本发明提出一种形成金属硅化物的方法。首先，提供一基底，此基底具有第一区域与第二区域，其中第一区域的基底的表面高于第二区域的基底的表面。接着，于第一区域与第二区域的基底上形成多个半导体元件，半导体元件包括多个导电部，且其上预定形成金属硅化...

本发明涉及一种防止因零件损坏而造成晶片蚀刻异常的方法。在该方法中，首先将要进行蚀刻的晶片放置于干式蚀刻机台，该机台中已经设定有预定时间段和预定标准，在对上述晶片进行干式蚀刻的整个过程中不断将所测参数的值与上述预定标准进行比较，如果在预定...

本发明涉及一种改善ＳＴＩ凹槽的上角边缘厚度的方法，该方法针对现有的ＳＴＩ－ＨＤＰ程式进行合理调整，增强其氩气流量或射频功率，调节其蚀刻与沉积之间的比率，有效地消减顶部的ＳｉＮ线性结构，因而不可能形成磷酸蚀刻的缝隙，后续的酸洗过程也不会造...

本发明提出了一种微通孔钨损失的解决方法。现有技术中由于在金属蚀刻时活动区偏移会造成后续的蚀刻或清洗时微通孔中的钨被反应掉，从而影响金属的电性，造成残次品。本发明提出的方法中，在金属层蚀刻后先沉积一电介质层，然后再对电介质层回蚀。回蚀时由...

本发明提出了一种硅控整流器及其制造方法，该硅控整流器包括半导体衬底，该半导体衬底上方的Ｎ阱和Ｐ阱；形成于Ｎ阱中的第一Ｐ＋掺杂区和第一Ｎ＋掺杂区；形成于Ｐ阱中的第二Ｐ＋掺杂区和第二Ｎ＋掺杂区；形成于上述Ｎ阱与Ｐ阱相接合的位置的第三Ｐ＋掺杂...

本发明提出了一种喷嘴的清洁方法，针对现有Ｅ２／Ｅ３喷嘴都是通过人工清洁从而导致极易对喷头造成损伤，或是由于手脏污或是无尘布脏污造成导致清洁不彻底的问题而发明。本发明提出了一种喷嘴的清洁方法，充分利用了Ｅ２／Ｅ３喷嘴接触式的特点，通过在晶...

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，且特别涉及一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法。本发明的金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法包括下列步骤：步骤１，通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层；步骤２，通过化学机械研磨机台研磨经步骤１...

本发明涉及电气产品的供电电源的散热系统技术领域，且特别涉及一种利用热电致冷器改进的电源散热系统。本发明的散热系统包括依次相接的储冷器、热电致冷器和散热器；其中，上述热电致冷器的冷面与储冷器相接，上述热电致冷器的热面与散热器相接；上述储冷...

本发明涉及一种硬件监控系统中的异常判断方法，特点是包括以下步骤：首先用户在ｎｏｔｅｓ开关机的申请单中填写停机时间及对应的主机名，采用固有格式，通过系统发送到Ｏｐｅｎｖｉｅｗ服务器上，进行过滤设定时间内特定告警的准备。随后，在转发脚本中进...

本发明涉及一种半导体光刻中用于检测晶圆片晶边清洗宽度的方法。所述检测方法的步骤包括：在晶圆片上涂覆光阻膜，并清洗晶边；在晶圆片的晶边上定义多个检测区段；在每个检测区段内定义多个厚度量测点；依次并重复量测不同检测区段内各量测点的光阻膜厚度...

本发明涉及一种具有气体缓冲均匀功能的离子源，包括气源、电弧室、用于连接所述的气源及电弧室的导管，所述的电弧室包括设置有灯丝的电弧腔，所述的电弧室的气体入口处设置有气体容腔，所述的气体容腔的进气口与所述的导管连通、所述的气体容腔的出气口与...

本发明提出了一种喷头定位装置及定位方法，该喷头定位装置为多面体，该多面体具有置于待清洗的晶片上的第一表面，与上述第一表面相对的第二表面，第二表面上具有至少一条放置喷头以使喷头定位的凹槽，上述凹槽的角度为喷头需要的角度。该装置的优点是结构...

本发明提出一种离子植入的监测方法，包括以下步骤，步骤１，提供一监测用晶片，晶片中含有硅材料，步骤２，至少两次植入预定剂量的离子；步骤３，对晶片进行回火，而后测量晶片的电阻。利用本发明的方法可以用较少的成本和程序监测离子植入并能够直接反映...

本发明提供了一种用于窄测试键的垂直探针卡，包括电路板和探针组，该探针组设置在电路板的一侧，且电连接于该电路板；上述探针组包含多个探针，以斜出针的方式布置在电路板上，上述探针具有针先端和针身部分，且针先端和针身部分呈钝角；上述针前端的中间...

本发明提出了一种降低栅极电阻的方法，包括：步骤１，蚀刻形成具有栅极结构的多晶硅化金属结构；步骤２，进行侧间隙壁材料的沉积；步骤３，对步骤２形成的结构进行蚀刻，形成栅极结构两侧的侧间隙壁；步骤４，进行热氧化制程。本发明的有益效果在于，通过...

本发明涉及一种显影液供给管路，包括显影液管路、位于显影液管路前端的显影液喷嘴，以及与显影液管路相并联的去离子水管路，该去离子水管路通过安装到显影液管路的控制阀门连接到显影液管路。采用本发明的结构可以使存在于喷嘴内的结晶物排出，及清洁管路...

本发明提供了一种栅氧化层的制造方法，包括以下步骤：在基底表面的垫层氧化层上沉积第一氮化物层；以该第一氮化物层作为硬罩幕层蚀刻该氮化物层和基底形成具有预定厚度的深沟槽；再沉积第二氮化物层；蚀刻去除深沟槽底部的第二氮化物层，而后在深沟槽底部...

本发明提出了一种蚀刻后金属导线顶部损失的检测方法。现有的测试金属过蚀刻方式有两种：一、ＷＡＴ－ＲＳ测试，二、ＦＡ　ｃｈｅｃｋ　ｃｒｏｓｓ　ｓｅｃｔｉｏｎ，但是第一种方法时效性太差，第二种成本又太高。本发明提出的方法中通过ｐｒｏｃｅｓｓ　...

本发明涉及半导体制造领域。尤其涉及一种显影液喷头。该显影液喷头含有中空的面板；面板的一侧具有多个穿透面板一侧的面板壁的孔，上述孔排列成平面状；面板的另一侧设置有显影液的入端管道和出端管道。采用本发明的显影液喷头，显影液在晶片上的停留时间...

本发明涉及一种监测离子注入角度的方法，包括如下步骤：步骤１、提供监测晶片；步骤２、在上述监测晶片中，利用离子注入机在预定深度引入预定剂量的离子，其注入的入射角为０度；步骤３、量测步骤２中离子注入完成的监测晶片表面被破坏程度，根据所测图形...