本发明涉及一种针对特殊布局的金属－绝缘体－金属电容蚀刻产品所产生的整批产品中的第一片晶片聚合物缺陷的解决方法，通过改善金属－绝缘体－金属电容蚀刻工艺流程来克服具有特殊布局的金属－绝缘体－金属电容蚀刻产品的第一片晶片的聚合物缺陷。

本发明涉及集成电路制造工艺技术领域，且特别涉及一种校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法。本发明中发明的一种校正金属薄膜沉积位置的控片表面上设置有：定位标记；多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘的多个可读取的...

本发明公开了一种探针装置，包括针头组件，其中针头组件包括多探针、与多探针电连接的第一电路板，以及通过导线与该第一电路板上的焊点电连接的第一圆形ＤＩＮ连接器；机械臂；将针头组件连接到机械臂上并调整针头组件在机械臂上的高度和松紧度的连接装置...

本发明提出了一种晶片结构的制造方法，包括以下步骤：提供一种具有半导体基底、阻挡层和介电层的结构；在上述结构上提供图案化的光阻；以该光阻为光罩层进行蚀刻，形成浅沟槽结构，而后去除该图案化的光阻；沉积第一氧化物层，该第一氧化物层覆盖包括浅沟...

本发明公开了一种金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容结构及其制作方法。金属－绝缘体－金属电容结构，设置于金属－绝缘体－金属电容凹槽中，该凹槽的深度由第一金属层与其前层金属的距离来定义，包括由沉积金属层和第一金属层形成的下电极，其中沉积金属层...

本发明涉及化学机械研磨（ＣＭＰ）技术领域，且特别涉及一种化学机械研磨台研磨头辅助位置校正装置及其校正方法。本发明的一种化学机械研磨台研磨头辅助位置校正装置，该化学机械研磨台研磨头具有中间部分的凹部，该辅助位置校正装置为中空片状，具有与研...

本发明涉及一种分离显影液废液与ＤＩ水的分离装置及分离方法，该装置包含一个自动阻尼器、一个液体隔离装置和两个排放管道。在正常工作状态下，上述阻尼器的下端指向液体隔离装置的一个隔间，并通过该隔间下方的排放管道排出显影液废液；而当利用ＤＩ水进...

本发明涉及一种金属和氧化物蚀刻方法，该方法包含如下步骤：提供一个基板，并在该基板上沉积一层金属层，再沉积一层氧化物层，在氧化物上方沉积一层底层抗反射膜，在底层抗反射膜上方再沉积一层光阻物质；先用曝光蚀刻部分光阻物质，得到临界尺寸；对氧化...

本发明涉及一种晶舟，该晶舟包含顶板；底板；固定于上述顶板和底板之间的三个晶棒，且上述三个晶棒的分布呈圆形；上述多个晶棒上形成有多个槽，且不同晶棒上的各槽的高度分别对应相等，形成用以水平支撑晶片的支撑部；以及插入口，通过上述插入口将晶片送...

本发明涉及一种侦测化学机械研磨机台水槽上／下位置的装置及方法，该装置包含：一个用于为研磨晶片提供无污染环境的水槽；一个用于控制上述水槽上下运动的气缸；一个安装于上述气缸的磁璜开关；一个用于实现侦测目的互锁信号电路；上述磁璜开关串联接入上...

本发明提出了一种二段式太阳能电池制造方法，包括：１、制造基板；２、在基板上形成掩膜层，并在所述掩膜层表面制成开口，所述开口具有不同的宽度，在电极位置的开口宽度大于在其他位置的开口宽度；３、进行杂质扩散，使位于开口宽度较大处的杂质浓度高于...

本发明提出了一种二段式太阳能电池制造方法，包括：制造基板；进行杂质植入后进行扩散；或进行扩散后进行杂质植入；所述杂质植入步骤包括：在基板上设置一遮挡物，所述遮挡物具有预设的图案开口，所述开口贯穿所述遮挡物；在遮挡物下方植入杂质，并使位于...

本实用新型提出一种机台散热风扇损坏报警指示装置，包括：向散热风扇供电的电源，与散热风扇串联的保险丝，与散热风扇并联的ＬＥＤ指示电路模块。本实用新型采用ＬＥＤ指示灯来表示散热风扇的工作状态，使工作人员能更直观、及时地了解到散热风扇是否正常...

本发明公开了一种离子加速装置，包括电离室、脉冲吸取栅极、分析磁场单元和多级离子加速级，所述分析磁场单元的一端与脉冲吸取栅极连接，另一端与多级离子加速级连接，所述的离子加速装置还包括外接脉冲高压电源供应器、脉冲高压电源供应器和脉冲频率调制...

本发明提出了一种电子邮件通路的监测方法，通过监测外网定时向内网发送的邮件，可以测试出在整个邮件通路中是否有延迟，相比较现有的每一模块进行测试的方式，能够在整个通路上对邮件是否有延迟进行监测，防止出现由于ＨＷ或是网络等难以监控到的问题导致...

本发明涉及一种循环扩散偏移转码加密方法，包括如下步骤：（ａ）转码：将原始明文密码字符逐个进行ＡＳＣⅡ码转化，转换成十进制字符；（ｂ）扩散：对密码字符串转换后的十进制字符进行乘法运算，乘数Ｋ与每个原始密码字符所处的位置常量成线性关系；（ｃ...

本发明提供了一种带耦合电容的静电防护电路，连接在第一节点和第二节点之间，其包括电阻器，晶体管和电容器；上述晶体管的漏极连接第一节点，用以接收静电电流，上述晶体管的源极连接第二节点，用以对静电电流放电；上述电容器连接在上述晶体管的栅极和第...

本发明涉及一种静电放电防护电路，其连接于正电压源与接合垫之间，该静电放电防护电路包括：一列同向串联二极管，两端具有一正极及负极，其负极连接于接合垫；一电阻，连接于正电压源与该列串联二极管的正极之间；一晶体管，其栅极与源极连接至正电压源，...

本发明揭示一种改善ＥＳＤ防护器件均匀导通的方法，适用于集成电路中静电放电（ＥＳＤ）防护器件的特性改进，其中所述的ＭＯＳ晶体管具有多个相互并联的指状元件，各指状元件分别关联于一个寄生三极管，且各寄生三极管的集电极（即ＭＯＳ晶体管的漏极）通...

本实用新型针对蚀刻过程中，由于控制计算机软体陷入死循环而导致晶圆长时间暴露于电浆中报废的风险，提供了一种ＲＦ输出超时保护器。该ＲＦ输出超时保护器，包括计时系统、数字信号处理器和若干Ｉ／Ｏ端口，其特征在于：所述的ＲＦ输出超时保护器装设于控...