蚀刻后金属导线顶部损失的检测方法技术

本发明专利技术提出了一种蚀刻后金属导线顶部损失的检测方法。现有的测试金属过蚀刻方式有两种：一、ＷＡＴ－ＲＳ测试，二、ＦＡ　ｃｈｅｃｋ　ｃｒｏｓｓ　ｓｅｃｔｉｏｎ，但是第一种方法时效性太差，第二种成本又太高。本发明专利技术提出的方法中通过ｐｒｏｃｅｓｓ　ｆｌｏｗ原本就有的ＳＴＥＰ－“ＳＥＭＣＤ量测”时得到的量测信号曲线来判断是否出现过蚀刻导致金属导线顶部损失，这样在不增加设备和人力的情况下，使用现有设备即可实现蚀刻后金属导线顶部损失的检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
在IC芯片制造过程中，后道加工(BEOL， Back End Of Line)中的 金属蚀刻制程是否会过蚀刻只能通过WAT-RS测试或是利用FA check cross section来判断。图la为蚀刻正常的图片；图lb为过蚀刻导致金属顶部损失的图片。 图lb中过蚀刻的情况下导致金属顶部损失。现有的测试金属过蚀刻方式 有两种第一种是WAT-RS测试，即薄层电阻晶圆验收测试(WAT, Wafer Acceptance Testing晶圆验收测试；RS， sheet resistance薄层电阻)。WAT-RS 是一种晶圆的电性测试，实时性很差，不能及时发现问题。另一种是FAcheck cross section (失效分析检测截面)，这种方法能够 有效的测量出在蚀刻时的顶部金属损失，但是这种测试方式成本很高，而 且实时性也比较差。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷和不足，本专利技术的目的是提出一种通过既 实时性高又节省成本的。为了达到上述目的，本专利技术提出了一种蚀刻后金属导线顶部损失的检 测方法，包括步骤1、使用SEMCD对芯片进行量测获得量测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻后金属导线顶部损失的检测方法，其特征在于，包括：　步骤１、使用ＳＥＭＣＤ对芯片进行量测，并获得量测值及量测信号曲线；　步骤２、读取所述量测曲线，并根据该量测信号曲线是否平滑判断蚀刻后金属导线顶部是否出现了过蚀刻。

【技术特征摘要】
1、一种蚀刻后金属导线顶部损失的检测方法，其特征在于，包括步骤1、使用SEMCD对芯片进行量测，并获得量测值及量测信号曲线；步骤2、读取所述量测曲线，并根据该量测信号曲线是否平滑判断蚀刻后金属导线顶部是否出...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志刚，赵光阳，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]