一种带耦合电容的静电防护电路制造技术

本发明专利技术提供了一种带耦合电容的静电防护电路，连接在第一节点和第二节点之间，其包括电阻器，晶体管和电容器；上述晶体管的漏极连接第一节点，用以接收静电电流，上述晶体管的源极连接第二节点，用以对静电电流放电；上述电容器连接在上述晶体管的栅极和第一节点之间；上述电阻器连接在上述晶体管的栅极和第二节点之间；其中，上述晶体管为栅极耦合晶体管，上述电容器为晶体管的耦合电容，上述耦合电容为ＭＩＭ电容器或ＰＩＰ电容器。由于ＭＩＭ电容或ＰＩＰ电容其单位面积电容值较稳定，变异性不大，所以在设计时可以进行精确模拟，使得ＥＳＤ防护能力更有效，比使用其它电容更能节省面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静电防护电路，特别涉及一种带耦合电容的静电防护电路。
技术介绍
静电放电(Electrostatic Discharge,简称ESD)防护元件的选用在电路设计 中占有越来越重要的地位，合适的ESD防护元件或电路不仅会节省芯片(chip) 面积，而且会达到非常理想的ESD防护能力。目前业界比较常用的ESD防护元 件主要有二极管(diode) ，MOS场效应晶体管(MOSFET),栅极耦合晶体管 (gate-coupled MOSFET)，以及硅控整流器(Silicon-Controlled Rectifier,简称 SCR)等。其中由于栅极耦合晶体管构成的ESD防护元件较容易设计且具有较 佳的ESD防护能力，受到大多数设计者的青睐。在次微米或深次微米制造工艺中，元件的ESD防护能力下降，为提升CMOS 集成电路的ESD防护能力，在Input/Output PAD (输入/输出衬垫)的ESD防护 元件或输出级MOSFET元件都会被做得较大，以期利用大尺寸的元件设计来提 升ESD防护能力。大尺寸的元件在布局上经常画成手指状(finger-type)，但是，在ESD放电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带耦合电容的静电防护电路，连接在第一节点和第二节点之间，其特征在于包括电阻器，晶体管和电容器；　上述晶体管的漏极连接第一节点，用以接收静电电流，上述晶体管的源极连接第二节点，用以对静电电流放电；　上述电容器连接在上述晶体管的栅极和第一节点之间；　上述电阻器连接在上述晶体管的栅极和第二节点之间；　其中，上述晶体管为栅极耦合晶体管，上述电容器为晶体管的耦合电容，上述耦合电容为金属－绝缘体－金属电容器或多晶体－绝缘体－多晶体电容器。

【技术特征摘要】
US 2007-9-4 11/849,3731. 一种带耦合电容的静电防护电路，连接在第一节点和第二节点之间，其特征在于包括电阻器，晶体管和电容器；上述晶体管的漏极连接第一节点，用以接收静电电流，上述晶体管的源极连接第二节点，用以对静电电流放电；上述电容器连接在上述晶体管的栅极和第一节点之间；上述电阻器连接在上述晶体管的栅极和第二节点之间；其中，上述晶体管为栅极耦合晶体管，上述电容器为晶体管的耦合电容，上述耦合电容为金属-绝缘体-金属电容器或多晶体-绝缘体-多晶体电容器。2. 根据权利要求l所述的静电防护电路，其特征在于上述金属-绝缘体-金 属电容器的一金属层与第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：石俊，王政烈，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]