【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
接触式，在ACT-8机台上的显影液是通过E2/E3喷头喷洒在晶片表面， 然后通过晶片的转动帮助显影液更好的将曝光的光阻去除。由于E2/E3喷 头在喷洒显影液时距离晶片的距离0.9 lmm,因此喷头会通过喷出的显影 液接触到晶片，因此这种方式称为接触式。这种方式有一个常见的问题，由于喷头长时间通过接触晶片，使喷头 表面会出现碳酸盐结晶，这些结晶会在后续的制程中会污染晶片。现有技术中是通过人工方式清洗，即人工使用无尘布沾着去离子水来 擦拭喷头表面。这种人工方式极易对喷头造成损伤，或是由于手脏污或是 无尘布脏污造成导致清洁不彻底。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷和不足，本专利技术的目的是提出一种喷嘴的 清洁方法，能够自动对喷头进行清洗，较人工清洗更安全可靠。为了达到上述目的，本专利技术提出了，包括在晶片表面喷去离子水，并将喷嘴移动到晶片表面以使喷嘴与所述去 离子水接触。作为上述技术方案的优选，所述方法具体为步骤1、在晶片表面喷去离子水，并使去离子水均匀覆盖在晶片表面; 步骤2、将喷嘴移动到晶片表面，并使喷嘴与晶片表面的去离子水接触。作为...
【技术保护点】
一种喷嘴的清洁方法，包括： 在晶片表面喷去离子水，并将喷嘴移动到晶片表面，使喷嘴与所述去离子水接触以清洁喷嘴。
【技术特征摘要】
1.一种喷嘴的清洁方法，包括在晶片表面喷去离子水，并将喷嘴移动到晶片表面，使喷嘴与所述去离子水接触以清洁喷嘴。2、 根据权利要求1所述的喷嘴的清洁方法，其特征在于，所述方法 具体为步骤1、在晶片表面喷去离子水，并使去离子水均匀覆盖在晶片表面;步骤2、将喷嘴移动到晶片表面，并使喷嘴与晶片表面的去离子水接触。3、 根据权利要求1所述的喷嘴的清洁方法，其特征在于，所述步骤l具...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡珂，陈耀，胡建丰，陈晓琪，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。