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本发明公开了一种高透薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，...
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