本发明专利技术公开了一种低成本低辐射率薄膜的制备方法：交流溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上溅射Si3N4层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上溅射Ag层；直流溅射铜平面靶，在Ag层上溅射Cu层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上溅射AZO层；直流溅射铜平面靶，在AZO层上溅射Cu层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上溅射Ag层；直流溅射铜平面靶，在Ag层上溅射Cu层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上溅射AZO层；交流溅射硅铝旋转靶，在AZO层上溅射Si3N4层。本发明专利技术工艺简单，操作方便，生产成本相对较低。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高，仅为50%左右；在红外辐射波长范围内透射率较高，尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。故此，现有的透明玻璃基材有待于进步完善。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的低成本低辐射率薄膜的制备方法。为了达到上述目的，本专利技术采用以下方案:，其特征在于包括以下步骤:Α、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷，在步骤A中Si3N4层上磁控溅射ΑΖ0层；C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的ΑΖ0层上磁控溅射Ag层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Cu层；E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Cu层上磁控溅射ΑΖ0层；F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤E中的ΑΖ0层上磁控溅射Cu层；G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Cu层上磁控溅射ΑΖ0层；H、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤G中的ΑΖ0层上磁控溅射Ag层；1、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤Η中的Ag层上磁控溅射Cu层；J、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤I中的Cu层上磁控溅射ΑΖ0层；K、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤J中的ΑΖ0层上磁控溅射Si3N4层。如上所述的，其特征在于步骤A中所述Si3N4层的厚度为20~25nm，所述硅铝旋转靶中S1:Al的摩尔比为92:8，所述氩气与氮气的体积比为5:6，交流电源的功率100~125KW，需用两个阴极溅射，每个阴极50~65KW。如上所述的，其特征在于步骤B中所述ΑΖ0层的厚度为20~25nm，氧化锌陶瓷靶中按重量百分比掺铝2%，交流电源的功率为20~25KW。如上所述的，其特征在于步骤C中所述Ag层的厚度为8~10nm，所述的直流电源的溅射功率4~5KW。如上所述的，其特征在于步骤D所述Cu层的厚度为10~20nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述直流电源的溅射功率3 ~6KW。如上所述的，其特征在于步骤E中所述AZ0层的厚度为50~65nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按重量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率 50 ~65KW。如上所述的 ，其特征在于步骤F中所述Cu层的厚度为10~20nm，直流电源溅射铜平面靶，所述直流电源的溅射功率为3~6KW。如上所述的，其特征在于步骤G中所述AZ0层的厚度为50~65nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20~25KW。如上所述的，其特征在于步骤Η中所述Ag层的厚度为8~10nm ;直流电源的溅射功率为4~5KW。如上所述的，其特征在于步骤I中所述Cu层的厚度为10~20nm ;交流电源的溅射功率为3~6KW，步骤J中所述AZ0层的厚度为20~25nm ;氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20~25KW。综上所述，本专利技术的有益效果:本专利技术工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。约为使用全银的70%，辐射率低，最低达到0.01以下，颜色中性。【具体实施方式】下面结合【具体实施方式】对本专利技术做进一步描述:实施例1，包括以下步骤:A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；所述Si3N4层的厚度为20nm，所述硅铝旋转靶中S1:Al的摩尔比为92:8，所述氩气与氮气的体积比为5:6，即氩气与氮气，即氩气:氮气=500sccm:600sccm，交流电源的功率100KW，需用两个阴极溅射，每个阴极50KW。B、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷，在步骤A中Si3N4层上磁控溅射AZ0层；所述AZ0层的厚度为20nm，氧化锌陶瓷靶中按重量百分比掺铝2%，交流电源的功率为20KW。C、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的AZ0层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述的直流电源的溅射功率 4KW。 D、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Cu层；所述Cu层的厚度为10nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述直流电源的溅射功率3KW。E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Cu层上磁控溅射AZ0层；所述AZ0层的厚度为50nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按重量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率50KW。F、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射铜平面靶，在步骤E中的AZ0层上磁控溅射Cu层；所述Cu层的厚度为10nm，直流电源溅射铜平面靶，所述直流电源的溅射功率为3KW。G、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Cu层上磁控溅射AZ0层；所述AZ0层的厚度为50nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20KW。H、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射银平面靶，在步骤G中的AZ0层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm ;直流电源的溅射功率为4KW。1、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射铜平面靶，在步骤Η中的Ag层上磁控溅射Cu层。所述Cu层的厚度为10nm ;交流电源的溅射功率为3KWJ、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤I中的Cu层上磁控溅射AZ0层；所述AZ0层的厚度为20nm ;氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20KW。K、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤J中的AZ0层上磁控溅射Si3N4层。所述Si3N4层的厚度为:20nm ;氩气与氮气的体积比例为5:6，氩气与氮气，即氩气:氮气=500sccm:600sccm，交流电源的功率100KW，需用两个阴极溅射，每个阴极50KW。实施例2，包括以下步骤:A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；所述Si3N4层的厚度为22nm，所述硅铝旋转靶中S1:Al本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低成本低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷，在步骤A中Si3N4层上磁控溅射AZO层；C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的AZO层上磁控溅射Ag层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Cu层；E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Cu层上磁控溅射AZO层；F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Cu层；G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Cu层上磁控溅射AZO层；H、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射Ag层；I、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤H中的Ag层上磁控溅射Cu层；J、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶， 在步骤I中的Cu层上磁控溅射AZO层；K、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤J中的AZO层上磁控溅射Si3N4层。...
【技术特征摘要】
1.一种低成本低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤:A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷，在步骤A中Si3N4层上磁控溅射AZO层；C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的AZO层上磁控溅射Ag层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Cu层；E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Cu层上磁控溅射AZO层；F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Cu层；G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Cu层上磁控溅射AZO层；H、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射Ag层； 1、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤Η中的Ag层上磁控溅射Cu层；J、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤I中的Cu层上磁控溅射AZO层；K、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤J中的AZO层上磁控溅射Si3N4层。2.根据权利要求1所述的一种低成本低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Si3N4层的厚度为20~25nm，所述硅铝旋转靶中S1: A1的摩尔比为92: 8，所述氩气与氮气的体积比为5:6，交流电源的功率100~125KW，需用两个阴极溅射，每个阴极50~65KW。3.根据权利要求1所述的一种低成本低辐射率薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述AZO层的厚度为20~25nm，氧化锌陶瓷靶中按重量百...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈路玉，
申请(专利权)人：中山市创科科研技术服务有限公司，
类型：发明
国别省市：
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