研磨用组合物制造技术

本发明专利技术的研磨用组合物包含磨料粒和具有亲水性基团的水溶性聚合物。使用本发明专利技术的研磨用组合物研磨后的疏水性含硅部分的水接触角，低于使用通过从本发明专利技术的研磨用组合物排除水溶性聚合物而获得的另一组合物研磨后的疏水性含硅部分的水接触角，且优选57°以下。水溶性聚合物的实例包含多糖类和醇化合物。本发明专利技术的另一研磨用组合物包含各具有硅烷醇基团的水溶性聚合物和磨料粒。当将该研磨用组合物在25℃下静置一天时，所述水溶性聚合物以基于1μm2磨料粒的表面积为5,000个以上的分子而被吸附。水溶性聚合物的实例包含具有聚氧化烯链的非离子性化合物(如聚乙二醇)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨用组合物
本专利技术涉及适合研磨具有疏水性含硅部分和亲水性含硅部分的研磨对象物的研磨用组合物。本专利技术还涉及使用研磨用组合物的研磨方法和基板的制造方法。
技术介绍
当进行化学-机械研磨以在半导体装置上形成金属(如铜)配线时，研磨后发生的称为齿(或接缝)的缺陷在过去已成为问题。为了防止发生该缺陷，已经开发了研磨用组合物如专利文献1至5中公开的那些。半导体装置的插头(接触插头)和垫片(接触垫片)由多晶硅(多结晶硅(polycrystallinesilicon))通过化学-机械研磨形成。当形成该插头或垫片时，通常需要同时研磨不仅由多晶硅(polysilicon)制成的部分，而且还研磨由氧化硅或氮化硅制成的设置在插头或垫片周围的部分。在这种情况下，如同形成金属配线时的情况，除了发生齿(fangs)之外，称为边缘过度腐蚀(以下称作EOE)的缺陷可在研磨后发生。认为由虽然多晶硅部分是疏水性的，但是氧化硅部分或氮化硅部分是亲水性的的事实引起齿和EOE的发生。此处使用的齿是指在多晶硅部分和氧化硅部分或氮化硅部分之间的边界出现局部腐蚀的现象，特别地，在多晶硅部分比较宽的两边可以看到。此处使用的E本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨用组合物，其用于研磨具有疏水性含硅部分和亲水性含硅部分的研磨对象物，所述研磨用组合物包含具有亲水性基团的水溶性聚合物、和磨料粒，其中所述研磨对象物使用所述研磨用组合物研磨后的所述疏水性含硅部分的水接触角，低于所述研磨对象物用除其中不包含水溶性聚合物外具有与所述研磨用组合物相同组成的另一组合物研磨后的所述疏水性含硅部分的水接触角。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.14 JP 2011-132413;2011.06.14 JP 2011-13241.一种研磨用组合物，其用于研磨具有疏水性含硅部分和亲水性含硅部分的研磨对象物，所述研磨用组合物包含具有亲水性基团的水溶性聚合物、和由二氧化硅形成的磨料粒，所述水溶性聚合物为聚甘油、戊醇、聚氧乙烯亚烷基二聚甘油醚、或单油酸聚氧乙烯(6)脱水山梨糖醇酯，所述磨料粒的平均缔合度为1.2～4；其中所述研磨对象物使用所述研磨用组合物研磨后的所述疏水性含硅部分的水接触角，低于所述研磨对象物用除其中不包含水溶性聚合物外具有与所述研磨用组合物相同组成的另一组合物研磨后的所述疏水性含硅部分的水接触角,且所述研磨对象物使用所述研磨用组合物研磨后，所述疏水性含硅部分的水接触角为57°以下。2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中所述水溶性聚合物具有基于每分子为三个以上的亲水性基团。3.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中所述疏水性含硅部分由多晶硅制成。4.根据权利要求1所述的研磨用组合物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：大和泰之，高桥洋平，赤塚朝彦，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：
国别省市：