本发明专利技术公开了一种高透薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，在TiO2层上磁控溅射AZO层；D、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Ag层上磁控溅射NiCr层；F、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在NiCr层上磁控溅射TiO2层。本发明专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的高透薄膜的制备方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高，仅为50%左右；在红外辐射波长范围内透射率较高，尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。另外，这些玻璃的耐磨性通常不够优良。故此，现有的透明玻璃基材有待于进步完善。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的高透薄膜的制备方法。为了达到上述目的，本专利技术采用以下方案:，其特征在于包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O`5层；B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层；[0011 ] D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层；E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层；F、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。如上所述的，其特征在于步骤A中所述Nb2O5层的厚度为20~30nm，氩气与氧气的体积比为1:3，溅射压力2.5*10 — 3mbar，所述直流电源的溅射功率为30~45KW。如上所述的，其特征在于步骤B中所述TiO2层的厚度为8~15nm，所述交流电源的溅射功率40~75KW。如上所述的，其特征在于步骤C中所述AZO层的厚度为20~25nm，所述的交流电源的溅射功率20~25KW。如上所述的，其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8~10nm，所述直流电源的溅射功率3~6KW。如上所述的，其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为2~3nm,所述NiCr合金中N1: Cr的摩尔比21: 79,所述直流电源的派射功率2~3KW。如上所述的，其特征在于F中所述TiO2层的厚度为20~30nm，所述交流电源的溅射功率为100~150KW，其中包括两个阴极溅射，每个阴极50~75KW。综上所述，本专利技术的有益效果:本专利技术工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。产品透过率高达到85%以上，接近基底透过率；生产过程中对基板洁净程度要求不高，机械性能优异。【具体实施方式】下面结合【具体实施方式】对本专利技术做进一步描述:实施例1 本专利技术，包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为20nm，氩气与氧气的体积比为1:3，即氩气:氧气=300sccm:900sccm，溅射压力2.5*10 — 3mbar，所述直流电源的溅射功率为30KW。B、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为800sccm，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；所述TiO2层的厚度为8nm，所述交流电源的溅射功率40KW。C、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，其中氧化锌陶瓷靶旋转靶掺铝2%，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为20nm，所述的交流电源的溅射功率20KW。D、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述直流电源的溅射功率3KW。所述NiCr层的厚度为2nm，所述NiCr合金中N1: Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率2KW。E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层；F、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为800sccm，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。所述TiO2层的厚度为20nm，所述交流电源的溅射功率为100KW，其中包括两个阴极溅射，每个阴极50KW。实施例2本专利技术，包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为25nm，氩气与氧气的体积比为1:3，即氩气:氧气=300sccm:900sccm，溅射压力2.5*10 — 3mbar，所述直流电源的溅射功率为40KW。B、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为SOOsccm，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；所述TiO2层的厚度为10nm，所述交流电源的溅射功率58KW。C、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，其中氧化锌陶瓷靶旋转靶掺铝2%，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为22nm，所述的交流电源的溅射功率23KW。D、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为9nm，所述直流电源的溅射功率3~6KW。所述NiCr层的厚度为2.5nm,所述NiCr合金中N1: Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率22.5KW。E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层；F、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为800sccm，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。所述TiO2层的厚度为20~30nm，所述交流电源的溅射功率为120KW，其中包括两个阴极溅射，每个阴极60KW。实施例3本专利技术，包括以下步骤:A、采用氧气作为反应 气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为30nm，氩气与氧气的体积比为1:3，即氩气:氧气=300sccm:900sccm，溅射压力2.5*10 — 3mbar，所述直流电源的溅射功率为45KW。B、采用気气作为反应气体,気气的体积流量为800sccm,交流电源派射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；所述TiO2层的厚度为15nm，所述交流电源的溅射功率75KW。C、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，其中氧化锌陶瓷靶旋转靶掺铝2%，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为25nm，所述的交流电源的溅射功率25KW。D、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高透薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层；E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层；F、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。
【技术特征摘要】
1.一种高透薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤: A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层； B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层； C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层； D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层； E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层； F、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。2.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Nb2O5层的厚度为20~30nm，氩气与氧气的体积比为1:3，溅射压力2.5*10 — 3...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈路玉，
申请(专利权)人：中山市创科科研技术服务有限公司，
类型：发明
国别省市：
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