本实用新型公示了一种化学机械研磨机台的夹钳用锁环螺接结构，包括螺轴、螺帽及垫片，其所涉及的夹钳开口具有固定延伸臂及活动延伸臂，并且活动延伸臂上开设有穿孔，所述螺轴一端定位连接在固定延伸臂上，另一端穿过活动延伸臂的穿孔后顺次套设垫片、拧紧...

本实用新型涉及集成电路制造工艺技术领域，且特别涉及一种更均匀导通的电容耦合静电放电防护器件。本实用新型的一种更均匀导通的电容耦合静电放电防护器件多支多晶硅手指，通过接触孔与该多支多晶硅手指的公共端相连接的第一金属层，位于该第一金属层之上...

本实用新型提出一种用于控制蚀刻机台内腔室压力的压力控制装置，包括：与腔室相连的压力控制阀，与压力控制阀连接的第一气动阀，连接腔室的主控制气动阀和次控制气动阀，通过第二气动阀连接腔室的气压计，上述压力控制阀与上述气压计形成信号通路，上述第...

本实用新型涉及一种用于加热器的断路侦测器，其包括电流转换器、继电器、蜂鸣器、至少两个发光二极管，其中，电流转换器和继电器依次串联，加热器与电流转换器可拆分地电连接；继电器在加热器工作时或加热器被供电却发生断路时分别选通与第一发光二极管连...

一种深亚微米级堆叠并联ＭｉＭ结构电容器，其具有多层堆叠的ＭｉＭ结构，有多个金属或多晶硅层作为布线层，构成下极板，其上方有导电层构成上极板，各个上极板图案由同一块ＭＭＣ掩模定义，上、下两个平行电极板之间有绝缘电介质，构成单个固定电容器，金...

本实用新型提供一种反应室压力检测装置，包括弯管、压力计、接头、连接管，连接管、接头、弯管、压力计以串联形式竖直安装在反应室的下方，在反应室的真空管路上装有调压阀，机台ＣＰＵ的信号线与压力计和调压阀相连，其特点是压力计与接头之间设有连接弯...

本实用新型提出的一种化学机械抛光研磨头，针对现有技术中研磨头里的研磨定盘采用另贴薄膜的方式来形成导气沟槽，其至少包括：一主体；一研磨定盘，该研磨定盘上具有与其一体成型的导气沟槽；上述导气沟槽深不小于０．３ｍｍ，宽不大于２ｍｍ；薄膜２，在...

本发明提供了一种多层叉合结构的ＭＩＭ电容器。一种多层叉合结构的ＭＩＭ电容器，包括：第一互连层，第二互连层，第三绝缘层；第一互连层的第一导体图形版图结构基本与第二互连层第三导体图形相同，第一互连层的第二导体图形版图结构基本与第二互连层第四...

本发明提供了一种检测用于晶片烘烤的热板是否倾斜的方法，包括以下步骤：步骤１，提供一衬底，该衬底上具有氮化硅层；步骤２，在该氮化硅层上涂覆光阻层；步骤３，对该晶片进行曝光，图案化该晶片；步骤４，将晶片表面分区，量测各区的重要线宽；步骤５，...

本发明提出了一种图像传感器的微透镜的制造方法。现有的微透镜是采用对微透镜的材料进行热处理以使材料受到本身应力的作用形成一定曲率，这样在当图像传感器工作在温度较高的环境时就会造成微透镜变形而引起图像质量变差。本发明提出的图像传感器的微透镜...

本发明提出了一种去除氧化物－氮化物－氧化物层的方法，包括以下步骤：步骤１，在基底上沉积底层多晶介电质，步骤２，再沉积氧化物－氮化物－氧化物层，步骤３，对氧化物－氮化物－氧化物层进行蚀刻，去除部分氧化物－氮化物－氧化物层，步骤４，再沉积顶...

本发明涉及集成电路器件，且特别涉及一种改善集成电路器件中接触窗因短路漏电的方法及由此形成的接触窗。此种改善集成电路器件中接触窗因短路漏电的方法包括：步骤１，蚀刻后形成接触窗；步骤２，在蚀刻后形成接触窗的晶片表面沉积一层绝缘体薄膜；步骤３...

本发明提供一种接触孔厚氮化钛膜裂缝的解决方法。通过改变原来的工艺流程的顺序，在沉积Ｔｉ／ＴｉＮ黏着层之后，先进行快速热处理，然后再沉积第二层ＴｉＮ，进而沉积金属钨，这样，经过快速热处理以后再沉积的第二层ＴｉＮ，能够覆盖由于快速热处理导致...

本发明涉及一种湿法清洗工艺中的非活性氛围装置，包括：至少一个非活性气体容器，每个容器中容纳一种非活性气体；清洗单元，该清洗单元包括：位于清洗单元上部的风机过滤单元，通过管道与上述至少一个非活性气体容器或空气相连通，用于吸入并过滤非活性气...

本发明提供了一种监测聚酰亚胺的曝光阈值的方法，包括以下步骤：步骤１，在晶片上涂覆聚酰亚胺；步骤２，对聚酰亚胺层分别用不同的显影时间进行显影，用以测定待检测晶片表面是否剩余有聚酰亚胺；步骤３，利用膜厚量测装置再测定待检测晶片的表面是否剩余...

本发明提供了一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法，包括：第一步，提供一衬底，该衬底上有沟槽；第二步，在衬底上依次形成穿隧氧化层，浮置栅极层，栅间介电层；第三步，形成导体层，并对该导体层进行蚀刻，首先蚀刻形成闪存单元的外围电路，而后进...

本发明提供一种半导体晶片的导电结构及其制造方法，该导电结构包括：半导体衬底，其包括至少一层金属层，其中该金属层位于半导体衬底的上部，该金属层的上部和下部覆盖有阻挡层，通过蚀刻的方法将金属层上部的阻挡层以及在半导体衬底和金属层组成的结构的...

本发明涉及一种氧化物－氮化物－氧化物和多晶体残余的移除方法，包括：第一步，提供一衬底，该衬底上有沟槽；第二步，在衬底上依次形成穿隧氧化层，浮置栅极层，氧化物－氮化物－氧化物层；第三步，形成导体层，并对该导体层进行蚀刻，利用光罩首先蚀刻单...

本发明提出了一种可旋转探针卡的半导体测量探针台，至少包括：探针台主体，位于探针台主体下方的轨道，用于承载和移动载晶盘；位于上述轨道上的载晶盘，用于放置晶片；其中，还包括位于载晶盘上方的用于安装探针卡的旋转装置。本发明采用了相对运动的观念...

本发明涉及一种用于检测金属线与绝缘层应力异常的电性测试键及其测试方法。该电性测试键的结构为：在电性连接垫的上下两侧各放置两条基本平行的金属线，其中一侧的两条金属线为裸露的平行线，另一侧的两条平行的金属线的两侧各有一条虚设的金属线，以保护...