用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了用于半导体功率器件的沟槽式终端，该终端包含至少一个沟槽，所述沟槽位于终端器件衬底内，终端表面由里及外覆盖有绝缘层和多晶硅，在所述终端区域的沟槽的端口和底部的周围具有P型区域，该P型区域与衬底的掺杂类型相反。本专利技术提供的用于半导体功率器件的沟槽式终端，通过在沟槽周围电场强烈集中的位置形成起保护作用的P型区域，该P型区域与衬底的掺杂类型相反，增强了该终端的可靠性。该沟槽式终端结构应用在元包结构为沟槽的功率器件中，能够减少器件制作的工艺步骤，从而降低制作成本。【专利说明】
本专利技术涉及半导体功率器件的终端
，特别涉及半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法。
技术介绍
优良的终端保护结构是功率器件，诸如功率二极管、功率MOS管、IGBT等，实现预定耐压的重要保障。在保证耐压的基础上，降低器件终端区域的面积是减低器件成本的有效措施。较早出现的终端结构是场限环(FLR)，后有将场限环(FLR)和场板(FLR)结合的结构，以及结终端延伸技术(JTE)的终端结构。专利US5949124-A所提出的终端结构，如图1所示。该专利提出...
【技术保护点】
用于半导体功率器件的沟槽式终端，其特征在于，终端包含至少一个沟槽，所述沟槽位于终端器件衬底内，终端表面由里及外覆盖有绝缘层和多晶硅，在所述终端的沟槽的端口和底部的周围具有P型区，该P型区与衬底的掺杂类型相反。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：褚为利，朱阳军，田晓丽，吴振兴，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所， 江苏中科君芯科技有限公司， 江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：北京;11
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