成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题是提供一种成膜装置及其蒸镀方法，其能够实现蒸发速率的控制的稳定化，通过把向被成膜基板的蒸镀中的实际的蒸镀速率保持恒定，获得膜厚的均匀性。作为解决本发明专利技术课题的方法涉及一种蒸镀装置，其为具有保持被成膜基板的基板保持机构、设置在面对该被成膜基板的位置，并向该被成膜基板进行蒸镀的蒸发源、和使该蒸发源对于该被成膜基板相对移动的蒸发源移动机构的成膜装置，在该蒸发源移动机构使上述蒸发源移动的轨迹上，具有控制从该蒸发源蒸发的成膜材料的量的待机位置，在该待机位置的前方设置的防附着构件的表面上具有抑制从该防附着构件放射的反射热的反射热抑制构件。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的课题是提供一种成膜装置及其蒸镀方法，其能够实现蒸发速率的控制的稳定化，通过把向被成膜基板的蒸镀中的实际的蒸镀速率保持恒定，获得膜厚的均匀性。作为解决本专利技术课题的方法涉及一种蒸镀装置，其为具有保持被成膜基板的基板保持机构、设置在面对该被成膜基板的位置，并向该被成膜基板进行蒸镀的蒸发源、和使该蒸发源对于该被成膜基板相对移动的蒸发源移动机构的成膜装置，在该蒸发源移动机构使上述蒸发源移动的轨迹上，具有控制从该蒸发源蒸发的成膜材料的量的待机位置，在该待机位置的前方设置的防附着构件的表面上具有抑制从该防附着构件放射的反射热的反射热抑制构件。【专利说明】成膜装置
本专利技术涉及通过蒸镀来形成薄膜的成膜装置，特别涉及适合构成有机EL元件的有机EL膜、金属电极膜的成膜的成膜装置。
技术介绍
通过蒸镀进行成膜的成膜装置具有蒸镀室，所述蒸镀室收容加热进行蒸镀的材料使该材料的蒸气产生的蒸发源、和通过来自该蒸发源的蒸气保持进行成膜的基板的基板保持机构。蒸镀室，为了提高成膜效率，维持低压气氛(一般称为真空气氛)。在进行成膜的基板是半导体晶片等小的基板的情况下，即使通过固定位置的蒸发源进行成膜，也能够在某种程度上维持基板上的膜厚的均匀性。但是，在对于大面积显示面板用的基板，例如ImXlm的基板进行成膜的情况下，因为仅用一个蒸发源不能维持膜厚的均匀性，所以通过排列使用多个蒸发源或者使蒸发源对于基板相对移动，从而得到膜厚的均匀性。在使蒸发源对于基板相对移动的情况下，通常设置用于调整来自蒸发源的蒸气的发生速率使成为恒定的、蒸发源的待机位置。在该待机位置确认蒸发源的蒸发速率成为规定值以后，使蒸发源向基板方向移动来开始对基板的成膜。在专利文献I中，公开了通过蒸发源的辐射热损失在待机位置和基板位置不同，发现两者的蒸发速率变动，应该使辐射热损失在两者处相同的认识。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2005 - 325425号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在专利文献I中，公开了为了使蒸发源的蒸气放出部分附近的辐射热损失在待机时和成膜时相同，在与掩膜大体相同的高度配置由辐射率与掩膜相同的材料组成的防附着构件。但是，防附着构件和掩膜大体相同的高度配置，有时由于蒸镀室内的空间的问题而难于实现。另外，作为与掩膜相同的辐射率的材料，提出了使用与掩膜相同的殷钢材料，但是该材料价格高，作为防附着构件的材料使用现实中困难。本专利技术的目的是提供一种成膜装置，其与防附着构件的材料、位置无关，能够在待机时和成膜时维持相同的蒸镀速率。为了解决上述课题的本专利技术的结构如下。在具有保持被成膜基板的基板保持机构、设置在面对该被成膜基板的位置，并向该被成膜基板进行蒸镀的蒸发源、和使该蒸发源对于该被成膜基板相对移动的蒸发源移动机构的成膜装置中，在该蒸发源移动机构使上述蒸发源移动的轨迹上，具有控制从该蒸发源蒸发的成膜材料的量的待机位置，在该待机位置的前方设置的防附着构件的表面上具有抑制从该防附着构件辐射的反射热的反射热抑制构件。此外，本专利技术的成膜装置，只要是在基材上形成膜的成膜装置，就能够应用，但是特别在使成膜源发生热那样的装置、蒸镀装置、溅射装置、热CVD装置等中适用是合适的。根据本专利技术，能够提供一种蒸镀装置及其蒸镀方法，其能够实现蒸发速率控制的稳定化，通过使对被成膜基板的蒸镀中的实际的蒸镀速率保持恒定，能够获得膜厚的均匀性。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术的实施例的蒸镀装置的概略结构图。图2是本专利技术的实施例1的反射热抑制构件的部分截面图。图3是本专利技术的实施例1的反射热抑制构件的立体图。图4是本专利技术的实施例2的反射热抑制构件的立体图。图5是本专利技术的实施例3的反射热抑制构件的立体图。图6是本专利技术的实施例3的反射热抑制构件的部分截面图。图7是本专利技术的实施例4的反射热抑制构件的立体图。图8是本专利技术的实施例4的反射热抑制构件的部分截面图。符号说明I…真空室2…蒸发源2a…蒸发粒子3…基板保持机构4…被成膜基板5…膜厚传感器6…防附着构件7…反射热抑制构件7a…翼板构件8…冷却机构9…折流板10…格子板IOa …开口部I Ob …条【具体实施方式】以下遵照实施例，根据附图等说明。以下的说明文字表示本申请专利技术的内容的具体例，本申请专利技术不限于这些说明。因此，在本说明书中公开的技术思想的范围内专业人员能够进行各种变更以及修正。(实施例1) 根据【专利附图】【附图说明】本专利技术的一个具体的实施例。图1是本专利技术的实施例的蒸镀装置的概略结构图。在图1中，在真空室I内设置蒸发源2。用加热器(未图示)加热该蒸发源2中填充的成膜材料并进行蒸发。使通过蒸发而发生的蒸发粒子2a附着在面对蒸发源2的基板保持机构3上保持的被成膜基板4上而形成。在使蒸发粒子2a在被成膜基板4上附着时，使蒸发源2和膜厚传感器5 —起从待机位置(图1中用实线表示的位置)向被成膜基板4的对面的至少中央部(图1中用虚线表示的位置)移动(箭头方向)。蒸发源2可向左方向以及右方向动作，在返回待机位置后，在通过膜厚传感器5检出的规定的值稳定以前进行蒸发速率的温度控制。此外，因为蒸发源2的通过加热器的对成膜材料的加热在中央部(图1中用虚线表示的位置)也好在待机位置也好都始终进行，所以蒸发粒子2a始终继续飞散。进而，为了通过使蒸发粒子的热能降低而抑制回跳，如图1所示在防附着构件6的背面设置冷却机构8。该冷却机构8是所谓的水冷装置，使冷却水循环的配管以热方式连接防附着构件6的背面来构成。为了捕捉在待机位置来自蒸发源2的蒸发粒子2a不能到达或者附着的蒸发粒子2a，在被成膜基板4的周边面对设置上述防附着构件6。如图1所示，从蒸发源2的待机位置到防附着构件6的距离与到被成膜基板4的距离相比非常近。因此位于待机位置的蒸发源2通过来自防附着构件6的反射热而受影响。另外，在蒸发源2上设置与蒸发源2 —体移动的膜厚传感器5，来自防附着构件6的反射热对该膜厚传感器5也带来影响。也就是说，膜厚传感器5，一般利用根据在水晶振动元件的表面上形成的蒸镀材料的量，共振频率改变的现象进行测定，但是发生该共振频率根据温度而偏离的现象。通过来自防附着构件6的反射热的影响，当膜厚传感器5把实际的膜厚作为不同的膜厚测定完毕时，为了修正它，因此要向不同的方向调整蒸发源的加热器温度，结果是有可能不能以规定的蒸发速率成膜。也就是说，在待机位置即使控制蒸发速率，也有成膜时的蒸发速率与规定值不同的可能性。因此在本实施例中，在防附着构件6上在被成膜基板4的周边的至少一部分，设置抑制从蒸发源放射的热的反射的反射热抑制构件7。下面使用图2、图3来说明反射热抑制构件7的详情。图2是本专利技术的实施例1的反射热抑制构件的部分截面图。图3是本专利技术的实施例1的反射热抑制构件的立体图。 在图2中，防附着构件6上的反射热抑制构件7在铝板或者不锈钢板上开有多个切槽，通过把该切槽立起来形成翼板构件7a (也称百叶板)。该翼板构件7a立起约IOmm左右，约45度倾斜。如图2中箭头表示的来自蒸发源2的热线2b那样，当热线2b对于反射热抑制构件7在大体垂直的方向上照射时,热线2b与多个翼板构件7a碰撞。与翼板构件7a碰撞的热线2b或者向直角方向弯曲，或者沿翼板构件7a的倾斜流动。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，具有：保持被成膜基板的基板保持机构；设置在面对该被成膜基板的位置，并向该被成膜基板进行蒸镀的蒸发源；和使该蒸发源对于该被成膜基板相对移动的蒸发源移动机构，其特征在于，在该蒸发源移动机构使所述蒸发源移动的轨迹上，具有控制从该蒸发源蒸发的成膜材料的量的待机位置，在该待机位置的前方设置的防附着构件的表面上具有抑制从该防附着构件放射的反射热的反射热抑制构件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：武居彻也，图师庵，加藤升，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：