适用于转接板的TSV结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种适用于转接板的TSV结构及其制备方法，包括衬底；特征是：在所述衬底上设有TSV深孔，在TSV深孔的侧壁及底壁上设置第一绝缘层，在第一绝缘层表面设置第二绝缘层，在第二绝缘层表面设置扩散阻挡层，在扩散阻挡层表面设置种子层，在TSV深孔中填充导电金属。所述适用于转接板的TSV结构的制备方法，包括以下步骤：（1）在衬底上刻蚀形成TSV深孔；（2）在衬底正面采用热氧化方式生长二氧化硅，得到第一绝缘层；在第一绝缘层表面采用PECVD、SACVD或APCVD沉积TEOS，得到第二绝缘层；再在第二绝缘层表面沉积扩散阻挡层，在扩散阻挡层表面沉积种子层；最后在TSV深孔中填充导电金属。本发明专利技术工艺简单、成本低廉、质量良好，提高了硅通孔绝缘层的均匀性和绝缘性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种适用于转接板的TSV结构，包括衬底（101），衬底（101）具有相对应的衬底正面（102）和衬底背面（103）；其特征是：在所述衬底（101）上设有TSV深孔（201），在TSV深孔（201）的侧壁及底壁上设置第一绝缘层（301），在第一绝缘层（301）表面设置第二绝缘层（401），在第二绝缘层（401）表面设置一层或多层扩散阻挡层（501），在扩散阻挡层（501）表面设置种子层，在TSV深孔（201）中填充导电金属。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，张文奇，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：