一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法技术

技术编号:9791805 阅读:134 留言:0更新日期:2014-03-21 03:11
本发明专利技术公开了一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法,包括:交流溅射硅铝旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层;交流溅射掺铝氧化锌陶瓷,在Si3N4层上磁控溅射AZO层;直流溅射银平面靶,在AZO层上磁控溅射Ag层;交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶,在Ag层上磁控溅射AZO层;直流溅射银平面靶,在AZO层上磁控溅射Ag层;交流溅射掺铝氧化锌陶瓷靶,在Ag层上磁控溅射AZO层;直流溅射银平面靶,在AZO层上磁控溅射Ag层;交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶,在Ag层上磁控溅射AZO层;交流溅射硅铝旋转靶,在AZO层上磁控溅射Si3N4层。本发明专利技术目的提供一种工艺简单,操作方便,生产成本低的三银低辐射玻璃制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率,对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能,广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高,仅为50%左右;在红外辐射波长范围内透射率较高,尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。故此,现有的透明玻璃基材有待于进步兀吾。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的红外屏蔽功能薄膜的制备方法。为了达到上述目的,本专利技术采用以下方案:,其特征在于包括以下步骤:A、采用氮气作为`反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层;B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷,在步骤A中Si3N4层上磁控溅射AZO层;C、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤B中的AZO层上磁控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层;B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷,在步骤A中Si3N4层上磁控溅射AZO层;C、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤B中的AZO层上磁控溅射Ag层;D、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶,在步骤C中Ag层上磁控溅射AZO层;E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤D中的AZO层上磁控溅射Ag层;F、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶,在步骤E中的Ag层上磁...

【技术特征摘要】
1.一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤: A、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层; B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷,在步骤A中Si3N4层上磁控溅射AZO层; C、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤B中的AZO层上磁控溅射Ag层; D、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶,在步骤C中Ag层上磁控溅射AZO层; E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤D中的AZO层上磁控溅射Ag层; F、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶,在步骤E中的Ag层上磁控溅射AZO层; G、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤F中的AZO层上磁控溅射Ag层; H、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶,在步骤G中的Ag层上磁控溅射AZO层; 1、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射硅铝旋转靶,在步骤H中的AZO层上磁控溅射Si3N4层。2.根据权利要求1所述的一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法,其特征在于步骤A中所述Si3N4层的厚度为20~25nm,所述硅铝旋转靶中S1: Al的摩尔比为92:8,交流电源的功率100~125KW,需用两个阴极溅射,每个阴极50~65KW。3.根据权利要求1所述的一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法,其特征在于步骤B中所述AZO...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈路玉
申请(专利权)人:中山市创科科研技术服务有限公司
类型:发明
国别省市:

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