蚀刻后金属导线顶部损失的检测方法技术

本发明专利技术提出了一种蚀刻后金属导线顶部损失的检测方法。现有的测试金属过蚀刻方式有两种：一、ＷＡＴ－ＲＳ测试，二、ＦＡ　ｃｈｅｃｋ　ｃｒｏｓｓ　ｓｅｃｔｉｏｎ，但是第一种方法时效性太差，第二种成本又太高。本发明专利技术提出的方法中通过ｐｒｏｃｅｓｓ　ｆｌｏｗ原本就有的ＳＴＥＰ－“ＳＥＭＣＤ量测”时得到的量测信号曲线来判断是否出现过蚀刻导致金属导线顶部损失，这样在不增加设备和人力的情况下，使用现有设备即可实现蚀刻后金属导线顶部损失的检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
在IC芯片制造过程中，后道加工(BEOL， Back End Of Line)中的 金属蚀刻制程是否会过蚀刻只能通过WAT-RS测试或是利用FA check cross section来判断。图la为蚀刻正常的图片；图lb为过蚀刻导致金属顶部损失的图片。 图lb中过蚀刻的情况下导致金属顶部损失。现有的测试金属过蚀刻方式 有两种第一种是WAT-RS测试，即薄层电阻晶圆验收测试(WAT, Wafer Acceptance Testing晶圆验收测试；RS， sheet resistance薄层电阻)。WAT-RS 是一种晶圆的电性测试，实时性很差，不能及时发现问题。另一种是FAcheck cross section (失效分析检测截面)，这种方法能够 有效的测量出在蚀刻时的顶部金属损失，但是这种测试方式成本很高，而 且实时性也比较差。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷和不足，本专利技术的目的是提出一种通过既 实时性高又节省成本的。为了达到上述目的，本专利技术提出了一种蚀刻后金属导线顶部损失的检 测方法，包括步骤1、使用SEMCD对芯片进行量测获得量测值及量测信号曲线；3步骤2、读取所述量测信号曲线，并根据该量测信号曲线是否平滑判 断蚀刻后金属导线顶部是否出现了过蚀刻。其中，所述步骤2具体为读取该SEMCD的量测信号曲线，判断该量测信号曲线是否为平滑的 直线，如果是则蚀刻正常，否则为过蚀刻。本专利技术提出了一种。现有的 SEMCD量测仅仅确认量测读数是否符合生产规格。本专利技术提出的方法中 通过SEMCD量测时得到的图片中的量测信号曲线来判断是否出现过蚀刻 导致金属导线顶部损失，这样在不增加设备和人力的情况下，使用现有设 备即可实现蚀刻后金属导线顶部损失的检测。附图说明图la为现有技术中蚀刻正常的图片；图lb为现有技术中过蚀刻导致金属顶部损失的图片；图2a为蚀刻正常的SEMCD量测信号曲线的图片及放大图2b为过蚀刻的SEMCD量测信号曲线的图片及放大图3为严重过蚀刻的实际金属顶部照片及对应的SEMCD量测信号曲线。具体实施例方式下面结合附图，对本专利技术的具体实施方式作进一步的详细说明。对于 所属
的技术人员而言，从对本专利技术的详细说明中，本专利技术的上述 和其他目的、特征和优点将显而易见。如图la和图lb所示，在BEOL金属蚀刻时有可能导致如图lb所示 的过蚀刻，从而使金属导线的顶部产生损失，当损失严重时可能导致金属 导线薄层阻值变化过大而使整个产品报废。本专利技术的优选实施包括以下步骤步骤1、使用SEMCD对芯片进行量测获得量测值及量测信号曲线；步骤2、读取所述量测曲线，并根据该量测信号曲线是否平滑判断蚀 刻后金属导线顶部是否出现了过蚀刻。其中，所述步骤2具体为读取该SEMCD的量测信号曲线，判断该 量测信号曲线是否为平滑的直线，如果是则蚀刻正常，否则为过蚀刻。下面结合实际的侧视图对本专利技术做进一步说明。图2a为蚀刻正常时SEMCD的量测信号曲线图；图2b为过蚀刻时 SEMCD的量测信号曲线图。对比图2a和图2b就可以看出，在正常蚀刻 时SEMCD的量测信号曲线图是一个平滑的曲线，近似为一直线。而当过 蚀刻时，SEMCD的量测信号曲线呈现为一不规则的曲线。如图3所示的，当金属导线顶部出现严重过蚀刻时，其SEMCD的量 测信号曲线为一不规则的曲线。SEMCD量测法确认是否过蚀刻的实时性很强，且成本低。本专利技术是 利用在SEMCD量测中得到的量测信号曲线进行金属蚀刻检测，不需要增 加任何的成本即可完成对金属导线顶部是否出现过蚀刻。在现有技术中，BEOL金属蚀刻工艺流程包括以下步骤1) 金属蚀刻；2) SOLVENT clean;3) 用SEMCD量测蚀刻后CD(metal line线宽)。由此可见，SEMCD量测是现有技术中已经包括的，因此通过SEMCD 量测所得到的量测信号曲线图来判断是否出现过蚀刻，可以在不增加成本 的情况下实时得到量测结果。虽然，本专利技术已通过以上实施例及其附图而清楚说明，然而在不背离 本专利技术精神及其实质的情况下，所属
的技术人员当可根据本专利技术 作出各种相应的变化和修正，但这些相应的变化和修正都应属于本专利技术的 权利要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻后金属导线顶部损失的检测方法，其特征在于，包括：　步骤１、使用ＳＥＭＣＤ对芯片进行量测，并获得量测值及量测信号曲线；　步骤２、读取所述量测曲线，并根据该量测信号曲线是否平滑判断蚀刻后金属导线顶部是否出现了过蚀刻。

【技术特征摘要】
1、一种蚀刻后金属导线顶部损失的检测方法，其特征在于，包括步骤1、使用SEMCD对芯片进行量测，并获得量测值及量测信号曲线；步骤2、读取所述量测曲线，并根据该量测信号曲线是否平滑判断蚀刻后金属导线顶部是否出...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志刚，赵光阳，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]