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具有金属硅化物的半导体结构及形成金属硅化物的方法技术
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文档序号:4257412
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本发明提出一种形成金属硅化物的方法。首先,提供一基底,此基底具有第一区域与第二区域,其中第一区域的基底的表面高于第二区域的基底的表面。接着,于第一区域与第二区域的基底上形成多个半导体元件,半导体元件包括多个导电部,且其上预定形成金属硅化物的...
该专利属于和舰科技(苏州)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过和舰科技(苏州)有限公司授权不得商用。
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