本实用新型涉及一种用于喷涂光阻的机台，包括隔膜泵和底座，所述隔膜泵的马达端以铰接的方式安装在所述底座上，所述隔膜泵的另一端能自由抬起。本实用新型由于改进了隔膜泵与底座的连接方式，从而使隔膜泵的一端可以自有抬起，达到排出空气的目的，从而保...

本实用新型公开了一种抽气装置，包括第一壳体、管道及抽气机。第一壳体配置于传送接口的侧面及底面周围。第一壳体与传送接口的侧面之间形成抽气信道，且第一壳体具有至少一抽气口。管道连接至少一抽气口。抽气机连接管道。当晶圆盒置于传送接口的底面时，...

本实用新型涉及一种介电质层结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底之上的金属线；位于该衬底及该金属线之上的第一层介电质层，作为阻挡层；位于该第一层介电质之上的第二层介电质层；位于该第二层介电质层之上的第三层介电质层，该第三层介电质层的表面...

本实用新型涉及一种防止晶片破片的装置。该装置是在Ｇ机械臂上增加倒角装置，至少包括编码器、检测装置、电动机和滚轮，以上四部分顺序连接；上述编码器产生信号并输入到检测装置，由检测装置对上述信号作出判断，上述电动机与Ｇ机械臂相连接并在接收到信...

本实用新型公开了一种涂胶显影机台，包含光阻容器，所述光阻容器上设置有输入管路、输出管路和排空管路，所述输入管路和输出管路上分别设置有检测管路内是否有气泡的输入端传感器和输出端传感器，所述排空管路上设置有用于检测排空管路内是否有气泡的排空...

本实用新型公开了一种防止显微镜机台掉落晶片的装置和显微镜机台。所述防止显微镜机台掉落晶片的装置，用于安装在显微镜机台上晶片在交换时易于与操作员手臂发生碰撞的地方，该防止显微镜机台掉落晶片的装置为Ｌ形罩盖，所述Ｌ形罩盖为一体形成或通过一个...

本发明公开了一种沉积掺杂多晶硅（ＤＰＯＬＹ）机台，涉及多晶硅制造技术，为解决现有技术ＤＰＯＬＹ机台中炉管纵向不同位置产品之间的阻值差异大，影响了产品质量的问题而设计。所述ＤＰＯＬＹ机台，包括炉管和设置在所述炉管一侧的多个气嘴，所述多个气...

本发明提出了一种Ａｌ－０．５Ｃｕ导电层退火处理的方法，将导电层置入高真空的环境中，在温度为３８０～４２０℃保持一段时间并冷却，Ａｌ－０．５Ｃｕ导电层的厚度在时，所述时间为６０ｓ～３００ｓ，Ａｌ－０．５Ｃｕ导电层的厚度越大，时间越长。在本...

本发明涉及一种形成浅沟槽隔离的方法，包括：步骤１、提供一基底，在所述基底上依次形成垫氧化物层和氮化物层；步骤２、对所述基底进行微影及蚀刻形成浅沟槽，在所述浅沟槽的底部和侧壁形成内衬氧化物层，并在所述内衬氧化物上形成内衬氮化物层；步骤３、...

本发明公开了一种能够减少晶片表面外逸有害气体的集成电路加工设备。所述集成电路加工设备，包括晶片装载腔室，其中，所述晶片装载腔室的门口外部设置有集气装置。本发明能够在设备对产品进行处理完成后，降低设备周围环境中Ｃｌ、Ｂｒ离子的浓度，从而提...

本发明揭示了一种集成项目管理系统及方法，架构于Ｗｅｂ服务器端，并通过局域网络与客户端电脑以网络传输协议通信相连，其特征在于：所述Ｗｅｂ服务器端的项目管理系统由项目计划建制模块、项目数据收集模块、项目度量分析模块及组织财富库模块集成化构建...

本实用新型公开了一种防倾倒外泄的液体容器，具有瓶体、盖体和把手，其特征在于：所述液体容器具有包括防倾开关、电磁球形阀、常闭开关、蜂鸣器及电源相互串联成闭合回路的防倾倒装置；其中所述电源与防倾开关设置于瓶体底部，所述常闭开关与蜂鸣器设置于...

本实用新型涉及一种新型布局的集成电路结构，其包括：第一层金属；位于上述第一层金属上部的第一介电层，位于上述第一介电层内并贯通上述第一介电层的第一层金属通孔；位于上述第一介电层上部的第二层金属；位于上述第二层金属上部的第二介电层，位于上述...

本实用新型提出一种机台工作状态指示装置，包括：机械手原始位置传感器，机械手真空传感器，晶片预对准摆放传感器及量测台真空传感器连接至可编程逻辑器件的输入端，并且该可编程逻辑器件的输出端连接至指示装置。本实用新型使工作人员能更直观地了解到晶...

本实用新型涉及一种半导体机台的刷洗单元门，包括刷洗单元门本体及刷洗单元门的上缘，该刷洗单元门的上缘具有一个缺口，该缺口的高度由中间向两侧逐渐降低。采用本实用新型的结构，可以使聚集在刷洗单元门的上缘的水滴在重力的作用下从两侧流走，从而保证...

本实用新型公开了一种管路中液体侦测系统，设置于液体输送装置中，该液体输送装置具有通过管路依序连接的液体容器和缓冲罐，与缓冲罐连接将气泡从缓冲罐排出的排出口，与缓冲罐连接将液体送入需要该液体的装置的使用端，其特征在于，该管路中液体侦测系统...

本实用新型提出一种机台装置，包括：气缸、执行器、与执行器通过提升销组件相连的腔室，其特征在于，上述气缸与执行器之间通过延长器相连接，延长器下端与气缸连接，上端与执行器连接，气缸通过延长器带动执行器运动。本实用新型可有效延长气缸的使用寿命...

本发明涉及高压ＭＯＳ器件栅氧化层可靠性的测试结构及其方法，将不同的测试用电流电压源探针分别与栅极和基极相连接。为了增大单个测试键中测试的栅氧化层面积，采用重复多个相同结构（通常为２个）并联的结构，其特征在于：每个重复结构的栅极使用相对独...

本发明公开了一种改善铝金属薄膜淀积过程中粘片的方法，适用于在晶圆片上淀积铝金属薄膜的制程中，针对夹持晶圆片的衬垫夹钳进行改进，其特征在于：所述改善方法指的是在圆环状的标准衬垫夹钳的环形内壁上对应于晶圆片缺口的位置设有一遮挡部，且遮挡部的...

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种可使析出的铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加工方式。该再加工方式包括：将表面具有析出铜的铝铜金属薄膜的材料置于真空环境中，加温至３５０～６００摄氏度，而后将该材料置于该真空环境中预定时间，使得铜回熔到铝铜...