的形成增加了绝缘...

本发明公开了一种高速宽带硅光转接板的制造方法及硅基光互连器件，其通过第一和第二RDL把光子器件和TSV沟通；通过第一、第二凸点将第一电子器件和第二电子器件和光子器件连接；通过TSV和背面第三RDL、第三凸点和基板连接，实现基板和正面CM...

本发明公开了一种柔性嵌入式光互连结构及其制备方法，其中柔性嵌入式光互连结构包括光波导板材，光波导板材上开设有激光烧蚀槽，光波导板材上激光烧蚀槽的两侧设置有通孔；光波导板材的上下表面上自内向外依次设置有带图形的化学镀铜层、金属电镀层以及金...

本发明公开了一种具有倾斜角度的光纤装配体及其装配方法，其中，具有倾斜角度的光纤装配体，包括，承载板，所述承载板具有进入孔和倾斜孔，所述倾斜孔的对称轴与所述承载板的上表面的法线成θ1角度；模板对准板，所述模板对准板设置有止动孔，所述止动孔...

本发明公开了一种光电印制板及其制作方法，其中光电印制板包括光波导层、第一金属层、半固化片PP、第二厚铜层、上外铜层、下外铜层及金属保护层，光波导层中设置有反射镜，第一金属层上设置有与反射镜连通的图形RDL1，半固化片PP上设置有盲埋孔，...

本发明提供一种基于数模混合要求的混合信号系统三维封装结构，包括一柔性印刷电路板，柔性印刷电路板弯折成U型结构，在U型结构的上方平整部和下方平整部上分别压合有第一刚性印刷电路板和第二刚性印刷电路板；在下方的第二刚性印刷电路板的内表面上安装...

本发明公开了一种兼容PCB工艺的多功能基板及其制作方法，包括多层互连基板、玻璃基板以及光波导层，玻璃基板的上表面刻蚀有上层图形，光波导层中设置有倒三角形反射镜，光波导层的下表面刻蚀有下层图形，上层图形、下层图形通过垂直嵌装在玻璃基板、多...

本发明提供一种基于刚柔结合印刷电路板三维封装的散热结构，包括柔性印刷电路板，柔性印刷电路板弯折成U型结构，在U型结构的上下两个相对的平整部上各压合有一块刚性印刷电路板，多个元器件分别安装在上方和下方相对的刚性印刷电路板的内表层；在上方和...

本发明提供了一种新型大马士革铜铜键合结构的制作方法，有效降低了铜柱表面粗糙度，提高了微凸点的表面平整度，保证了晶圆不同区域的微凸点高度的一致，满足铜铜键合工艺对表面平整度的要求，在后续的微组装工艺中不用做底填工艺，在降低工艺复杂度的同时...

本发明提供一种扇出型方片级封装的制作工艺，包括：提供尺寸较大的矩形承载片，在承载片上贴覆粘结胶；芯片正贴到粘结胶上；涂覆第二类绝缘树脂，第二类绝缘树脂填充芯片之间的沟槽；涂覆第一类感光树脂并将芯片覆盖住；在第一类感光树脂中形成通向芯片焊...

本发明公开了一种玻璃基三维光电同传器件及其制作方法，其中光电同传器件玻璃基板，玻璃基板上依次设置有铜层、水平波导层以及上包层；玻璃基板上垂直设置有垂直光通孔和垂直玻璃通孔，铜层上布设有RDL图形，垂直光通孔中的芯层与水平波导层连为一体，...

本发明公开了一种三维垂直互连硅基光电同传器件及其制作方法，其中光电同传器件包括硅基板，硅基板上设置有铜层、水平波导层以及上包层；所述硅基板上设置有垂直硅通孔和垂直光通孔，铜层上布设有布线图案，水平波导层上设置有光电互连孔和倒三角形反射镜...

本发明提供一种基于刚柔结合印刷电路板的三维系统封装结构，包括一柔性印刷电路板，所述柔性印刷电路板弯折成U型结构，在U型结构的上下两个相对的平整部上各压合有至少一块刚性印刷电路板，多个元器件分别安装在上方和下方相对的刚性印刷电路板的内表层...