一种ITO镀膜生产线及生产工艺制造技术

本发明专利技术涉及ITO镀膜技术领域，尤其涉及一种ITO镀膜生产线及生产工艺。ITO镀膜生产线包括玻璃基片输送线、基片夹具、夹具机械手和真空镀膜机，真空镀膜机设置于玻璃基片输送线的右端；基片夹具用于装夹玻璃基片，基基片夹具放置在玻璃基片输送线上进行输送，夹具机械手夹持基片夹具并将基片夹具放置于真空镀膜机内；真空镀膜机包括有从左至右依次设置的SiO2膜真空镀膜室、ITO膜真空镀膜室、穿透率检验室和阻抗特性检验室，真空镀膜机还设置有穿设所述SiO2膜真空镀膜室、ITO膜真空镀膜室、穿透率检验室和阻抗特性检验室的输送带，可大大提高ITO镀膜生产效率，使得产品穿透率和阻抗特性更理想。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及ITO镀膜
，尤其涉及一种ITO镀膜生产线及生产工艺。ITO镀膜生产线包括玻璃基片输送线、基片夹具、夹具机械手和真空镀膜机，真空镀膜机设置于玻璃基片输送线的右端；基片夹具用于装夹玻璃基片，基基片夹具放置在玻璃基片输送线上进行输送，夹具机械手夹持基片夹具并将基片夹具放置于真空镀膜机内；真空镀膜机包括有从左至右依次设置的SiO2膜真空镀膜室、ITO膜真空镀膜室、穿透率检验室和阻抗特性检验室，真空镀膜机还设置有穿设所述SiO2膜真空镀膜室、ITO膜真空镀膜室、穿透率检验室和阻抗特性检验室的输送带，可大大提高ITO镀膜生产效率，使得产品穿透率和阻抗特性更理想。【专利说明】—种ITO镀膜生产线及生产工艺
本专利技术涉及ITO镀膜
，尤其涉及一种ITO镀膜生产线及生产工艺。
技术介绍
氧化铟锡(ΙΤ0)是一种N型半导体，常温下具有良好的导电性能，对可见光有很好的透过率，是生产液晶屏及触摸屏的关键材料之一。液晶显示器之所以能显示特定的图形，就是利用导电玻璃上的透明导电膜，经蚀刻制成特定外形的电极，上下导电玻璃制成液晶盒后，在这些电极上加适当电压信号，使具有偶极矩的液晶分子在电场作用下特定的方面排列，仅而显示出与电极波长相对应的图形。随着液晶屏及触摸屏技术的高速发展，如何使得ITO镀膜生产效率更高，产品穿透率和阻抗特性更理想，成为函待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足而提供一种ITO镀膜生产线及生产工艺，可大大提高ITO镀膜生产效率，使得产品穿透率和阻抗特性更理想。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案来实现。一种ITO镀膜生产线，它包括玻璃基片输送线、基片夹具、夹具机械手和真空镀膜机，真空镀膜机设置于玻璃基片输送线的右端；所述基片夹具用于装夹玻璃基片，所述基基片夹具放置在玻璃基片输送线上进行输送，夹具机械手夹持基片夹具并将基片夹具放置于真空镀膜机内；所述真空镀膜机包括有从左至右依次设置的SiO2膜真空镀膜室、ITO膜真空镀膜室、穿透率检验室和阻抗特性检验室，真空镀膜机还设置有穿设所述SiO2膜真空镀膜室、ITO膜真空镀膜室、穿透率检验室和阻抗特性检验室的输送带。一种ITO镀膜生产工艺，它包括如下步骤: 第一步，配置ITO膜胶液:将一定量的铟溶解在浓酸盐中得到InCl3溶液，取出一定量的InCl3溶液，与乙酰丙酮按1:2 —1:3的摩尔比混合搅拌得到透明溶液；再按透明溶液与乙二醇甲醚的质量比为80:5的比例加入乙二醇甲醚，在室温下搅拌，得到In溶胶；按In:Sn质量比为25:2的比例加入SnCl4.5Η20，搅拌20min得到In-Sn溶胶，然后按In-Sn溶胶与聚乙二醇的质量比为80:20的比例加入聚乙二醇，静置40min得到ITO膜胶液； 第二步，将玻璃基片装夹于基片夹具，基片夹具放置在玻璃基片输送线上进行输送，夹具机械手夹持基片夹具并将基片夹具放置于真空镀膜机的SiO2膜真空镀膜室； 第三步，SiO2膜真空镀膜室对玻璃基片进行真空镀膜，在玻璃基片的镀膜面上镀上一层30 μ m厚的SiO2膜； 第四步，真空镀膜机的输送带将玻璃基片输送到ITO膜真空镀膜室，ITO膜真空镀膜室的蒸发源将第一步所配置的I·TO膜胶液蒸发镀于玻璃基片的SiO2膜上，形成一层25 μ m厚的ITO膜； 第五步，真空镀膜机的输送带将玻璃基片输送到穿透率检验室，穿透率检验室对玻璃基片的穿透率进行检验并得到穿透率检验数据；第六步，真空镀膜机的输送带将玻璃基片输送到阻抗特性检验室，阻抗特性检验室对玻璃基片的阻抗特性进行检验并得到阻抗特性检验数据； 第七步，根据穿透率检验数据和阻抗特性检验数据判断产品是否为良品，良品即包装起来。本专利技术的有益效果为:本专利技术所述一种ITO镀膜生产线及生产工艺，可大大提高ITO镀膜生产效率，使得产品穿透率和阻抗特性更理想。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的原理框图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的说明。如图1所示，一种ITO镀膜生产线，它包括玻璃基片输送线1、基片夹具2、夹具机械手3和真空镀膜机4，真空镀膜机4设置于玻璃基片输送线I的右端；所述基片夹具2用于装夹玻璃基片，所述基片夹具2放置在玻璃基片输送线I上进行输送，夹具机械手3夹持基片夹具2并将基片夹具2放置于真空镀膜机4内；所述真空镀膜机4包括有从左至右依次设置的SiO2膜真空镀膜室40、ITO膜真空镀膜室41、穿透率检验室42和阻抗特性检验室43，真空镀膜机4还设置有穿设所述Si02膜真空镀膜室40、ITO膜真空镀膜室41、穿透率检验室42和阻抗特性检验室43的输送带44。 上述一种ITO镀膜生产线的工作原理是，工作时，将玻璃基片装夹于基片夹具2，基片夹具放置在玻璃基片输送线I上进行输送，夹具机械手3夹持基片夹具2并将基片夹具2放置于真空镀膜机4的SiO2膜真空镀膜室40，Si02膜真空镀膜室40对玻璃基片进行真空镀膜，在玻璃基片的镀膜面上镀上一层30 μ m厚的SiO2膜；输送带44将玻璃基片输送到ITO膜真空镀膜室41，ITO膜真空镀膜室41的蒸发源将第一步所配置的ITO膜胶液蒸发镀于玻璃基片的SiO2膜上，形成一层25 μ m厚的ITO膜；输送带44将玻璃基片输送到穿透率检验室42，穿透率检验室42对玻璃基片的穿透率进行检验并得到穿透率检验数据；输送带44将玻璃基片输送到阻抗特性检验室43，阻抗特性检验室43对玻璃基片的阻抗特性进行检验并得到阻抗特性检验数据；根据穿透率检验数据和阻抗特性检验数据判断产品是否为良品，良品即包装起来。所述一种ITO镀膜生产线可大大提高ITO镀膜生产效率，使得产品穿透率和阻抗特性更理想。本专利技术所述一种ITO镀膜生产工艺，它包括如下步骤: 第一步，配置ITO膜胶液:将一定量的铟溶解在浓酸盐中得到InCl3溶液，取出一定量的InCl3溶液，与乙酰丙酮按1:2 —1:3的摩尔比混合搅拌得到透明溶液；再按透明溶液与乙二醇甲醚的质量比为80:5的比例加入乙二醇甲醚，在室温下搅拌，得到In溶胶；按In:Sn质量比为25:2的比例加入SnCl4.5Η20，搅拌20min得到In-Sn溶胶，然后按In-Sn溶胶与聚乙二醇的质量比为80:20的比例加入聚乙二醇，静置40min得到ITO膜胶液； 第二步，将玻璃基片装夹于基片夹具2，基片夹具放置在玻璃基片输送线I上进行输送，夹具机械手3夹持基片夹具2并将基片夹具2放置于真空镀膜机4的SiO2膜真空镀膜室40 ；第三步，SiO2膜真空镀膜室40对玻璃基片进行真空镀膜，在玻璃基片的镀膜面上镀上一层30 μ m厚的SiO2膜； 第四步，真空镀膜机4的输送带44将玻璃基片输送到ITO膜真空镀膜室41，ITO膜真空镀膜室41的蒸发源将第一步所配置的ITO膜胶液蒸发镀于玻璃基片的SiO2膜上，形成一层25 μ m厚的ITO膜； 第五步，真空镀膜机4的输送带44将玻璃基片输送到穿透率检验室42，穿透率检验室42对玻璃基片的穿透率进行检验并得到穿透率检验数据； 第六步，真空镀膜机4的输送带44将玻璃基片输送到阻抗特性检验室43，阻抗特性检验室43对玻璃基片的阻抗特性进行检验并得到阻抗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ITO镀膜生产线，其特征在于：它包括玻璃基片输送线、基片夹具、夹具机械手和真空镀膜机，真空镀膜机设置于玻璃基片输送线的右端；所述基片夹具用于装夹玻璃基片，所述基基片夹具放置在玻璃基片输送线上进行输送，夹具机械手夹持基片夹具并将基片夹具放置于真空镀膜机内；所述真空镀膜机包括有从左至右依次设置的SiO2膜真空镀膜室、ITO膜真空镀膜室、穿透率检验室和阻抗特性检验室，真空镀膜机还设置有穿设所述SiO2膜真空镀膜室、ITO膜真空镀膜室、穿透率检验室和阻抗特性检验室的输送带。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭卫军，
申请(专利权)人：湖北优泰显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：