一种晶片聚合物缺陷的解决方法技术

本发明专利技术涉及一种针对特殊布局的金属－绝缘体－金属电容蚀刻产品所产生的整批产品中的第一片晶片聚合物缺陷的解决方法，通过改善金属－绝缘体－金属电容蚀刻工艺流程来克服具有特殊布局的金属－绝缘体－金属电容蚀刻产品的第一片晶片的聚合物缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造中晶片聚合物缺陷的解决方法，特别是涉及一 种针对特殊布局的金属一绝缘体一金属电容蚀刻产品的整批产品中第一 片晶片的聚合物缺陷的解决方法。
技术介绍
现有的具有细线(保护环)的金属一绝缘体一金属(以下简称MIM) 电容布局的晶片制造工艺为第一步，光阻烘烤；第二步，金属一绝缘体 一金属电容蚀刻；第三步，金属一绝缘体一金属电容蚀刻后用水和氧气的 混合等离子体去除光阻；第四步，金属一绝缘体一金属电容溶剂清洗。由 于现有的蚀刻反应室的条件常会引起整批产品中第一片晶片和其它晶片 之间在MIM电容蚀刻中产生的聚合物组成的不同，在对第一片晶片进行 光阻去除时，MIM电容蚀刻过程产生的聚合物会包裹在光阻表面使得聚 合物和光阻会保留在晶片上而不能被去除。最终，在溶剂清洗制程之后， 会发现一些含有碳的聚合物缺陷。如图1和图2所示，在具有细线(保护环)的MIM电容布局的晶片 制造工艺中，运行现有的AMATDPS反应室，在蚀刻和溶剂清洗之后， 整批产品的第一片晶片的金属一绝缘体一金属电容线附近就会出现含有 碳的聚合物缺陷。这些残留的含有碳的聚合物具有一定的腐蚀性，而且不容易清除，很 容易引起下一层蚀刻中的金属导线桥接，从而造成晶片合格率的下降。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷，本专利技术的目的是提供一种针对特殊布局的金属一绝缘体一金属电容蚀刻产品第一片晶片聚合物缺陷的解决办法， 通过改善工艺流程，使这类缺陷得到克服，从而提高晶片的电性测试合格 率。本专利技术的目的是通过如下技术方案实现的: 一种晶片聚合物缺陷的解 决方法，通过改善金属 一绝缘体一金属电容蚀刻工艺流程来克服具有特殊 布局的金属一绝缘体一金属电容蚀刻产品的第一片晶片的聚合物缺陷。本专利技术的第一实施例包括以下步骤步骤一，光阻紫外光固化；步骤 二，金属一绝缘体一金属电容蚀刻；步骤三，金属一绝缘体金属电容蚀刻 后用水和氧气的混合等离子体去除光阻；步骤四，金属一绝缘体一金属电 容溶剂清洗。本专利技术的第二实施例包括以下步骤步骤一，光阻烘烤；步骤二，金 属一绝缘体一金属电容蚀刻；步骤三，金属一绝缘体一金属电容蚀刻后用 纯水的等离子体去除光阻；步骤四，金属一绝缘体一金属电容溶剂清洗。本专利技术的第三实施例包括以下步骤步骤一，光阻烘烤；步骤二，金 属一绝缘体一金属电容蚀刻；步骤三，金属一绝缘体一金属电容蚀刻后用 水和氧气的混合等离子体去除光阻；步骤四，金属一绝缘体一金属电容溶 剂清洗；步骤五，电桨灰化光阻去除。本专利技术的第四实施例包括以下步骤步骤一，光阻烘烤；步骤二，金 属一绝缘体一金属电容蚀刻控片晶片；步骤三，金属一绝缘体一金属电容 蚀刻产品晶片；步骤四，金属一绝缘体一金属电容蚀刻后用水和氧气的混 合等离子体去除光阻；步骤五，金属一绝缘体一金属电容溶剂清洗。上述控片晶片的数量至少为两片。本专利技术通过改善金属一绝缘体一金属电容蚀刻工艺流程，使整批产品 中第一片晶片的聚合物缺陷问题得到解决，从而提高了晶片的合格率。附图说明图1为含有特殊布局的金属一绝缘体一金属电容的晶片蚀刻后的示 意图；图2为含有特殊布局的金属一绝缘体一金属电容的晶片蚀刻后产生 的聚合物缺陷示意图3为光阻烘烤示意图4为光阻紫外光固化示意图5为本专利技术第一实施例示意图6为本专利技术第二实施例示意图7为本专利技术第三实施例示意图8为本专利技术第四实施例示意图。具体实施例方式，通过改善金属 一 绝缘体 一 金属电容 蚀刻工艺流程来克服具有特殊布局的金属一绝缘体一金属电容蚀刻产品 的第一片晶片的聚合物缺陷。如图5所示，本专利技术的第一实施例包括如下步骤步骤一，参见图4， 通过紫外光固化对光阻进行预处理，以加强光阻的强度；步骤二，金属一 绝缘体一金属电容蚀刻；步骤三，金属一绝缘体金属电容蚀刻后用水和氧 气的混合等离子体去除光阻;步骤四，金属一绝缘体一金属电容溶剂清洗。如图6所示，本专利技术的第二实施例包括步骤一，光阻烘烤，参见图 3，在蚀刻前对芯片进行烘烤，以去除水气，增加光阻附着性；步骤二， 金属一绝缘体一金属电容蚀刻；步骤三，金属一绝缘体一金属电容蚀刻后 用纯水的等离子体去除光阻，改善光阻去除制程；步骤四，金属一绝缘体 -金属电容溶剂清洗。如图7所示，本专利技术的第三实施例包括步骤一，光阻烘烤，参见图 3，在蚀刻前对芯片进行烘烤，以去除水气，增加光阻附着性；步骤二， 金属一绝缘体一金属电容蚀刻；步骤三，金属一绝缘体一金属电容蚀刻后 用水和氧气的混合等离子体去除光阻；步骤四，金属一绝缘体一金属电容 溶剂清洗；步骤五，电浆灰化光阻去除。如图8所示，本专利技术的第四实施例包括步骤一，光阻烘烤，参见图 3，在蚀刻前对芯片进行烘烤，以去除水气，增加光阻附着性；步骤二， 在产品蚀刻前用相同的金属一绝缘体一金属电容蚀刻控片晶片，该控片晶 片的数量可根据需要确定， 一般为两片或两片以上，最好是两片；步骤三， 金属一绝缘体一金属电容蚀刻产品晶片；步骤四，金属一绝缘体一金属电 容蚀刻后用水和氧气的混合等离子体去除光阻；步骤五，金属一绝缘体一 金属电容溶剂清洗。当然，本专利技术还可有其他实施例，在不背离本专利技术之精神及实质的情 况下，所属
的技术人员当可根据本专利技术作出各种相应的改变和变 形，但这些相应的改变和变形都应属于本专利技术的权利要求的保护范围。权利要求1. ，其特征在于，通过改善金属—绝缘体—金属电容蚀刻工艺流程来克服具有特殊布局的金属—绝缘体—金属电容蚀刻产品的第一片晶片的聚合物缺陷。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤一，光阻紫外光固化；步骤二，金属—绝缘体一金属电容蚀刻；步骤三，金属一绝缘体金属电容蚀刻后用水和氧气的混合等离子体去 除光阻；步骤四，金属一绝缘体一金属电容溶剂清洗。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤一，光阻烘烤；步骤二，金属一绝缘体一金属电容蚀刻；步骤三，金属一绝缘体—金属电容蚀刻后用纯水的等离子体去除光阻；步骤四，金属一绝缘体一金属电容溶剂清洗。4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步骤-步骤一，光阻烘烤；步骤二，金属一绝缘体一金属电容蚀刻；步骤三，金属一绝缘体一金属电容蚀刻后用水和氧气的混合等离子体 去除光阻；步骤四，金属一绝缘体一金属电容溶剂清洗； 步骤五，电浆灰化光阻去除。5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤一，光阻烘烤；步骤二，金属一绝缘体一金属电容蚀刻控片晶片；步骤三，金属一绝缘体一金属电容蚀刻产品晶片；步骤四，金属一绝缘体一金属电容蚀刻后用水和氧气的混合等离子体去除光阻；步骤五，金属一绝缘体一金属电容溶剂清洗。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤二中的控片晶片 至少为两片。全文摘要本专利技术涉及一种针对特殊布局的金属—绝缘体—金属电容蚀刻产品所产生的整批产品中的第一片晶片聚合物缺陷的解决方法，通过改善金属—绝缘体—金属电容蚀刻工艺流程来克服具有特殊布局的金属—绝缘体—金属电容蚀刻产品的第一片晶片的聚合物缺陷。文档编号H01L21/31GK101533773SQ20081000656公开日2009年9月16日 申请日期2008年3月10日 优先权日2008年3月10日专利技术者黄志刚 申请人:和舰科技(苏州)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片聚合物缺陷的解决方法，其特征在于，通过改善金属－绝缘体－金属电容蚀刻工艺流程来克服具有特殊布局的金属－绝缘体－金属电容蚀刻产品的第一片晶片的聚合物缺陷。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志刚，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]