具有金属硅化物的半导体结构及形成金属硅化物的方法技术

技术编号:4257412 阅读:140 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提出一种形成金属硅化物的方法。首先,提供一基底,此基底具有第一区域与第二区域,其中第一区域的基底的表面高于第二区域的基底的表面。接着,于第一区域与第二区域的基底上形成多个半导体元件,半导体元件包括多个导电部,且其上预定形成金属硅化物的导电部位于第一区域。随之,形成介电层,以覆盖位于第二区域的导电部。然后,于第一区域的导电部暴露的表面上形成金属硅化物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体元件及其制造方法,且特别是有关于一种具有 金属硅化物的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
随着消费性电子产品的普及与系统产品的广泛应用,对于具有低功率耗 损、低成本、高读取/写入速度、小体积与高容量密度的存储器的需求也越来越 高。因此,将多种功能相异的元件混载于单一半导体基底上的作法因应而生。在单一晶片上混载动态随机存取存储器(dynamic random access memory, DRAM)及逻辑电路的嵌入式动态随机存取存储器(embedded DRAM, eDRAM) 即为一例,其中逻辑电路包含用以控制DRAM的电路元件。 一个eDRAM通常 是由存储器区与逻辑区所构成,其中存储器区上形成有DRAM阵列,且逻辑区 上形成有控制存储器或进行运算的逻辑电路。一般而言,在eDRAM的制程中,通常会在元件形成之后进行金属硅化 (silicidation)制程,以于元件表面形成一层自对准金属硅化物(self-aligned silicide, salicide),从而降低元件的阻值,并提升元件效能。然而,由于存储器 元件所用的场效应晶体管(field ef本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成金属硅化物的方法,包括: 提供一基底,该基底具有一第一区域与一第二区域,其中该第一区域的该基底的表面高于该第二区域的该基底的表面; 于该第一区域与该第二区域的该基底上形成多个半导体元件,该些半导体元件包括多个导电部,且其 上预定形成一金属硅化物的该些导电部位于该第一区域; 形成一介电层,以覆盖位于该第二区域的该些导电部;以及 于该第一区域的该些导电部暴露的表面上形成该金属硅化物。

【技术特征摘要】
1.一种形成金属硅化物的方法,包括提供一基底,该基底具有一第一区域与一第二区域,其中该第一区域的该基底的表面高于该第二区域的该基底的表面;于该第一区域与该第二区域的该基底上形成多个半导体元件,该些半导体元件包括多个导电部,且其上预定形成一金属硅化物的该些导电部位于该第一区域;形成一介电层,以覆盖位于该第二区域的该些导电部;以及于该第一区域的该些导电部暴露的表面上形成该金属硅化物。2. 如权利要求1所述的形成金属硅化物的方法,其特征在于,该金属硅 化物的形成方法包括于该基底上形成共形的一金属层,该金属层与位于该第一区域的该些导电 部相接触;对该金属层进行一热制程,而使该金属层与该些导电部反应生成该金属硅 化物;以及移除未反应的该金属层。3. 如权利要求2所述的形成金属硅化物的方法,其特征在于,该金属层 的材料为选自镍、钴、钛、铜、钼、钽、钨、铒、锆、铂、镒、轧、镝与该些 金属的合金所组成的群组。4. 如权利要求1所述的形成金属硅化物的方法,其特征在于,该些导电 部包括一栅极或一掺杂区。5. 如权利要求4所述的形成金属硅化物的方法,其特征在于,该半导体 元件为一存储器元件,且该存储器元件的该栅极形成于该第一区域,该存储器 元件的该掺杂区形成于该第二区域。6. 如权利要求4所述的形成金属硅化物的方法,其特征在于,该栅极的 材料包括掺杂多晶硅。7. 如权利要求1所述的形成金属硅化物的方法,其特征在于,该基底的 形成方法包括提供一半导体基底;以及移除部分位于该第二区域的该半导体基底。8. 如权利要求7所述的形成金属硅化物的方法,其特征在于,移除部分 位于该第二区域的该半导体基底的方法更包括使用零层标记光掩模、对准标记 光掩模或井区植入光掩模。9. 如权利要求1所述的形成金属硅化物的方法,其特征在于,形成该介 电层的方法包括于该基底上形成一介电材料层;以及移除位于该第一区域的介电材料层,以使该介电材料层覆盖位于该第二区 域的该些导电部。10. 如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李秋德
申请(专利权)人:和舰科技苏州有限公司
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]

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